发光器件以及制造具有该发光器件的显示面板的方法技术

提供了发光器件以及制造具有该发光器件的显示面板的方法。所述发光器件可以包括第一电极、第二电极以及位于第一电极与第二电极之间的发光层。第一电极可以包括反射层和设置在反射层上的金属氧化物层。金属氧化物层可以设置在反射层与发光层之间。金属氧化物层可以包括二氧化钼和第V族元素的氧化物，第V族元素的含量相对于金属氧化物层的总量可以在2at％至10at％范围内。

Light-emitting device and method of manufacturing display panel with the light-emitting device

A light emitting device and a method for manufacturing a display panel with the light emitting device are provided. The light emitting device may include a first electrode, a second electrode and a light emitting layer located between the first electrode and the second electrode. The first electrode may include a reflective layer and a metal oxide layer disposed on the reflective layer. The metal oxide layer can be set between the reflective layer and the luminous layer. The metal oxide layer can include the oxides of molybdenum dioxide and V group elements. The content of V group elements can be in the range of 2at% to 10at% relative to the total amount of metal oxide layer.

【技术实现步骤摘要】
发光器件以及制造具有该发光器件的显示面板的方法
本公开涉及一种发光器件、具有该发光器件的显示面板以及制造该显示面板的方法。
技术介绍
发光器件包括至少两个电极以及设置在所述至少两个电极之间的发光层。从电极注入的空穴和电子在发光层中彼此复合，从而产生激子。当激子从激发态跃迁至基态时，从发光层发射光。显示面板被设置为具有多个像素，每个像素包括发光器件以及用于驱动发光器件的驱动电路。
技术实现思路
根据本公开的一个或更多个实施例的方面涉及包括适用于干蚀刻工艺的电极的发光器件、包括所述发光器件的高分辨率显示面板以及制造所述显示面板的方法。根据本公开的一个或更多个实施例的一个方面涉及适用于高分辨率显示面板的发光器件。根据本公开的一个或更多个实施例的一个方面涉及制造具有低故障率的显示面板的方法。然而，本公开的一个或更多个实施例的方面不限于这里阐述的方面。通过参考下面给出的本公开的详细描述，本公开的一个或更多个实施例的以上和其它方面对于本公开所属领域的普通技术人员来说将变得更加明显。根据专利技术构思的一些实施例，发光器件可以包括：第一电极，包括反射层和位于反射层上的金属氧化物层；第二电极，与第一电极间隔开；以及发光层，位于第一电极与第二电极之间。金属氧化物层可以设置在反射层与发光层之间。金属氧化物层可以包括二氧化钼和第V族元素的氧化物，第V族元素的含量相对于金属氧化物层的总量可以在2at％至10at％范围内。在一些实施例中，第V族元素的氧化物可以是五氧化二钽，钽含量相对于金属氧化物层的总量可以在2at％至7at％范围内。在一些实施例中，钼含量相对于金属氧化物层的总量可以在35at％至45at％范围内，氧含量相对于金属氧化物层的总量可以在50at％至60at％范围内。在一些实施例中，金属氧化物层可以具有约至约范围的厚度。在一些实施例中，反射层可以包含铝(Al)。在一些实施例中，反射层可以包含铝镍合金。在一些实施例中，反射层可以包含铝镍镧合金。在一些实施例中，镍含量相对于反射层的总量可以在0.01at％至2.0at％范围内，镧含量相对于反射层的总量可以在0.01at％至1.0at％范围内。在一些实施例中，反射层可以具有约至约范围的厚度。在一些实施例中，金属氧化物层可以与反射层直接接触。在一些实施例中，发光器件还可以包括位于反射层与金属氧化物层之间的抗氧化层。抗氧化层可以包括选自于镍和钛的至少一种元素。在一些实施例中，抗氧化层可以具有约至约范围的厚度。根据专利技术构思的一些实施例，发光器件可以包括：第一电极，包括反射层和位于反射层上的金属氧化物层；第二电极，与第一电极间隔开；以及发光层，位于第一电极与第二电极之间。金属氧化物层可以位于反射层与发光层之间并且可以包括第一金属氧化物和第二金属氧化物，第一金属氧化物可以包含钼，第二金属氧化物可以包含选自由钒(V)、铌(Nb)、钽(Ta)、钛(Ti)、钨(W)、锗(Ge)、锡(Sn)、硒(Se)和锆(Zr)组成的组中的至少一种元素，并且钒(V)、铌(Nb)、钽(Ta)、钛(Ti)、钨(W)、锗(Ge)、锡(Sn)、硒(Se)或锆(Zr)的含量相对于金属氧化物层的总量可以在2at％至10at％范围内。在一些实施例中，钼含量相对于金属氧化物层的总量可以在35at％至45at％范围内，氧含量相对于金属氧化物层的总量可以在50at％至60at％范围内。根据专利技术构思的一些实施例，制造显示面板的方法可以包括：在基体层上形成反射层以与多个发光区域以及非发光区域叠置；在反射层上形成金属氧化物层，金属氧化物层包括二氧化钼和第V族元素的氧化物，第V族元素的含量相对于金属氧化物层的总量在2at％至10at％范围内；以及对反射层和金属氧化物层执行干蚀刻工艺，从而形成分别与所述多个发光区域叠置的多个第一电极。在一些实施例中，可以利用靶通过溅射工艺来执行形成金属氧化物层的步骤，靶包含二氧化钼以及在二氧化钼中的第V族元素的颗粒。在一些实施例中，形成所述多个第一电极的步骤可以包括利用从由氟气和氯气组成的组中选择的至少一种气体通过干蚀刻工艺来蚀刻金属氧化物层和反射层两者。在一些实施例中，反射层可以包含铝(Al)。所述方法还可以包括形成像素限定层以限定多个开口，所述多个开口可以与所述多个发光区域对应。像素限定层可以与非发光区域叠置以暴露所述多个第一电极。在一些实施例中，所述方法还可以包括：形成空穴控制层以与所述多个发光区域以及非发光区域叠置；形成多个发光层以分别与所述多个发光区域叠置；形成电子控制层以与所述多个发光区域以及非发光区域叠置；以及形成第二电极以与所述多个发光区域以及非发光区域叠置。附图说明通过下面结合附图的简要描述将更清楚地理解示例实施例。附图表示如这里所描述的非限制性示例实施例。图1是示出根据专利技术构思的一些实施例的发光器件的剖视图。图2是示出根据专利技术构思的一些实施例的发光器件的剖视图。图3A是示出根据钽含量的金属氧化物层的水溶解度的曲线图。图3B是示出根据钽含量的金属氧化物层的方块电阻(sheetresistance)的曲线图。图3C是示出包含铌或钒的金属氧化物层的水溶解度的曲线图。图3D是示出包含铌或钒的金属氧化物层的方块电阻的曲线图。图4是根据专利技术构思的一些实施例的第一电极的扫描电子显微镜(SEM)图像。图5A是根据专利技术构思的一些实施例的像素的等效电路图。图5B是根据专利技术构思的一些实施例的显示面板的剖视图。图6A是根据专利技术构思的一些实施例的显示面板的平面图。图6B是沿图6A的线I-I'截取的剖视图。图7A至图7H是示出根据专利技术构思的一些实施例的制造显示面板的过程的剖视图。应该注意的是，这些附图意在说明某些示例实施例中使用的方法、结构和/或材料的一般特性，并意在补充下面提供的书面描述。然而，这些附图不是按比例绘制的，并且可能未反映任何给出的实施例的精确结构或性能特性，并且不应该被解释为限定或限制由示例实施例包含的值的范围或属性。例如，为了清楚起见，可以缩小或夸大分子、层、区域和/或结构元件的相对厚度和定位。在各个附图中使用相似或相同的附图标记意在表示存在相似或相同的元件或特征。具体实施方式现在将参照附图更充分地描述专利技术构思的示例实施例，在附图中示出了示例实施例。然而，专利技术构思的示例实施例可以以许多不同的形式实施并且不应该被解释为局限于这里阐述的实施例；相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并且这些实施例将把示例实施例的构思充分地传达给本领域普通技术人员。在附图中，为了清楚起见，夸大层和区域的厚度。附图中同样的附图标记表示同样的元件，因此，将不重复它们的描述。将理解的是，当元件被称为“连接”或“结合”到另一元件时，该元件可以直接连接到或直接结合到所述另一元件，或者可以存在中间元件。相比之下，当元件被称为“直接连接”或“直接结合”到另一元件时，不存在中间元件。用于描述元件或层之间的关系的其它词语应该以类似的方式解释(例如，“位于……之间”与“直接位于……之间”、“相邻”与“直接相邻”、“位于……上”与“直接位于……上”)。同样的标号始终表示同样的元件。如这里所使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任意和全部组合。将理解的是，尽管在这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光器件，所述发光器件包括：第一电极，包括反射层和位于所述反射层上的金属氧化物层；第二电极，与所述第一电极间隔开；以及发光层，位于所述第一电极与所述第二电极之间，其中，所述金属氧化物层位于所述反射层与所述发光层之间，所述金属氧化物层包括二氧化钼和第V族元素的氧化物，并且所述第V族元素的含量相对于所述金属氧化物层的总量在2at％至10at％范围内。

