切割带一体型背面保护薄膜制造技术

本发明专利技术提供一种切割带一体型背面保护薄膜，其适于在为了于切割带(DT)上将晶圆单片化为芯片的刀具切割中、抑制在芯片侧面产生龟裂并实现在DT上将带有背面保护薄膜的芯片良好地拾取。本发明专利技术的DT一体型背面保护薄膜(X)具备作为背面保护薄膜的薄膜(10)和切割带(20)。薄膜(10)具有包含激光标记层(11)和粘接剂层(12)的层叠结构，且在激光标记层侧与切割带(20)所具有的粘合剂层(22)密合。对于在120℃下经过2小时的加热处理的薄膜(10)，对宽度10mm的薄膜试样片在规定条件下测定的、80℃下的拉伸储能模量为0.5GPa以上。在规定条件下的剥离试验中，薄膜(10)和粘合剂层(22)之间可显示出0.1N/20mm以下的粘合力。

Cutting strip integrated back protection film

The invention provides an integrated backside protective film for cutting tape, which is suitable for cutting a cutting tool for turning a wafer monolithic into a chip for cutting tape (DT), suppressing cracks on the side of the chip and realizing good picking up of the chip with backside protective film on DT. The DT integrated back protection film (X) of the invention has a film (10) and a cutting band (20) as a back protection film. The thin film (10) has a laminated structure comprising a laser marking layer (11) and an adhesive layer (12), and is close to the adhesive layer (22) of the cutting belt (20) on the side of the laser marking layer. For the film (10) heated at 120 for 2 hours, the tensile storage modulus of the film specimen with 10 mm width measured under specified conditions at 80 is above 0.5 GPa. In the peeling test under specified conditions, the adhesion between the film (10) and the adhesive layer (22) is less than 0.1N/20mm.

