阵列基板及其制造方法、显示面板技术

本申请公开一种阵列基板及其制造方法、显示面板。本申请设计开关TFT采用非晶硅图案，而驱动TFT采用基于LTPS技术的多晶硅图案，相比较于两TFT均采用基于LTPS技术的多晶硅图案，能够降低生产成本，并且驱动TFT的栅极图案与遮光图案电连接，其遮光图案从栅极图案获取正电压，该遮光图案与多晶硅图案形成电容，从而能够减小该驱动TFT的漏电流，以此改善驱动TFT的电学性能。

Array Substrate and Its Manufacturing Method and Display Panel

The present application discloses an array substrate, a manufacturing method thereof and a display panel. In this application, the switch TFT is designed with amorphous silicon pattern, while the drive TFT adopts polycrystalline silicon pattern based on LTPS technology. Compared with the two TFTs, which both adopt polycrystalline silicon pattern based on LTPS technology, the cost of production can be reduced, and the grid pattern of the drive TFT is electrically connected with the shading pattern. The shading pattern obtains positive voltage from the grid pattern, and the shading pattern forms a capacitance with the polycrystalline silicon pattern. Thus, the leakage current of the driving TFT can be reduced, and the electrical performance of the driving TFT can be improved.

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制造方法、显示面板
本申请涉及显示领域，具体涉及一种阵列基板及其制造方法、显示面板。
技术介绍
OLED(OrganicLight-EmittingDiode,有机发光二极管)显示面板具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、以及可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最优发展潜力的显示面板。现有OLED显示面板的像素驱动电路一般包括开关TFT(ThinFilmTransistor,薄膜晶体管)，即SwitchTFT，驱动TFT(DriverTFT)，以及存储电容，其中，开关TFT由扫描信号控制，用于控制数据信号的进入，驱动TFT用于控制通过OLED器件的电流，存储电容一般用于存储灰阶电压以决定驱动TFT的驱动电流。当前，包括WOLED(whiteorganiclight-emittingdevices,白光有机发光二极管)在内的OLED显示面板一般采用LTPS(LowTemperaturePoly-silicon,低温多晶硅)技术来制作上述TFT，但LTPS技术工艺复杂，这无疑会导致生产成本较高，且基于LTPS技术的多晶硅图案的电子移动率较高，各TFT的漏电流较大，从而影响各TFT的电学性能。
技术实现思路
鉴于此，本申请提供一种阵列基板及其制造方法、显示面板，能够降低生产成本，降低驱动TFT的漏电流，改善驱动TFT的电学性能。本申请一实施例的阵列基板的制造方法，包括：提供一衬底基板，所述衬底基板的上方包括沿平行于衬底基板的方向相邻的第一区域和第二区域；在衬底基板上依次形成第一导电层和缓冲层，所述第一导电层包括位于第一区域的第一遮光图案和第二区域的第二遮光图案；在所述缓冲层上形成位于所述第一遮光图案上方的非晶硅图案、以及位于所述第二遮光图案上方的多晶硅图案；依次形成绝缘层和第二导电层，所述绝缘层包括位于非晶硅图案上方的第一绝缘图案和位于多晶硅图案上方的第二绝缘图案，所述第二导电层包括位于第一绝缘图案上方的第一栅极图案和位于第二绝缘图案上方的第二栅极图案，所述第二栅极图案与第二遮光图案电连接；形成覆盖所述第二导电层、非晶硅图案、多晶硅图案和缓冲层的介电层，所述介电层在所述第一区域设有第一接触孔和第二接触孔、以及在所述第二区域设有第三接触孔和第四接触孔；在所述介电层上形成第三导电层，所述第三导电层包括位于第一区域的第一源极图案和第一漏极图案、位于第二区域的第二源极图案和第二漏极图案，所述第一源极图案和第一漏极图案分别覆盖第一接触孔和第二接触孔并与非晶硅图案接触，所述第二源极图案和第二漏极图案分别覆盖第三接触孔和第四接触孔并与多晶硅图案接触；在所述第三导电层上形成平坦钝化层，所述平坦钝化层开设有第五接触孔；在所述平坦钝化层上形成阳极图案，所述阳极图案覆盖所述第五接触孔并与所述第二漏极图案接触；在所述平坦钝化层上形成像素定义层，所述像素定义层设有用于限定所述阵列基板的发光区；在所述发光区依次形成位于阳极图案上的发光层和阴极图案。