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本发明提供一种基于α/β‑Ga2O3相结的自供电日盲紫外探测器，包括α/β‑Ga2O3相结纳米柱阵列光阳极，所述α/β‑Ga2O3相结纳米柱为通过水热法、高温退火和快速高温退火法生长在衬底上的纳米柱阵列。本发明所制备的α/β‑Ga2O3相结...
该专利属于北京镓族科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京镓族科技有限公司授权不得商用。

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