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本发明提供了一种存储器及其形成方法、半导体器件。利用对应字线图形的第一掩膜层自对准地形成掩膜支撑体和牺牲层，并结合第二掩膜层自对准地形成一空腔，以界定出存储节点接触和位线接触的形成区域，进而在掩膜支撑体和牺牲层的隔离屏障的作用下，能够在空腔...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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