【技术实现步骤摘要】
切割带一体型背面保护薄膜
本专利技术涉及能够在半导体装置的制造过程中使用的切割带一体型背面保护薄膜。
技术介绍
在制造具备要进行倒装芯片安装的半导体芯片的半导体装置时，有时使用用于在该芯片的所谓的背面形成保护膜的薄膜(背面保护薄膜)。这样的背面保护薄膜有时以与切割带一体化的形态提供。现有的切割带一体型背面保护薄膜例如具有：包含基材和粘合剂层的层叠结构的切割带、以及以能剥离的方式与该粘合剂层密合的热固性的背面保护薄膜。这样的切割带一体型背面保护薄膜例如以如下方式来使用。首先，切割带一体型背面保护薄膜中的背面保护薄膜面被贴合至作为工件的半导体晶圆上。接着，为了提高背面保护薄膜相对于该晶圆的密合力，通过加热使背面保护薄膜热固化(固化工序)。接着，在切割带一体型背面保护薄膜上保持有该晶圆的状态下进行用于使晶圆单片化为芯片的刀片切割(切割工序)。切割工序中，相对于晶圆和与其密合的背面保护薄膜，沿着晶圆上的切断预定线进行利用切割刀片的切削。由此，在切割带上，晶圆被切断而单片化为芯片，且背面保护薄膜被切断成相当于芯片大小的薄膜小片。即，经过切割工序而得到的芯片制成伴有用于在其背面形成保护膜的薄膜的形态。接着，经过清洗工序后，从切割带上拾取带有薄膜的芯片(拾取工序)。此时，作为拾取对象的带有薄膜的芯片中的薄膜需要从切割带的粘合剂层上适宜地剥离。现有的切割带一体型背面保护薄膜例如以如上方式来使用。涉及这样的切割带一体型背面保护薄膜的技术记载于例如下述专利文献1、2中。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2011-151360号公报专利文献2：国际公开第2014/092200号
技术实现思路
专利技术要解决的问题关于上述切割工序，已知：有在受到基于切割刀片的切削加工的晶圆上的背面保护薄膜侧的区域产生龟裂的情况；背面保护薄膜相对于晶圆的密合力或固定保持力越低越容易产生这样的龟裂。认为在背面保护薄膜固定保持晶圆的力不充分的情况下，起因于通过切割刀片进行切削加工时的冲击、摩擦而在晶圆切截面即芯片侧面形成的微小缺损(破片)、微小的裂纹会发展为龟裂。因此，在使用现有的切割带一体型背面保护薄膜的过程中，需要上述那样的用于提高背面保护薄膜相对于晶圆的密合力的固化工序。然而，在上述固化工序中，虽然通过对背面保护薄膜进行热固化而使该薄膜相对于晶圆的密合力提高，但也使背面保护薄膜相对于切割带或其粘合剂层的密合力上升。这样的密合力的上升在固化工序之后的拾取工序中有时会阻碍从切割带粘合剂层剥离带有薄膜的芯片的薄膜，因此，有时会阻碍带有薄膜的芯片的拾取。本专利技术是基于以上那样的情况而设计出的，其目的在于提供一种切割带一体型背面保护薄膜，其适于在用于在切割带上将晶圆单片化为芯片的刀片切割中抑制在芯片侧面产生龟裂、且实现从切割带上良好地拾取带有背面保护薄膜的芯片。用于解决问题的方案根据本专利技术，可提供一种切割带一体型背面保护薄膜。该切割带一体型背面保护薄膜具备切割带和背面保护薄膜。切割带具有包含基材和粘合剂层的层叠结构。背面保护薄膜具有包含用于形成标记对象面的激光标记层和用于形成工件贴附面的粘接剂层的层叠结构，且在激光标记层侧以能剥离的方式与切割带的粘合剂层密合。该背面保护薄膜在120℃下经过2小时的加热处理时，对宽度10mm的背面保护薄膜试样片在初始卡盘间距22.5mm、频率1Hz和升温速度10℃/分钟的条件下测定的、80℃下的拉伸储能模量为0.5GPa以上、优选为0.75GPa以上、更优选为1GPa以上。背面保护薄膜试样片的厚度例如为25μm。与此同时，背面保护薄膜和切割带的粘合剂层之间在23℃、剥离角度180°和拉伸速度300mm/分钟的条件下的剥离试验中可以显示出0.1N/20mm以下、优选为0.08N/20mm以下、更优选为0.06N/20mm以下的粘合力。这种构成的切割带一体型背面保护薄膜在半导体装置的制造过程中可以用于得到伴有芯片背面保护膜形成用的薄膜的半导体芯片。如上所述，本切割带一体型背面保护薄膜中的背面保护薄膜具有包含与切割带的粘合剂层密合的激光标记层、以及用于形成工件贴附面的粘接剂层的层叠结构。即，在本切割带一体型背面保护薄膜的背面保护薄膜中，密合于切割带的层与用于形成工件贴附面的层不同。这样的背面保护薄膜适合采用如下的层叠结构：通过在120℃下2小时的加热处理，用于形成工件贴附面的粘接剂层热固化，而与切割带密合的激光标记层实质上不热固化。