一种基于无机薄膜的器件封装方法技术

本发明专利技术公开一种基于无机薄膜的器件封装方法，其中，包括步骤：控制有机前驱物的反应用量，在器件表面生成一无机薄膜；将所述无机薄膜放入HHIC反应器中并通入H2，所述H2电离后形成H等离子，通过所述H等离子使所述有机前驱物之间或所述有机前驱物与所述无机薄膜之间相互交联，在所述器件表面形成一层封装薄膜层；通过本发明专利技术方法可以极大地提高封装薄膜的致密性，减小封装薄膜内部的空隙和水氧通过途径，从而提升封装薄膜的水氧阻隔效果。

A Device Packaging Method Based on Inorganic Thin Film

The invention discloses a device packaging method based on an inorganic film, which includes steps: controlling the reaction amount of organic precursors, forming an inorganic film on the surface of the device; putting the inorganic film into the HHIC reactor and feeding into H2, forming H plasma after ionization of the H2, and using the H plasma to make the organic precursors or between the organic precursors or the inorganic precursors. The method of the invention can greatly improve the compactness of the packaging film, reduce the voids in the packaging film and the water-oxygen passage way, thereby improving the water-oxygen barrier effect of the packaging film.

【技术实现步骤摘要】
一种基于无机薄膜的器件封装方法
本专利技术涉及器件封装
，尤其涉及一种基于无机薄膜的器件封装方法。
技术介绍
半导体量子点（Quantumdot,QDs）具有荧光量子效率高、可见光波段发光可调、色域覆盖度宽广等特点。以量子点为发光材料的发光二极管被称为量子点发光二极管（Quantumdotlight-emittingdiode,QLED）器件，其具有色彩饱和、能效更高、色温更佳、寿命长等优点，有望成为下一代固态照明和平板显示的主流技术。QLED器件在制备完各种功能层和量子点发光层后，还需对其进行薄膜封装处理；由于封装薄膜在微观上不是致密的，因此需要采用多层不同材料的薄膜堆叠来提高封装薄膜的水氧阻隔效果；然而，简单的通过多层薄膜堆叠并不能完全去除薄膜不致密导致的空洞，并且多层薄膜之间的应力阻碍了QLED器件的可挠性等。因此，现有技术还有待于改进和发展。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种基于无机薄膜的器件封装方法，旨在解决现有器件封装工艺水氧阻隔效果差的问题。本专利技术的技术方案如下：一种基于无机薄膜的器件封装方法，其中，包括步骤：A、控制有机前驱物的反应用量，在器件表面生成一无机薄膜；B、将所述无机薄膜放入HHIC反应器中并通入H2，所述H2电离后形成H等离子，通过所述H等离子使所述有机前驱物之间或所述有机前驱物与所述无机薄膜之间相互交联，在所述器件表面形成一层封装薄膜层。所述的基于无机薄膜的器件封装方法，其中，所述有机前驱物为CH4、SiH4、HDMSO、乙酸锌二水中的一种或多种。所述的基于无机薄膜的器件封装方法，其中，所述步骤A具体包括：控制有机前驱物的反应用量，使所述有机前驱物在生成无机薄膜后，剩余的有机前驱物占无机薄膜重量的比例为1：99-99：1。所述的基于无机薄膜的器件封装方法，其中，所述H等离子的能量为1-100eV。所述的基于无机薄膜的器件封装方法，其中，所述H等离子的能量为20-60eV。所述的基于无机薄膜的器件封装方法，其中，所述交联反应时间为1-30min。所述的基于无机薄膜的器件封装方法，其中，所述交联反应时间为10-20min。所述的基于无机薄膜的器件封装方法，其中，所述封装薄膜层的厚度为10-100nm。所述的基于无机薄膜的器件封装方法，其中，所述封装薄膜层的厚度为30-80nm。所述的基于无机薄膜的器件封装方法，其中，所述器件为QLED器件。有益效果：本专利技术提供一种基于无机薄膜的器件封装方法，通过控制有机前驱物的反应用量，在器件表面生成一无机薄膜；采用H等离子使有机前驱物之间或有机前驱物与无机薄膜之间相互交联，从而在器件表面形成一层封装薄膜层；通过本专利技术方法可以极大地提高封装薄膜的致密性，减小封装薄膜内部的空隙和水氧通过途径，从而提升封装薄膜的水氧阻隔效果。附图说明图1为本专利技术一种基于无机薄膜的器件封装方法较佳实施例的流程图。具体实施方式本专利技术提供一种基于无机薄膜的器件封装方法，为使本专利技术的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本专利技术进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。