存储器及其形成方法、半导体器件技术

本发明专利技术提供了一种存储器及其形成方法、半导体器件。利用对应字线图形的第一掩膜层自对准地形成掩膜支撑体和牺牲层，并结合第二掩膜层自对准地形成一空腔，以界定出存储节点接触和位线接触的形成区域，进而在掩膜支撑体和牺牲层的隔离屏障的作用下，能够在空腔中依次形成存储节点接触和位线接触。即，在形成存储节点接触和位线接触的过程中，仅利用了一道光刻工艺，减少了光刻工艺的执行次数，避免了由于多次光刻工艺而产生较大位移偏差的问题，进而可减小存储节点接触和存储节点接触区之间、以及位线接触和位线接触区之间的接触电阻。

Memory and Its Formation Method, Semiconductor Device

The invention provides a memory, a forming method thereof and a semiconductor device. The mask support and sacrificial layer are self-aligned by the first mask layer corresponding to the zigzag pattern, and a cavity is formed by combining the second mask layer with self-alignment to define the forming area of the contact between storage nodes and bit lines. Under the isolation barrier of the mask support and sacrificial layer, the contact between storage nodes and bit lines can be formed successively in the cavity. That is to say, in the process of forming contact between storage nodes and bit-line, only one lithography process is used, which reduces the number of times of lithography process execution, avoids the problem of large displacement deviation caused by multiple lithography processes, and then reduces the contact resistance between storage nodes and contact areas of storage nodes, as well as between bit-line contact areas and bit-line contact areas.

【技术实现步骤摘要】
存储器及其形成方法、半导体器件
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种存储器及其形成方法、半导体器件。
技术介绍
存储器通常包括存储电容器以及连接到所述存储元件的存储晶体管，所述存储电容器用来存储代表存储信息的电荷。所述存储晶体管中形成有源区、漏区和栅极，所述栅极用于控制所述源区和漏区之间的电流流动，并连接至字线，所述源区用于构成位线接触区，以连接至位线，所述漏区用于构成存储节点接触区，以连接至存储电容器。通常，在形成字线之后，还需在所述位线接触区上需形成一位线接触，进而通过所述位线接触连接至所述位线，以及，在存储节点接触区上需形成一存储节点接触，进而通过所述存储节点接触连接至所述存储电容器。目前，在形成位线接触和存储节点接触时，两者是分别制备的。例如，首先执行光刻工艺和刻蚀工艺，以形成对应位线接触区的第一接触孔；接着，在所述第一接触孔中填充位线接触材料，以形成位线接触；再接着，再次执行光刻工艺和刻蚀工艺，以形成对应存储节点接触区的第二接触孔；最后，在所述第二接触孔中填充存储节点接触材料，以形成存储节点接触。由此可见，在形成位线接触和存储节点接触时需利用多次光刻工艺形成。此外，对本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底上定义有多个相对于预定方向倾斜排布的有源区以及在所述有源区之间的隔离结构，所述有源区上定义有一用于形成位线接触区的第一区域和至少一用于形成存储节点接触区的第二区域，在所述预定方向上，分别对应不同有源区的一个所述第一区域和两个所述第二区域紧邻排布，以构成一接触区数组，在所述接触区数组中，两个所述第二区域分别布置在所述第一区域的两侧；形成一第一掩膜层在所述衬底上，所述第一掩膜层中形成有多个对应字线且沿所述预定方向延伸的第一开口，并形成多条字线在对应所述第一开口的所述衬底中，所述字线的表面不高于所述衬底的表面，在两条相邻的所述字线之间对...

