一种黑硅太阳能电池的制备方法及黑硅太阳能电池技术

本发明专利技术公开了一种黑硅太阳能电池的制备方法，通过提供黑硅基片；在所述黑硅基片的迎光面进行黑硅制绒；在经过黑硅制绒的迎光面设置二氧化硅层，所述设置二氧化硅层的过程中包括热稳定过程，所述热稳定过程中的通氧量为900sccm至1000sccm，包括端点值；对所述迎光面进行磷掺杂，得到N型扩散层，与所述黑硅基片形成P‑N结，对所述迎光面进行磷掺杂的过程中包括沉积过程和推进过程，所述沉积过程中的携磷源氮气流量为1000sccm至1100sccm，包括端点值；在经过磷掺杂的黑硅基片两侧设置栅线，得到所述黑硅太阳能电池。本发明专利技术实现降低组件封装端损失的效果。本发明专利技术还提供了一种具有上述有益效果的黑硅太阳能电池。

Preparation of a Black Silicon Solar Cell and Black Silicon Solar Cell

The invention discloses a preparation method of a black silicon solar cell by providing a black silicon substrate, making black silicon velvet on the light-facing side of the black silicon substrate, setting a silicon dioxide layer on the light-facing side of the black silicon velvet making, and the process of setting a silicon dioxide layer includes a thermal stabilization process, in which the oxygen flow rate is 900 SCCM to 1000 sccm, including the end point value; N-type diffusion layer is obtained by phosphorus doping on the upside, and P_N junction is formed with the black silicon substrate. The process of phosphorus doping on the upside includes deposition process and promotion process. The nitrogen flow rate of phosphorus-carrying source in the deposition process is 1000 SCCM to 1100 sccm, including end point value. The black silicon solar cells are obtained by setting grid lines on both sides of the phosphorus-doped black silicon substrate. The invention realizes the effect of reducing the loss of the package end of the component. The invention also provides a black silicon solar cell with the above beneficial effect.

【技术实现步骤摘要】
一种黑硅太阳能电池的制备方法及黑硅太阳能电池
本专利技术涉及黑硅太阳能电池领域，特别是涉及一种黑硅太阳能电池的制备方法及黑硅太阳能电池。
技术介绍
随着社会的发展，越来越多的人开始把目光放到可持续能源上，在多种可持续能源中，由于太阳能较稳定，零污染，因此格外受到广大从业人员的青睐，现有技术中，由于金刚线切割技术的引进，单晶硅片的成本降低，同时由于黑硅自身优异的性能与黑硅表面制绒技术的成熟，黑硅太阳能电池也被越来越多地运用到各种场合。但现有的技术中，存在一个问题，那就是由于黑硅制绒后特殊的绒面结构，通过常规扩散工艺得到的太阳能电池效率提升主要是因为电流提升明显，同效率档位可分为高电压低电流和低电压高电流两种情况，根据P＝I2R，电流越大，则电池在封装端的功率损失也越大，因此对于低电压高电流，在同效率档理论功率相同的情况下，其实际功率要小于高电压低电流的情况。即低电压高电流对应组件端封装损失较高，这样黑硅太阳能电池的优势因为组件端封装损失高不能完全体现出来。因此，本专利技术要解决因电流高造成的组件端封装损失高的问题，从而体现出黑硅太阳能电池的优势。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种黑本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种黑硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：提供黑硅基片；在所述黑硅基片的迎光面进行黑硅制绒；在经过黑硅制绒的迎光面设置二氧化硅层，设置二氧化硅层的过程中包括热稳定过程，所述热稳定过程中的通氧量为900sccm至1000sccm，包括端点值；对所述迎光面进行磷掺杂，得到N型扩散层，与所述黑硅基片形成P‑N结，对所述迎光面进行磷掺杂的过程中包括沉积过程和推进过程，所述沉积过程中的携磷源氮气流量为1000sccm至1100sccm，包括端点值；在经过磷掺杂的黑硅基片两侧设置栅线，得到所述黑硅太阳能电池。

【技术特征摘要】
1.一种黑硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：提供黑硅基片；在所述黑硅基片的迎光面进行黑硅制绒；在经过黑硅制绒的迎光面设置二氧化硅层，设置二氧化硅层的过程中包括热稳定过程，所述热稳定过程中的通氧量为900sccm至1000sccm，包括端点值；对所述迎光面进行磷掺杂，得到N型扩散层，与所述黑硅基片形成P-N结，对所述迎光面进行磷掺杂的过程中包括沉积过程和推进过程，所述沉积过程中的携磷源氮气流量为1000sccm至1100sccm，包括端点值；在经过磷掺杂的黑硅基片两侧设置栅线，得到所述黑硅太阳能电池。2.如权利要求1所述的黑硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述热稳定过程的温度为790摄氏度至820摄氏度，包括端点值。3.如权利要求2所述的黑硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述热稳定过程中的大氮流量为6标准状态升每分钟至9标准状态升每分钟，包括端点值。4.如权利要求3所述的黑硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述热稳定过程的热稳定处理时间为2000秒至2200秒，包括端点值。5.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈山山，凃宏波，曾庆云，王学林，徐强，
申请(专利权)人：浙江晶科能源有限公司，晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33