The application is applicable to the field of infrared optics and provides a near infrared optical device, including an LED chip, a Cr arranged on the surface of the LED chip or at the first preset distance above the LED chip.
【技术实现步骤摘要】
一种近红外光学装置
本申请属于红外光学
，尤其涉及一种近红外光学装置。
技术介绍
近年来近红外光在面部识别、虹膜识别、安防监控、激光雷达、健康检测、3D传感等领域的应用得到快速发展，其中近红外LED因其具有指向性好、功耗低以及体积小等一系列优点已然成为国际研究焦点。目前，近红外LED主要是采用近红外半导体芯片的实现方式，然而，这种实现方式具有成本高、较难获得特定波长的器件等问题。
技术实现思路
有鉴于此，本申请实施例提供了一种近红外光学装置，以解决目前近红外光学装置成本高、较难获得特定波长的近红外光的问题。本申请实施例提供了一种近红外光学装置，包括：LED芯片；设置在所述LED芯片的表面或设于所述LED芯片上方第一预设距离处的Cr3+激活的红外发光材料层；设置在所述Cr3+激活的红外发光材料层的表面或设于所述Cr3+激活的红外发光材料层上方第二预设距离处的滤光材料层。在一个实施例中，所述LED芯片为峰值波长在420nm至470nm之间的蓝光芯片。在一个实施例中，所述蓝光芯片的结构为垂直结构。在一个实施例中，所述Cr3+激活的红外发光材料层的红外发光材料的分子式为...
【技术保护点】
1.一种近红外光学装置，其特征在于，包括：LED芯片；设置在所述LED芯片的表面或设于所述LED芯片上方第一预设距离处的Cr3+激活的红外发光材料层；设置在所述Cr3+激活的红外发光材料层的表面或设于所述Cr3+激活的红外发光材料层上方第二预设距离处的滤光材料层。
【技术特征摘要】
1.一种近红外光学装置，其特征在于，包括：LED芯片；设置在所述LED芯片的表面或设于所述LED芯片上方第一预设距离处的Cr3+激活的红外发光材料层；设置在所述Cr3+激活的红外发光材料层的表面或设于所述Cr3+激活的红外发光材料层上方第二预设距离处的滤光材料层。2.如权利要求1所述的近红外光学装置，其特征在于，所述LED芯片为峰值波长在420nm至470nm之间的蓝光芯片。3.如权利要求2所述的近红外光学装置，其特征在于，所述蓝光芯片的结构为垂直结构。4.如权利要求1所述的近红外光学装置，其特征在于，所述Cr3+激活的红外发光材料层的红外发光材料的分子式为RaQbOc:Crx，Yby；其中，R为Y、La、Lu或Gd元素中的至少一种；Q为Ga或Al元素中的至少一种；2.5≤a≤3.5，4.5≤b≤5.5，11.25≤c≤13.25，0.02≤x≤0.30，0.02≤y≤0.30。5.如权利要求1所述的近红外光学装置，其特征在于，所述红外发光材料层为包括红...
【专利技术属性】
技术研发人员：麦杰平，刘庆斌，卫胜，
申请(专利权)人：国红深圳光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44
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