一种射频功率放大器偏置电路制造技术

本申请提供了一种射频功率放大器偏置电路，包括：基准电路模块、镜像电路模块、镇流电阻以及电流调整电路模块，其中，所述基准电路模块用于为所述镜像电路模块提供基准电压；所述镜像电路模块用于根据所述基准电压生成第一电流和第二电流；所述电流调整电路模块用于将所述第一电流调整为第三电流，以使所述第三电流与所述第二电流叠加形成第四电流；所述第四电流通过所述镇流电阻，为射频放大晶体管Q1提供偏置。该偏置电路通过镜像电路模块与电流调整模块的调整，偏置电流随偏置电压Vref变化的变化量相比传统电路中的变化量大大减小，降低了对射频功率放大器的性能指标的影响。

A Bias Circuit for RF Power Amplifier

The application provides a bias circuit of a radio frequency power amplifier, which includes a reference circuit module, a mirror circuit module, a ballast resistance and a current adjustment circuit module, wherein the reference circuit module is used to provide a reference voltage for the mirror circuit module, and the mirror circuit module is used to generate a first current and a second current according to the reference voltage. The whole circuit module is used to adjust the first current to the third current so that the third current and the second current superimpose to form the fourth current, which provides a bias for the RF amplifier transistor Q1 through the ballast resistance. The bias circuit is adjusted by mirror circuit module and current adjusting module. The variation of bias current with bias voltage Vref is much smaller than that in traditional circuit, which reduces the influence on the performance of RF power amplifier.

【技术实现步骤摘要】
一种射频功率放大器偏置电路
本申请涉及无线通讯
，尤其涉及一种射频功率放大器偏置电路。
技术介绍
射频功率放大器广泛应用在各种无线通讯设备终端与系统中，它用于将调制好的射频信号进行放大，并将其传输给天线发射出去。射频功率放大器的工作状态由偏置电路决定，偏置电路的好坏很大程度上决定了射频功率放大器的性能指标。在传统的射频功率放大器偏置电路中，如图1所示，常采用两个二极管D1、D2串联产生一个基准电压，D1、D2通常由接成二极管形式的三极管实现，Q2与D2形成镜像结构，Q2镜像产生的电流通过R2给射频晶体管Q1提供偏置电流，C1为射频放大晶体管Q1的射频输入电容，L1为射频放大晶体管Q1的chock电感。虽然这种偏置电路简单，但其对偏置电压Vref的变化非常敏感，假设偏置电压Vref从2.6V变化到2.9V，那么射频晶体管Q1的偏置电流ICQ的相对变化量将超过60％，从而严重影响射频功率放大器的性能指标。
技术实现思路
有鉴于此，本申请提供了一种射频功率放大器偏置电路，以解决现有中的偏置电路对偏置电压Vref的变化非常敏感，严重影响射频功率放大器的性能指标的问题。为实现上述目的，本申请提供了以下技术方案：一种射频功率放大器偏置电路，包括：基准电路模块、镜像电路模块、镇流电阻以及电流调整电路模块，其中，所述基准电路模块用于为所述镜像电路模块提供基准电压；所述镜像电路模块用于根据所述基准电压生成第一电流和第二电流；所述电流调整电路模块用于将所述第一电流调整为第三电流，以使所述第三电流与所述第二电流叠加形成第四电流；所述第四电流通过所述镇流电阻，为射频放大晶体管Q1提供偏置。优选的，所述镜像电路模块包括：第一三极管Q2和第二三极管Q3，其中，所述第一三极管Q2的基极与所述基准电路模块的输出端相连，所述第一三极管Q2的集电极与电源电压VBAT相连，所述第一三极管Q2的发射极与所述电流调整电路模块的输入端相连；所述第二三极管Q3的基极与所述基准电路模块的输出端相连，所述第二三极管Q3的集电极与电源电压VBAT相连，所述第二三极管Q3的发射极分别与所述电流调整电路模块的输出端以及镇流电阻远离所述射频放大晶体管Q1的一端相连。优选的，所述电流调整电路模块包括：第三三极管Q4和第一电阻R1，其中，所述第三三极管Q4的基极与所述第一三极管Q2的发射极相连，所述第三三极管Q4的集电极通过所述第一电阻R1与所述第二三极管Q3的发射极相连，所述第三三极管Q4的发射极接地。优选的，所述电流调整电路模块还包括：第二电阻R2，其中，所述第二电阻R2的一端同时与所述第一三极管Q2的发射极、所述第三三极管Q4的基极相连，所述第二电阻R2的另一端接地。优选的，所述基准电路模块包括：第三电阻R3、第四三极管D1、第五三极管D2和第二电容C2，其中，所述第五三极管D2的基极作为所述基准电路模块的输出端与所述镜像电路模块的输入端相连，同时，通过所述第三电阻R3与偏置电压Vref相连，并通过所述第二电容C2接地；所述第五三极管D2的集电极与所述第五三极管D2的基极相连；所述第五三极管D2的发射极同时与所述第四三极管D1的集电极和基极相连；所述第四三极管D1的发射极接地。优选的，所述基准电路模块包括：第四电阻R4、第六三极管Q5、第三电容C3和第五电阻R5，其中，所述第六三极管Q5的集电极作为所述基准电路模块的输出端与所述镜像电路模块的输入端相连，同时，通过所述第四电阻R4与偏置电压Vref相连，并通过所述第三电容C3接地；所述第六三极管Q5的基极通过所述第五电阻R5与所述镇流电阻远离所述射频放大晶体管Q1的一端相连；所述第六三极管Q5的发射极接地。由以上技术方案可知，本申请提供了一种射频功率放大器偏置电路，镜像电路模块可根据所述基准电压生成第一电流和第二电流，然后电流调整电路模块将所述第一电流调整为第三电流，以使所述第三电流与所述第二电流叠加形成第四电流，第四电流通过所述镇流电阻，为射频放大晶体管Q1提供偏置。本申请提供的该偏置电路通过镜像电路模块与电流调整模块的调整，偏置电流随偏置电压Vref变化的变化量相比传统电路中的变化量大大减小，降低了对射频功率放大器的性能指标的影响。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为传统的射频功率放大器偏置电路原理图；图2为本申请实施例一提供的一种射频功率放大器偏置电路的原理图；图3为本申请实施例二提供的一种射频功率放大器偏置电路的原理图；图4为本申请提出的偏置电路与传统偏置电路ICQVs.Vref对比示意图；图5为本申请实施例三提供的一种射频功率放大器偏置电路的原理图；图6为本申请实施例四提供的一种射频功率放大器偏置电路的原理图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。为解决现有中的偏置电路对偏置电压Vref的变化非常敏感，严重影响射频功率放大器的性能指标的问题，本申请提供了一种新型的射频功率放大器偏置电路，具体方案如下所述：实施例一本申请实施例一提供了一种射频功率放大器偏置电路，如图2所示，该偏置电路包括：基准电路模块、镜像电路模块、镇流电阻以及电流调整电路模块，其中，基准电路模块用于为镜像电路模块提供基准电压；镜像电路模块用于根据基准电压生成第一电流和第二电流；电流调整电路模块用于将第一电流调整为第三电流，以使第三电流与第二电流叠加形成第四电流；第四电流通过镇流电阻R，为射频放大晶体管Q1提供偏置。需要说明的是，电流调整电路模块其实质是将第一电流放大预设倍数，其中，具体放大倍数在本申请不做限定，可根据实际需要选择。且，电流调整电路模块还可以根据需要改变电流的方向，在本申请亦不做限定。具体的，如图1所示，第一电容C1为射频放大晶体管Q1的射频输入电容，电感L1为射频放大晶体管Q1的chock电感，其中，射频放大晶体管Q1的基极通过第一电容C1与射频输入端RFin相连，同时与镇流电阻R相连；射频放大晶体管Q1的集电极通过电感L1与电路电压Vcc相连，同时与射频输出端RFout相连；射频放大晶体管Q1的发射极接地。由以上技术方案可知，本申请实施例一提供的该射频功率放大器偏置电路，镜像电路模块可根据所述基准电压生成第一电流和第二电流，然后电流调整电路模块将所述第一电流调整为第三电流，以使所述第三电流与所述第二电流叠加形成第四电流，第四电流通过所述镇流电阻，为射频放大晶体管Q1提供偏置。该偏置电路通过镜像电路模块与电流调整模块的调整，偏置电流随偏置电压Vref变化的变化量相比传统电路中的变化量大大减小，降低了对射频功率放大器的性能指标的影响。实施例二在实施例一的基础上，本申请实施例二提供了一种更具体的射频功率放大器偏置电路，如图3所示，该实例中的原理与本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种射频功率放大器偏置电路，其特征在于，包括：基准电路模块、镜像电路模块、镇流电阻以及电流调整电路模块，其中，所述基准电路模块用于为所述镜像电路模块提供基准电压；所述镜像电路模块用于根据所述基准电压生成第一电流和第二电流；所述电流调整电路模块用于将所述第一电流调整为第三电流，以使所述第三电流与所述第二电流叠加形成第四电流；所述第四电流通过所述镇流电阻，为射频放大晶体管Q1提供偏置。

