基于α/β-Ga2O3相结的自供电日盲紫外探测器制造技术

本发明专利技术提供一种基于α/β‑Ga2O3相结的自供电日盲紫外探测器，包括α/β‑Ga2O3相结纳米柱阵列光阳极，所述α/β‑Ga2O3相结纳米柱为通过水热法、高温退火和快速高温退火法生长在衬底上的纳米柱阵列。本发明专利技术所制备的α/β‑Ga2O3相结纳米柱阵列形貌可控、尺寸均匀，具有较大的比表面积，且制备工艺简单、成本低廉、易大规模生产等优点。本发明专利技术提出的基于α/β‑Ga2O3相结日盲紫外探测器，具有自供电、光谱选择性好的特点，对日盲紫外光具有响应度大、灵敏度高等特性。

Self-powered solar-blind ultraviolet detector based on a/beta-Ga2O3 junction

The invention provides a self-powered solar-blind ultraviolet detector based on a/beta Ga2O3 phase junction, including a/beta Ga2O3 phase junction nano-column array photoanode. The alpha/beta Ga2O3 phase junction nano-column array is a nano-column array grown on a substrate by hydrothermal method, high temperature annealing and rapid high temperature annealing. The prepared alpha/beta Ga2O3 phase junction nanocolumn array has the advantages of controllable morphology, uniform size, large specific surface area, simple preparation process, low cost and easy mass production. The solar-blind ultraviolet detector based on a/beta Ga2O3 phase junction has the characteristics of self-power supply, good spectral selectivity, high responsiveness and high sensitivity to solar-blind ultraviolet light.

【技术实现步骤摘要】
基于α/β-Ga2O3相结的自供电日盲紫外探测器
本专利技术属于光电转换
，具体涉及一种自供电的日盲紫外探测器。
技术介绍
由于臭氧层的吸收，在近地球表面几乎不存在波长介于200-280nm的深紫外光，称之为日盲区，针对该光波段的信号探测被称为日盲紫外探测。由于不受太阳光背景的影响，日盲紫外探测可以全天候工作，具有灵敏度高、虚警率低的特点，是继红外和激光探测技术之后发展起来的又一军民两用的光电探测技术。日盲紫外探测技术的核心部件是日盲紫外探测器，理想的探测器需要满足5S的要求，即：灵敏度高(sensitivity)，信噪比大(signal-to-noiseratio)，光谱选择理想(spectralselectivity)，响应速度快(photoresponsespeed)，稳定性好(stability)。目前市面上常用的日盲紫外探测器有体积大功耗高的真空紫外光电倍增管、外加有昂贵滤波片的硅基光电探测器等。基于宽禁带半导体材料的固态日盲紫外探测器则具有体积小、重量轻、功耗低、增益高、响应快、信噪比大、耐冲击、抗振动以及不受磁场影响、便于集成等优点，近十年来一直是国际化合物半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于α/β‑Ga2O3相结的自供电日盲紫外探测器，其特征在于，包括α/β‑Ga2O3相结纳米柱阵列光阳极，所述α/β‑Ga2O3相结纳米柱为通过水热法、高温退火和快速高温退火法生长在衬底上的纳米柱阵列。

【技术特征摘要】
1.一种基于α/β-Ga2O3相结的自供电日盲紫外探测器，其特征在于，包括α/β-Ga2O3相结纳米柱阵列光阳极，所述α/β-Ga2O3相结纳米柱为通过水热法、高温退火和快速高温退火法生长在衬底上的纳米柱阵列。2.根据权利要求1所述的自供电日盲紫外探测器，其特征在于，所述衬底为掺氟的SnO2透明导电FTO衬底、掺铟的SnO2透明导电ITO电极、掺铝的ZnO透明导电AZO电极中的一种；衬底的透明导电薄膜厚度为300～400nm，透光率85～95％。3.根据权利要求1所述的自供电日盲紫外探测器，其特征在于，所述的α/β-Ga2O3相结纳米柱的横截面为四边形或近似四边形，纳米柱高为1～2μm，横截面对角线长度为80～500nm。4.根据权利要求1所述的自供电日盲紫外探测器，其特征在于，所述α/β-Ga2O3相结纳米柱阵列光阳极在254nm波长的光照下，当工作电压为0V时，产生的光电流密度范围为5.0～15.0μA/cm2。5.根据权利要求1～4任一项所述的自供电日盲紫外探测器，其特征在于，所述α/β-Ga2O3相结纳米柱通过水热法、高温退火和快速高温退火法生长，其中水热法为：将衬底放入高压反应釜内，加入含有可溶镓盐的生长溶液，拧紧反应釜，置于温度100～200℃下加热6～12个小时，得到GaOOH纳米柱阵列；高温退火为：在400～600℃温度下退火3～6个小时；快速高温退火法为：在700℃下退火5min～30min。6.根据权利要求5所述的自供电日盲紫...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭道友，
申请(专利权)人：北京镓族科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11