请参阅图1，图1为本专利技术一种基于无机薄膜的器件封装方法较佳实施例的流程图，如图所示，其中，包括步骤：S100、控制有机前驱物的反应用量，在器件表面生成一无机薄膜；S200、将所述无机薄膜放入HHIC反应器中并通入H2，所述H2电离后形成H等离子，通过所述H等离子使所述有机前驱物之间或所述有机前驱物与所述无机薄膜之间相互交联，在所述器件表面形成一层封装薄膜层；具体来说，现有光电器件在采用封装薄膜进行封装的过程中，由于封装薄膜在微观上不是致密的，其内部依然存在空隙和水氧通过途径，因此现有技术中封装薄膜的水氧阻隔效果较差；为解决上述问题，本专利技术通过控制有机前驱物的反应用量，采用PECVD方法在器件表面生成一无机薄膜；采用H等离子使所述有机前驱物之间或所述有机前驱物与所述无机薄膜之间相互交联，从而在所述器件表面形成一层致密的封装薄膜层；通过本专利技术提供的基于无机薄膜的器件封装方法,可以在光电器件表面制备出一种具有高致密性的封装薄膜，所述封装薄膜内部不存在空隙和水氧通过途径，从而提升封装薄膜的水氧阻隔效果。本专利技术所采用的PEVCD（PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition）-等离子体增强化学气相沉积法，在器件上生成无机薄膜，所述PEVCD是借助微波或射频等有机前驱物的气体电离，在局部形成等离子体，由于等离子体化学活性很强，使成膜反应在低温下容易发生，从而在基片上沉积出所期望的无机薄膜。具体来说，在本专利技术中，所述有机前驱物为CH4、SiH4、HDMSO（六甲基二硅醚）、乙酸锌二水（Zincacetatedihydrate）中的一种或多种；所述步骤S100具体为通过控制有机前驱物的反应用量，使所述有机前驱物在反应生成无机薄膜后，剩余的有机前驱物占无机薄膜重量的比例为1：99-99：1；也就是说，在制备无机薄膜的过程中，所述有机前驱物的反应用量为过量。在所述步骤S100中，在真空条件下，将所述QLED器件放置在低气压辉光放电的电极上，通入所述有机前驱物中的一种或多种，所述有机前驱物在QLED器件表面生成一无机薄膜；进一步，在所述步骤S200中，将所述无机薄膜放入HHIC反应器中并通入H2，所述H2电离后形成H等离子，通过所述H等离子使有机前驱物之间或所述有机前驱物与所述无机薄膜之间相互交联，在所述器件表面形成一层致密的封装薄膜层；所述封装薄膜层的厚度为10-100nm，若封装薄膜层的厚度小于10nm，则难以保证封装薄膜层的水氧阻隔效果，若封装薄膜层的厚度大于100nm，则不仅会影响制程时间，同时还会影响QLED器件的透光性；因此，本专利技术优选所述封装薄膜层的厚度为30-80nm，在该数值范围内，既能够保证其水氧阻隔效果，同时还能够简化制备工艺，提升QLED器件的透光率。具体地，本专利技术是采用HHIC（Hyperthermalhydrogeninducedcross-linking）技术来实现有机前驱物之间或所述有机前驱物与所述无机薄膜之间相互交联；所述HHIC技术是通过H2作为起始反应剂，然后使H2转变成H等离子，接着以适合能量的H等离子打开C-H，H-O，S-H，H-N等化学键；之后这些打开的化学键重新接合，从而把化学物质交联在一起。进一步地，在有机前驱物之间或所述有机前驱物与所述无机薄膜之间相互交联的过程中，控制所述H等离子的能量为1~100eV，若能量低于1eV，则H等离子不能够断裂有机前驱物与无机薄膜中的化学键（如C-H，H-O或H-N），不能够产生自由基，则无法进行交联反应；若能量高于100eV，则会对有机前驱物之间或所述有机前驱物与所述无机薄膜之间的交联过程形成损伤，从而破坏生成的无机薄膜；因此，本专利技术优选H等离子的能量为20-60eV，在该数值范围内，能够保证在不损伤无机薄膜的前提下高效地实现交联。更进一步地，在本专利技术中，控制所述交联处理的时间为1~30min，若时间过短（例如小于1min），则无法保证有机前驱物之间或所述有机前驱物与所述无机薄膜之间充分交联，只会局部完成交联，不利于形成完整本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于无机薄膜的器件封装方法，其特征在于，包括步骤：A、控制有机前驱物的反应用量，在器件表面生成一无机薄膜；B、将所述无机薄膜放入HHIC反应器中并通入H2，所述H2电离后形成H等离子，通过所述H等离子使所述有机前驱物之间或所述有机前驱物与所述无机薄膜之间相互交联，在所述器件表面形成一层封装薄膜层。

【技术特征摘要】
1.一种基于无机薄膜的器件封装方法，其特征在于，包括步骤：A、控制有机前驱物的反应用量，在器件表面生成一无机薄膜；B、将所述无机薄膜放入HHIC反应器中并通入H2，所述H2电离后形成H等离子，通过所述H等离子使所述有机前驱物之间或所述有机前驱物与所述无机薄膜之间相互交联，在所述器件表面形成一层封装薄膜层。2.根据权利要求1所述的基于无机薄膜的器件封装方法，其特征在于，所述有机前驱物为CH4、SiH4、HDMSO、乙酸锌二水中的一种或多种。3.根据权利要求1所述的基于无机薄膜的器件封装方法，其特征在于，所述步骤A具体包括：控制有机前驱物的反应用量，使所述有机前驱物在生成无机薄膜后，剩余的有机前驱物占无机薄膜重量的比例为1：99-99：1。4.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：向超宇，钱磊，曹蔚然，杨一行，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44