【技术特征摘要】
1.一种射频功率放大器偏置电路，其特征在于，包括：基准电路模块、镜像电路模块、镇流电阻以及电流调整电路模块，其中，所述基准电路模块用于为所述镜像电路模块提供基准电压；所述镜像电路模块用于根据所述基准电压生成第一电流和第二电流；所述电流调整电路模块用于将所述第一电流调整为第三电流，以使所述第三电流与所述第二电流叠加形成第四电流；所述第四电流通过所述镇流电阻，为射频放大晶体管Q1提供偏置。2.根据权利要求1所述的偏置电路，其特征在于，所述镜像电路模块包括：第一三极管Q2和第二三极管Q3，其中，所述第一三极管Q2的基极与所述基准电路模块的输出端相连，所述第一三极管Q2的集电极与电源电压Vbat相连，所述第一三极管Q2的发射极与所述电流调整电路模块的输入端相连；所述第二三极管Q3的基极与所述基准电路模块的输出端相连，所述第二三极管Q3的集电极与电源电压Vbat相连，所述第二三极管Q3的发射极分别与所述电流调整电路模块的输出端以及镇流电阻远离所述射频放大晶体管Q1的一端相连。3.根据权利要求2所述的偏置电路，其特征在于，所述电流调整电路模块包括：第三三极管Q4和第一电阻R1，其中，所述第三三极管Q4的基极与所述第一三极管Q2的发射极相连，所述第三三极管Q4的集电极通过所述第一电阻R1与所述第二三极管Q3的发射极相连，所述第三三...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭凤雄，钱永学，孟浩，杨清华，何世海，李东岳，
申请(专利权)人：北京中科汉天下电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11