本申请一实施例的阵列基板，包括：衬底基板，所述衬底基板的上方包括沿平行于衬底基板的方向相邻的第一区域和第二区域；依次形成于所述衬底基板上的第一导电层和缓冲层，所述第一导电层包括位于第一区域的第一遮光图案和第二区域的第二遮光图案；形成于所述缓冲层上且位于所述第一遮光图案上方的非晶硅图案、以及位于所述第二遮光图案上方的多晶硅图案；绝缘层和第二导电层，所述绝缘层包括位于非晶硅图案上方的第一绝缘图案和位于多晶硅图案上方的第二绝缘图案，所述第二导电层包括位于第一绝缘图案上方的第一栅极图案和位于第二绝缘图案上方的第二栅极图案，所述第二栅极图案与第二遮光图案电连接；覆盖所述第二导电层、非晶硅图案、多晶硅图案和缓冲层的介电层，所述介电层在所述第一区域设有第一接触孔和第二接触孔、以及在所述第二区域设有第三接触孔和第四接触孔；形成于所述介电层上的第三导电层，所述第三导电层包括位于第一区域的第一源极图案和第一漏极图案、位于第二区域的第二源极图案和第二漏极图案，所述第一源极图案和第一漏极图案分别覆盖第一接触孔和第二接触孔并与非晶硅图案接触，所述第二源极图案和第二漏极图案分别覆盖第三接触孔和第四接触孔并与多晶硅图案接触；形成于所述第三导电层上且开设有第五接触孔的平坦钝化层；形成于所述平坦钝化层上的阳极图案，所述阳极图案覆盖所述第五接触孔并与所述第二漏极图案接触；形成于所述平坦钝化层上的像素定义层，所述像素定义层设有用于限定所述阵列基板的发光区；依次形成于所述发光区且位于阳极图案上的发光层和阴极图案。本申请一实施例的显示面板，包括上述阵列基板。有益效果：本申请设计开关TFT采用非晶硅图案，而驱动TFT采用基于LTPS技术的多晶硅图案，相比较于两者均采用多晶硅图案，能够降低生产成本，并且驱动TFT的栅极图案与遮光图案电连接，其遮光图案从栅极图案获取正电压，该遮光图案与多晶硅图案形成电容，从而能够减小该驱动TFT的漏电流，以此改善驱动TFT的电学性能。附图说明图1是本申请的阵列基板的制造方法一实施例的流程示意图；图2是基于图1所示方法制造阵列基板的场景示意图；图3是本申请一实施例的阵列基板的结构示意图。具体实施方式下面结合本申请实施例中的附图，对本申请所提供的各个示例性的实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。在不冲突的情况下，下述各个实施例以及实施例中的特征可以相互组合。并且，本申请全文所采用的方向性术语，例如“上”、“下”等，均是为了更好的描述各个实施例的技术方案，并非用于限制本申请的保护范围。图1是本申请的阵列基板的制造方法一实施例的流程示意图，图2是基于图1所示方法制造阵列基板的场景示意图。结合图1和图2所示，所述制造方法可以包括如下步骤S11～S20。S11：提供一衬底基板，所述衬底基板的上方包括沿平行于衬底基板的方向相邻的第一区域和第二区域。所述衬底基板20可以为玻璃基体、塑料基体或可挠式基体，而对于制造柔性OLED显示面板的阵列基板的场景，该衬底基板20也可以为柔性基板，例如PI(Polyimide,聚酰亚胺)基板。该衬底基板20的上方包括相邻的第一区域201和第二区域202，该第一区域201为阵列基板的开关TFT所在区域，第二区域202为阵列基板的驱动TFT所在区域，其中，开关TFT由扫描信号控制以控制数据信号的进入，驱动TFT用于控制通过OLED器件的电流。S12：在衬底基板上依次形成第一导电层和缓冲层，所述第一导电层包括位于第一区域的第一遮光图案和第二区域的第二遮光图案。所述第一遮光图案(LightShieldingMetal,LS)211和第二遮光图案212的材质可以相同，例如均为钼、铝、铜或钛，也可以为金属合金，两者的厚度也可以相同，例如厚度均为本申请可以通过一道光罩制程Mask-1形成该第一遮光图案211和第二遮光图案212。具体地，对衬底基板20进行清洗及烘干后，在衬底基板20上形成一整面导电层，接着在导电层上涂布一整面光刻胶，然后采用光罩对所述一整面光刻胶进行曝光及显影处理，被曝光的光刻胶在显影时被灰化去除，而未被曝光的光刻胶在显影之后仍被保留于衬底基板20上，接着，刻蚀去除未被光刻胶覆盖的导电层，最后去除剩余的光刻胶，即可得本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供一衬底基板，所述衬底基板的上方包括沿平行于衬底基板的方向相邻的第一区域和第二区域；在衬底基板上依次形成第一导电层和缓冲层，所述第一导电层包括位于第一区域的第一遮光图案和第二区域的第二遮光图案；在所述缓冲层上形成位于所述第一遮光图案上方的非晶硅图案、以及位于所述第二遮光图案上方的多晶硅图案；依次形成绝缘层和第二导电层，所述绝缘层包括位于非晶硅图案上方的第一绝缘图案和位于多晶硅图案上方的第二绝缘图案，所述第二导电层包括位于第一绝缘图案上方的第一栅极图案和位于第二绝缘图案上方的第二栅极图案，所述第二栅极图案与第二遮光图案电连接；形成覆盖所述第二导电层、非晶硅图案、多晶硅图案和缓冲层的介电层，所述介电层在所述第一区域设有第一接触孔和第二接触孔、以及在所述第二区域设有第三接触孔和第四接触孔；在所述介电层上形成第三导电层，所述第三导电层包括位于第一区域的第一源极图案和第一漏极图案、位于第二区域的第二源极图案和第二漏极图案，所述第一源极图案和第一漏极图案分别覆盖第一接触孔和第二接触孔并与非晶硅图案接触，所述第二源极图案和第二漏极图案分别覆盖第三接触孔和第四接触孔并与多晶硅图案接触；在所述第三导电层上形成平坦钝化层，所述平坦钝化层开设有第五接触孔；在所述平坦钝化层上形成阳极图案，所述阳极图案覆盖所述第五接触孔并与所述第二漏极图案接触；在所述平坦钝化层上形成像素定义层，所述像素定义层设有用于限定所述阵列基板的发光区；在所述发光区依次形成位于阳极图案上的发光层和阴极图案。...

