本发明专利技术实施例提供了一种滤波电路和双工器,其中所述滤波电路包括:至少两条串联谐振支路,所述串联谐振支路串联连接在输入端子与输出端子之间,每条所述串联谐振支路包括第一谐振器;至少三条并联谐振支路,每条所述并联谐振支路包括第二谐振器;第一耦合结构,连接在第一对并联谐振支路之间;第二耦合结构,连接在第二对并联谐振支路之间;其中,所述第一耦合结构所连接的所述第一对并联谐振支路与所述第二耦合结构所连接的所述第二对并联谐振支路至少有一条并联谐振支路不同。振支路至少有一条并联谐振支路不同。振支路至少有一条并联谐振支路不同。
【技术实现步骤摘要】
滤波电路和双工器
[0001]本专利技术涉及电子线路
,具体涉及一种滤波电路和双工器。
技术介绍
[0002]滤波电路,特别是薄膜体声谐振器(FBAR,Flim BulkAcoustic Resonator)滤波电路被广泛应用于移动通信系统,诸如便携式移动终端的双工器中。
[0003]图1示出了传统的多级级联FBAR滤波电路,其包括串联谐振支路11A至11D和并联谐振支路12A至12E,以及位于输入端子侧的匹配电感14A和位于输出端子侧的匹配电感14B,其中串联谐振支路由单个谐振器构成,并联谐振支路由谐振器和与其串联的电感构成,然而该滤波电路的带宽较窄,难以满足宽带信号通信场景下的需求,并且从图2的插入损耗曲线图中可以看出,通带外低频信号的高点约为
‑
23dB,高频信号的高点约为
‑
33dB,滤波电路对于通带外的高频和低频信号抑制能力不足,严重影响了滤波电路的滤波性能。
技术实现思路
[0004]有鉴于此,本专利技术实施例提供了一种滤波电路和双工器,以解决现有技术中滤波电路在通带外高频和低频信号抑制能力差以及带宽较窄的问题中的至少一个。
[0005]根据第一方面,本专利技术实施例提供了一种滤波电路,包括:至少两条串联谐振支路,所述串联谐振支路串联连接在输入端子与输出端子之间,每条所述串联谐振支路包括第一谐振器;至少三条并联谐振支路,所述并联谐振支路的一端分别连接至相邻两个所述串联谐振支路之间,和/或所述输入端子与最靠近所述输入端子的所述串联谐振支路之间,和/或最靠近所述输出端子的所述串联谐振支路与所述输出端子之间,所述并联谐振支路的另一端接地,每条所述并联谐振支路包括第二谐振器;第一耦合结构,连接在第一对并联谐振支路之间,所述第一耦合结构包括第一耦合元件,所述第一耦合元件的一端连接至所述第一对并联谐振支路中的靠近所述输入端子的并联谐振支路的第二谐振器的第一电极,所述第一耦合元件的另一端连接至所述第一对并联谐振支路中的靠近所述输出端子的并联谐振支路的第二谐振器的第二电极;以及第二耦合结构,连接在第二对并联谐振支路之间,所述第二耦合结构包括第二耦合元件和第三耦合元件,所述第二耦合元件的一端连接至所述第二对并联谐振支路中的靠近所述输入端子的并联谐振支路的第二谐振器的第一电极,所述第二耦合元件的另一端连接至所述第二对并联谐振支路中的靠近所述输出端子的并联谐振支路的第二谐振器的第二电极,并且所述第三耦合元件的一端连接至所述第二对并联谐振支路中的靠近所述输入端子的并联谐振支路的第二谐振器的第二电极,所述第三耦合元件的另一端连接至所述第二对并联谐振支路中的靠近所述输出端子的并联谐振支路的第二谐振器的第一电极;其中,所述第一耦合结构所连接的所述第一对并联谐振支路与所述第二耦合结构所连接的所述第二对并联谐振支路至少有一条并联谐振支路不同。
[0006]可选地,所述第一耦合元件为电容器。
[0007]可选地,所述第二耦合元件和所述第三耦合元件为谐振器。
[0008]可选地,所述谐振器为薄膜体声谐振器。
[0009]可选地,相邻两个所述串联谐振支路之间连接至少一条所述并联谐振支路;或者所述输入端子与最靠近所述输入端子的所述串联谐振支路之间连接至少一条所述并联谐振支路;或者所述输出端子与最靠近所述输出端子的所述串联谐振支路之间连接至少一条所述并联谐振支路。
[0010]可选地,所述串联谐振支路中的至少一条还包括与第一谐振器串联连接的电感器。
[0011]可选地,所述并联谐振支路中的至少一条还包括与第二谐振器串联连接的电感器。
[0012]可选地,所述滤波电路还包括:匹配电路,设置在所述输入端子与最靠近所述输入端子的所述串联谐振支路之间;和/或设置在所述输出端子与最靠近所述输出端子的所述串联谐振支路之间。
[0013]可选地,所述第一谐振器和所述第二谐振器为薄膜体声谐振器。
[0014]可选地,所述第一耦合结构连接在靠近中部的所述第一对并联谐振支路之间;和/或所述第二耦合结构连接在靠近中部的所述第二对并联谐振支路之间。
[0015]根据第二方面,本专利技术实施例提供了一种双工器,所述双工器包括接收滤波器和发射滤波器,所述接收滤波器采用上述第一方面中任一项所述的滤波电路;和/或所述发射滤波器采用上述第一方面中任一项所述的滤波电路