【技术特征摘要】
1.一种存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底上定义有多个相对于预定方向倾斜排布的有源区以及在所述有源区之间的隔离结构，所述有源区上定义有一用于形成位线接触区的第一区域和至少一用于形成存储节点接触区的第二区域，在所述预定方向上，分别对应不同有源区的一个所述第一区域和两个所述第二区域紧邻排布，以构成一接触区数组，在所述接触区数组中，两个所述第二区域分别布置在所述第一区域的两侧；形成一第一掩膜层在所述衬底上，所述第一掩膜层中形成有多个对应字线且沿所述预定方向延伸的第一开口，并形成多条字线在对应所述第一开口的所述衬底中，所述字线的表面不高于所述衬底的表面，在两条相邻的所述字线之间对应有多组所述接触区数组，在垂直于所述预定方向上，相邻的所述接触区数组分别布置在所述字线的两侧；形成一掩膜支撑体在所述第一开口中以覆盖所述字线，所述掩膜支撑体的表面高于所述衬底的表面；以所述第一掩膜层作为牺牲层，或者去除所述第一掩膜层并在对应所述第一掩膜层的区域中形成牺牲层；形成一第二掩膜层在所述牺牲层和所述掩膜支撑体上，所述第二掩膜层中形成有一第二开口以暴露出所述第一区域中的所述牺牲层，并通过所述第二开口去除部分所述牺牲层，以形成一大于所述第二开口的空腔，所述空腔中暴露有所述衬底的所述接触区数组；通过所述第二开口填充一第一导电层在所述空腔中的第二区域中，且所述第一导电层与所述第二区域的所述衬底电性连接，以构成存储节点接触，在所述空腔中的两个所述存储节点接触和所述掩膜支撑体共同界定出一凹槽，通过所述凹槽暴露出所述第一区域的衬底；以及，形成一间隔绝缘层在所述凹槽的侧壁上，并在所述凹槽中填充第二导电层，所述第二导电层与所述第一区域的所述衬底电性连接，以构成位线接触。2.如权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，利用所述第一掩膜层形成所述掩膜支撑体的方法包括：以所述第一掩膜层为掩膜刻蚀所述衬底，以形成一对应所述第一开口的字线沟槽在所述衬底中；填充字线材料在所述字线沟槽中，以形成沿所述预定方向延伸的所述字线，所述字线的表面不高于所述衬底的表面；及填充一支撑材料层在所述字线沟槽和所述第一开口中，以形成所述掩膜支撑体。3.如权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述第二开口在预定方向上的尺寸，大于等于所述第一区域在所述预定方向上的尺寸，且小于所述接触区数组中两个所述第二区域的间距所对应的尺寸。4.如权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述第二开口在垂直于预定方向上的尺寸，小于两个相邻的所述掩膜支撑体在相互背离的两个侧壁之间的距离，且大于等于两个相邻的所述掩膜支撑体在相互靠近的两个侧壁之间的距离。5.如权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述空腔的形成方法包括：以所述第二掩膜层为掩膜执行第一次刻蚀工艺，以沿着高度方向刻蚀暴露出的所述牺牲层，从而形成一对应所述第二开口的沟槽在所述牺牲层中；及执行第二次刻蚀工艺，使刻蚀剂通过所述第二开口并沿着垂直于高度方向横向刻蚀所述牺牲层，以形成所述空腔。6.如权利要求5所述的存储器的形成方法，其特征在于，在所述第二次刻蚀工艺中，对所述掩膜支撑体和所述牺牲层的刻蚀选择比为1:10～1:10000。7.如权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，形成所述存储节点接触并构成所述凹槽的方法包括：通过所述第二开口填充第一导电层在所述空腔中；及以所述第二掩膜层为掩膜刻蚀所述第一导电层，以暴露出所述第一区域的所述衬底，并使刻蚀后的所述第一导电层形成在所述空腔中的两个所述第二区域中，以形成所述存储节点接触，所述存储节点接触与所述掩膜支撑体共同界定出所述凹槽。8.如权利要求7所述的存储器的形成方法，其特征在于，在形成所述存储节点接触之后，还包括：刻蚀暴露出的所述第一区域的所述衬底，以形成一凹陷在所述衬底中。9.如权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，在去除所述第一掩膜层之后，并在对应所述第一掩膜层的区域中形成所述牺牲层之前，还包括：对暴露出的所述衬底执行离子掺杂工艺，以在所...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34