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供一衬底基板，所述衬底基板的上方包括沿平行于衬底基板的方向相邻的第一区域和第二区域；在衬底基板上依次形成第一导电层和缓冲层，所述第一导电层包括位于第一区域的第一遮光图案和第二区域的第二遮光图案；在所述缓冲层上形成位于所述第一遮光图案上方的非晶硅图案、以及位于所述第二遮光图案上方的多晶硅图案；依次形成绝缘层和第二导电层，所述绝缘层包括位于非晶硅图案上方的第一绝缘图案和位于多晶硅图案上方的第二绝缘图案，所述第二导电层包括位于第一绝缘图案上方的第一栅极图案和位于第二绝缘图案上方的第二栅极图案，所述第二栅极图案与第二遮光图案电连接；形成覆盖所述第二导电层、非晶硅图案、多晶硅图案和缓冲层的介电层，所述介电层在所述第一区域设有第一接触孔和第二接触孔、以及在所述第二区域设有第三接触孔和第四接触孔；在所述介电层上形成第三导电层，所述第三导电层包括位于第一区域的第一源极图案和第一漏极图案、位于第二区域的第二源极图案和第二漏极图案，所述第一源极图案和第一漏极图案分别覆盖第一接触孔和第二接触孔并与非晶硅图案接触，所述第二源极图案和第二漏极图案分别覆盖第三接触孔和第四接触孔并与多晶硅图案接触；在所述第三导电层上形成平坦钝化层，所述平坦钝化层开设有第五接触孔；在所述平坦钝化层上形成阳极图案，所述阳极图案覆盖所述第五接触孔并与所述第二漏极图案接触；在所述平坦钝化层上形成像素定义层，所述像素定义层设有用于限定所述阵列基板的发光区；在所述发光区依次形成位于阳极图案上的发光层和阴极图案。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底基板的上方还包括第三区域，所述第一导电层还包括位于所述第三区域的第三遮光图案，所述绝缘层还包括位于所述第三区域且位于所述第三遮光图案上方的第三绝缘图案，所述第二导电层还包括位于所述第三区域且位于所述第三绝缘图案上的第三栅极图案，所述第三导电层还包括位于所述第三区域且位于所述第三栅极图案上方的存储电极图案。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述缓冲层上形成位于所述第一遮光图案上方的非晶硅图案、以及位于所述第二遮光图案上方的多晶硅图案这一步骤，包括：在所述缓冲层上形成位于所述第一遮光图案上方的非晶硅图案、以及位于所述第二遮光图案上方的非晶硅图案；对位于所述第二遮光图案上方的非晶硅图案进行结晶处理，以得到所述多晶硅图案。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，通过同一道图案化制程在所述缓冲层上形成位于所述第一遮光图案上方的非晶硅图案、以及位于所述第二遮光图案上方的非晶硅图案。5.根据权利要求1所述的方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖辉，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44