背面保护薄膜中，通过在120℃下2小时的加热处理而实质上不热固化的层中包含已经固化的热固化型层。如上所述，本切割带一体型背面保护薄膜中的背面保护薄膜在经历120℃下2小时的加热处理时，对宽度10mm的背面保护薄膜试样片在初始卡盘间距22.5mm、频率1Hz和升温速度10℃/分钟的条件下测定的、80℃下的拉伸储能模量为0.5GPa以上、优选为0.75GPa以上、更优选为1GPa以上。这种构成适于在切割带一体型背面保护薄膜中确保切割工序所要求的相对于晶圆的固定保持力。对于背面保护薄膜，通过在120℃下2小时的加热处理而得到如上所述那样的比较高的拉伸储能模量这样的构成适合于将本切割带一体型背面保护薄膜的背面保护薄膜面贴合于半导体晶圆后使该背面保护薄膜热固化而实现相对于晶圆的高固定保持力。对于具备适合于确保切割工序所要求的相对于晶圆的固定保持力的该构成的本切割带一体型背面保护薄膜，其适于抑制在切割带上进行用于将晶圆单片化为芯片的刀片切割中在芯片侧面产生龟裂。此外，同时具备适于确保切割工序所要求的相对于晶圆的固定保持力的构成、以及适于采用通过在120℃下2小时的加热处理使粘接剂层热固化而激光标记层实质上不热固化这样的层叠结构的上述构成的、本切割带一体型背面保护薄膜会抑制该背面保护薄膜相对于切割带密合力的上升，并且适于通过加热处理来确保相对于晶圆的固定保持力。在背面保护薄膜中，用于确保相对于晶圆的固定保持力的加热处理时抑制相对于切割带的密合力的上升的构成有助于在拾取工序中从切割带上适宜地拾取带有背面保护薄膜的芯片。如上所述，本切割带一体型背面保护薄膜中的背面保护薄膜(上述加热处理前的背面保护薄膜)和切割带的粘合剂层之间在23℃、剥离角度180°和拉伸速度300mm/分钟的条件下的剥离试验中能够显示出0.1N/20mm以下、优选0.8N/20mm以下、更优选0.6N/20mm以下的粘合力。本切割带一体型背面保护薄膜的构成为：在切割带的粘合剂层是含有辐射线固化性粘合剂的固化型的粘合剂层时，背面保护薄膜与固化后粘合剂层之间的粘合力采用这样的值。同时具备背面保护薄膜和切割带粘合剂层之间的这样的低粘合力的构成、以及适于采用通过在120℃下2小时的加热处理使粘接剂层热固化而激光标记层实质上不热固化这样的层叠结构的上述构成的、本切割带一体型背面保护薄膜，在进行用于确保该背面保护薄膜相对于晶圆的固定保持力的加热处理时会抑制相对于切割带的密合力的上升，在此基础上适于实现在拾取工序中从切割带上良好地拾取带有背面保护薄膜的芯片。如上所述，本专利技术的切割带一体型背面保护薄膜适于抑制在切割带上进行用于将晶圆单片化为芯片的刀片切割中在芯片侧面产生龟裂，并且适于实现从切割带上良好地拾取带有背面保护薄膜的芯片。本切割带一体型背面保护薄膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种切割带一体型背面保护薄膜，其具备：具有包含基材和粘合剂层的层叠结构的切割带；及具有包含激光标记层和粘接剂层的层叠结构、且在所述激光标记层侧以能剥离的方式与所述切割带的所述粘合剂层密合的背面保护薄膜，120℃下经过2小时加热处理的所述背面保护薄膜的、对宽度10mm的背面保护薄膜试样片在初始卡盘间距22.5mm、频率1Hz和升温速度10℃/分钟的条件下测定的、80℃下的拉伸储能模量为0.5GPa以上，在23℃、剥离角度180°和拉伸速度300mm/分钟的条件下的剥离试验中，所述背面保护薄膜与所述粘合剂层之间能显示出0.1N/20mm以下的粘合力。

【技术特征摘要】
2017.06.27 JP 2017-1247011.一种切割带一体型背面保护薄膜，其具备：具有包含基材和粘合剂层的层叠结构的切割带；及具有包含激光标记层和粘接剂层的层叠结构、且在所述激光标记层侧以能剥离的方式与所述切割带的所述粘合剂层密合的背面保护薄膜，120℃下经过2小时加热处理的所述背面保护薄膜的、对宽度10mm的背面保护薄膜试样片在初始卡盘间距22.5mm、频率1Hz和升温速度10℃/分钟的条件下测定的、80℃下的拉伸储能模量为0.5GPa以上，在23℃、剥离角度180°和拉伸速度300mm/分钟的条件下的剥离试验中，所述背面保护薄膜与所述粘合剂层之间能显示出0.1N/20mm以下的粘合力。2.根据权利要求1所述的切割带...

【专利技术属性】
技术研发人员：木村龙一，志贺豪士，高本尚英，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP