子像素结构及制作方法、阵列基板、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及显示器技术领域，提出一种子像素结构及制作方法、阵列基板、显示装置。该子像素结构包括透过区、显示区和半透区。透过区用于实现所述子像素结构透视；显示区设置有第一电致发光器，所述第一电致发光器的第一电极为反射电极；半透区设置有第二电致发光器，所述第二电致发光器的第一电极为透明电极。本公开设置的半透区既具有显示功能还具有透视功能，在保证透视效果的前提下可以增加子像素结构的显示亮度，从而提高显示装置的分辨率和整体亮度。

Subpixel structure and fabrication method, array substrate and display device

The invention relates to the technical field of display, and proposes a sub-pixel structure, a fabrication method, an array substrate and a display device. The sub-pixel structure includes a transmission region, a display region and a semi-permeable region. The transmission region is used to realize the perspective of the sub-pixel structure; the display region is provided with a first electroluminescent device, the first electrode of the first electroluminescent device is a reflection electrode; the semi-permeable region is provided with a second electroluminescent device, and the first electrode of the second electroluminescent device is a transparent electrode. The semi-transparent area provided in the present disclosure has both display function and perspective function, and can increase the display brightness of sub-pixel structure on the premise of guaranteeing the perspective effect, thereby improving the resolution and overall brightness of the display device.

【技术实现步骤摘要】
子像素结构及制作方法、阵列基板、显示装置
本公开涉及显示器
，尤其涉及一种子像素结构及制作方法、阵列基板、显示装置。
技术介绍
透明显示技术可以在显示器实现显示功能的同时具备透光性能，透明显示在各个领域都可以产生良好的视觉体验，目前对透明显示的需求日增，可用在车载、智能家居、商店橱窗等应用上。相关技术中，透明显示装置的一个子像素包括显示区和透过区，显示区上设置有电致发光器用于显示图像；透过区不设置发光器件用于透光透视。然而，相关技术中，透明显示装置的每一个子像素上的显示区面积较小，从而导致显示装置的分辨率低、整体亮度低的问题。需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
本公开的目的在于提供一种子像素结构及制作方法、阵列基板、显示装置，进而至少在一定程度上克服相关技术中，显示装置的分辨率低、整体亮度低的问题。根据本专利技术的一个方面，提供一种子像素结构，该子像素结构包括：透过区、显示区以及半透区。透过区用于实现所述子像素结构透视；显示区设置有第一电致发光器，所述第一电致发光器的第一电极为反射电极，所述第一电致发光器的第二电极为透明电极；半透区设置有第二电致发光器，所述第二电致发光器的第一电极和第二电极均为透明电极。在本专利技术的一种示例性实施例中，所述第一电致发光器和所述第二电致发光器为一体成型结构。在本专利技术的一种示例性实施例中，所述第一电致发光器的第一电极和所述第二电致发光器的第一电极一体设置，所述第一电致发光器和所述第二电致发光器共用同一像素驱动电路。在本专利技术的一种示例性实施例中，所述像素驱动电路包括驱动晶体管，所述驱动晶体管位于所述显示区。在本专利技术的一种示例性实施例中，所述反射电极包括第一氧化铟锡层、第二氧化铟锡层以及位于所述第一氧化铟锡层和所述第二氧化铟锡层之间的反射金属层。在本专利技术的一种示例性实施例中，所述反射金属层包括银。在本专利技术的一种示例性实施例中，所述反射电极包括金属钼层、氧化铟锡层以及位于所述金属钼层和所述氧化铟锡层之间的铝钕合金层。在本专利技术的一种示例性实施例中，所述透明电极由氧化铟锡或掺铟氧化锌组成。根据本专利技术的一个方面，提供一种子像素结构的制作方法，该方法包括：将所述子像素结构划分为显示区、半透区、透过区；在所述显示区上形成第一电致发光器，所述第一电致发光器的第一电极为反射电极，所述第一电致发光器的第二电极为透明电极；在所述半透区上形成第二电致发光器，所述第二电致发光器的第一电极和第二电极均为透明电极。在本专利技术的一种示例性实施例中，在所述显示区上形成第一电致发光器包括：在所述像素结构上形成反射电极材料层；在所述反射电极材料层上形成光刻胶层，并对所述光刻胶层进行曝光、显影，从而在所述光刻胶层上形成与所述透过区和所述半透区对应的开口图案；对所述反射电极材料层进行刻蚀，并对所述反射电极材料层上的光刻胶进行剥离，从而在所述显示区形成反射电极。在本专利技术的一种示例性实施例中，在所述显示区上形成第二电致发光器包括：在所述像素结构上形成透明电极材料层；在所述透明电极材料层上形成光刻胶层，并对所述光刻胶层进行曝光、显影，从而在所述光刻胶层上形成与所述显示区和所述透过区对应的开口图案；对所述透明电极材料层进行刻蚀，并对所述透明电极材料层上的光刻胶进行剥离，从而在所述半透区形成透明电极。根据本专利技术的一个方面，提供一种阵列基板，该阵列基板包括多个上述的子像素结构，多个所述子像素结构阵列分布。根据本专利技术的一个方面，提供一种显示装置，该显示装置包括上述的阵列基板。本专利技术提供一种子像素结构及制作方法、阵列基板、显示装置，该子像素结构包括显示区，半透区和透过区。一方面，本专利技术通过在半透区设置具有透明电极的电致发光器使得半透区既具有显示功能还具有透视功能，从而在保证透视效果的前提下可以增加子像素结构的显示亮度，从而提高显示装置的分辨率和整体亮度；另一方面，该子像素结构结构简单成本较低。应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本专利技术。附图说明此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本公开子像素结构一种示例性实施例的正视图；图2为图1中A-A处的剖视图；图3为本公开子像素结构一种示例性实施例中反射阳极的结构示意图；图4为本公开子像素结构的制作方法一种示例性实施例的流程图。具体实施方式现在将参考附图更全面地描述示例实施例。然而，示例实施例能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施例使得本专利技术将更加全面和完整，并将示例实施例的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。虽然本说明书中使用相对性的用语，例如“上”“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系，但是这些术语用于本说明书中仅出于方便，例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是，如果将图标的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。其他相对性的用语，例如“高”“低”“顶”“底”“左”“右”等也作具有类似含义。当某结构在其它结构“上”时，有可能是指某结构一体形成于其它结构上，或指某结构“直接”设置在其它结构上，或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。用语“一个”、“一”、“所述”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等。本示例性实施例提供一种子像素结构，如图1、2所示，图1为本公开子像素结构一种示例性实施例的正视图，图2为图1中A-A处的剖视图。该子像素结构包括：透过区1、显示区2以及半透区3。透过区1用于实现所述子像素结构透视；显示区2设置有第一电致发光器，所述第一电致发光器4的第一电极41(例如阳极，在下文中称作“反射阳极”)为反射电极；第二电极42(例如阴极)为透明电极，半透区3设置有第二电致发光器5，所述第二电致发光器的第一电极51(例如阳极，在下文中称作“透明阳极”)和第二电极(例如阴极)52均为透明电极。本示例性实施例提供一种子像素结构，该子像素结构包括显示区，半透区和透过区。一方面，本专利技术通过在半透区设置具有透明阳极的电致发光器使得半透区既具有显示功能还具有透视功能，从而在保证透视效果的前提下可以增加子像素结构的显示亮度，从而提高显示装置的分辨率和整体亮度；另一方面，该子像素结构结构简单成本较低。子像素结构一般包括电致发光器和像素驱动电路。如图2所示，像素驱动电路可以集成在子像素结构所在的阵列基板上。图2集中显示了像素驱动电路中驱动晶体管的结构示意图。该子像素结构可以包括依次形成于基板6上的遮光层7、缓冲层8、有源层9、栅极绝缘层10、栅极11、层间绝缘层12、封装层13、源极/漏极14、平坦层15。其中，遮光层7用于遮挡外界光线对有源层9的照射本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种子像素结构，其特征在于，包括：透过区，用于实现所述子像素结构透视；显示区，设置有第一电致发光器，所述第一电致发光器的第一电极为反射电极，所述第一电致发光器的第二电极为透明电极；半透区，设置有第二电致发光器，所述第二电致发光器的第一电极和第二电极均为透明电极。

【技术特征摘要】
1.一种子像素结构，其特征在于，包括：透过区，用于实现所述子像素结构透视；显示区，设置有第一电致发光器，所述第一电致发光器的第一电极为反射电极，所述第一电致发光器的第二电极为透明电极；半透区，设置有第二电致发光器，所述第二电致发光器的第一电极和第二电极均为透明电极。2.根据权利要求1所述的子像素结构，其特征在于，所述第一电致发光器的第一电极和所述第二电致发光器的第一电极为一体结构，所述第一电致发光器和所述第二电致发光器共用同一像素驱动电路。3.根据权利要求2所述的子像素结构，其特征在于，所述第一电致发光器和所述第二电致发光器的发光层和第二电极层为一体成型结构。4.根据权利要求2所述的子像素结构，其特征在于，所述像素驱动电路包括驱动晶体管，所述驱动晶体管位于所述显示区。5.根据权利要求1所述的子像素结构，其特征在于，所述反射电极包括第一氧化铟锡层、第二氧化铟锡层以及位于所述第一氧化铟锡层和所述第二氧化铟锡层之间的反射金属层。6.根据权利要求5所述的子像素结构，其特征在于，所述反射金属层包括银。7.根据权利要求1所述的子像素结构，其特征在于，所述反射电极包括金属钼层、氧化铟锡层以及位于所述金属钼层和所述氧化铟锡层之间的铝钕合金层。8.根据权利要求1所述的子像素结构，其特征在于，所述透明电极由氧化铟锡或掺铟氧化锌组成。9.一种子像素结构的制作方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：张星，李伟，张建业，韩影，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11