[0016]根据本专利技术实施例的滤波电路和双工器,通过分别在两条并联谐振支路之间设置第一耦合结构和第二耦合结构,其中所述第一耦合结构包括第一耦合元件,所述第一耦合元件的一端连接至所述第一对并联谐振支路中的靠近所述输入端子的并联谐振支路的第二谐振器的第一电极,所述第一耦合元件的另一端连接至所述第一对并联谐振支路中的靠近所述输出端子的并联谐振支路的第二谐振器的第二电极;所述第二耦合结构包括第二耦合元件和第三耦合元件,所述第二耦合元件的一端连接至所述第二对并联谐振支路中的靠近所述输入端子的并联谐振支路的第二谐振器的第一电极,所述第二耦合元件的另一端连接至所述第二对并联谐振支路中的靠近所述输出端子的并联谐振支路的第二谐振器的第二电极,并且所述第三耦合元件的一端连接至所述第二对并联谐振支路中的靠近所述输入端子的并联谐振支路的第二谐振器的第二电极,所述第三耦合元件的另一端连接至所述第二对并联谐振支路中的靠近所述输出端子的并联谐振支路的第二谐振器的第一电极;其中,所述第一耦合结构所连接的所述第一对并联谐振支路与所述第二耦合结构所连接的所述第二对并联谐振支路至少有一条并联谐振支路不同,大幅增强了对于通带外高频和低频信号的抑制能力,提升了滤波电路的滤波性能。
附图说明
[0017]通过参考附图会更加清楚的理解本专利技术的特征和优点,附图是示意性的而不应理解为对本专利技术进行任何限制,在附图中:
[0018]图1示出了现有技术中的滤波电路;
[0019]图2示出了图1所示的滤波电路的插入损耗曲线图;
[0020]图3示出了根据本专利技术实施例的滤波电路的示意图;
[0021]图4示出了图3所示的滤波电路的插入损耗曲线图;
[0022]图5示出了根据本专利技术另一实施例的滤波电路的示意图;
[0023]图6示出了图5所示的滤波电路的插入损耗曲线图。
具体实施方式
[0024]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。
[0025]图3示出了根据本专利技术实施例的滤波电路,该滤波电路可以包括串联谐振支路11A至11D和并联谐振支路12A至12F,串联谐振支路11A至11D串联连接在输入端子与输出端子之间,在图3的示例中,示例性地示出了4条串联谐振支路和6条并联谐振支路,然而本领域技术人员应当理解更多或更少条串联谐本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种滤波电路,其特征在于,包括:至少两条串联谐振支路,所述串联谐振支路串联连接在输入端子与输出端子之间,每条所述串联谐振支路包括第一谐振器;至少三条并联谐振支路,所述并联谐振支路的一端分别连接至相邻两个所述串联谐振支路之间,和/或所述输入端子与最靠近所述输入端子的所述串联谐振支路之间,和/或最靠近所述输出端子的所述串联谐振支路与所述输出端子之间,所述并联谐振支路的另一端接地,每条所述并联谐振支路包括第二谐振器;第一耦合结构,连接在第一对并联谐振支路之间,所述第一耦合结构包括第一耦合元件,所述第一耦合元件的一端连接至所述第一对并联谐振支路中的靠近所述输入端子的并联谐振支路的第二谐振器的第一电极,所述第一耦合元件的另一端连接至所述第一对并联谐振支路中的靠近所述输出端子的并联谐振支路的第二谐振器的第二电极;以及第二耦合结构,连接在第二对并联谐振支路之间,所述第二耦合结构包括第二耦合元件和第三耦合元件,所述第二耦合元件的一端连接至所述第二对并联谐振支路中的靠近所述输入端子的并联谐振支路的第二谐振器的第一电极,所述第二耦合元件的另一端连接至所述第二对并联谐振支路中的靠近所述输出端子的并联谐振支路的第二谐振器的第二电极,并且所述第三耦合元件的一端连接至所述第二对并联谐振支路中的靠近所述输入端子的并联谐振支路的第二谐振器的第二电极,所述第三耦合元件的另一端连接至所述第二对并联谐振支路中的靠近所述输出端子的并联谐振支路的第二谐振器的第一电极;其中,所述第一耦合结构所连接的所述第一对并联谐振支路与所述第二耦合结构所连接的所述第二对并联谐振支路中至少有一条并联谐振支路不同。2.根据权利要求1所述滤波电路,其特征在于,所述第一耦合...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐尧,赖志国,杨清华,吴永乐,吴昊鹏,
申请(专利权)人:北京中科汉天下电子技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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