【技术特征摘要】
2017.06.26 KR 10-2017-00807151.一种发光器件，所述发光器件包括：第一电极，包括反射层和位于所述反射层上的金属氧化物层；第二电极，与所述第一电极间隔开；以及发光层，位于所述第一电极与所述第二电极之间，其中，所述金属氧化物层位于所述反射层与所述发光层之间，所述金属氧化物层包括二氧化钼和第V族元素的氧化物，并且所述第V族元素的含量相对于所述金属氧化物层的总量在2at％至10at％范围内。2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第V族元素的氧化物是五氧化二钽，钽含量相对于所述金属氧化物层的所述总量在2at％至7at％范围内。3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，钼含量相对于所述金属氧化物层的所述总量在35at％至45at％范围内，氧含量相对于所述金属氧化物层的所述总量在50at％至60at％范围内。4.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述金属氧化物层具有至范围的厚度。5.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述反射层包括铝。6.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述反射层包括铝镍合金。7.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述反射层包括铝镍镧合金。8.根据权利要求7所述的发光器件，其中，镍含量相对于所述反射层的总量在0.01at％至2.0at％范围内，镧含量相对于所述反射层的所述总量在0.01at％至1.0at％范围内。9.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述反射层具有至范围的厚度。10.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述金属氧化物层直接位于所述反射层上。11.根据权利要求1所述的发光器件，所述发光器件还包括位于所述反射层与所述金属氧化物层之间的抗氧化层，其中，所述抗氧化层包括从由镍和钛组成的组中选择的至少一种元素。12.根据权利要求11所述的发光器件，其中，所述抗氧化层具有至范围的厚度。13.一种发光器件，所述发光器件包括：第一电极，包括反射层和位于所述反射层上的金属氧化物层；第二电极，与所述第一电极间...

【专利技术属性】
技术研发人员：申铉亿，杨灿佑，李周炫，金湘甲，朴俊龙，蒋胜旭，郑镇旭，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR