熔丝阵列和存储器装置制造方法及图纸

根据本发明专利技术的一实施例提供了一种熔丝阵列和存储器装置，熔丝阵列包括多个熔丝以及多个第一D型触发器，多个熔丝用以产生多个数据信号，多个第一D型触发器分别耦接至每一上述熔丝，以接收对应的熔丝所产生的上述数据信号，且传送一时脉信号以及上述数据信号至多个存储器细胞包含的多个第二D型触发器，上述第一D型触发器以串联的方式连接，且上述第二D型触发器以串联方式连接。本发明专利技术提供的熔丝阵列和存储器装置可以避免信号线过多的情形产生。

Fuse Array and Memory Device

According to one embodiment of the present invention, a fuse array and a memory device are provided. The fuse array includes a plurality of fuses and a plurality of first D flip-flops, which are used to generate a plurality of data signals, and a plurality of first D flip-flops are coupled to each of the above-mentioned fuses to receive the above-mentioned data signals generated by the corresponding fuses, and to transmit a time-pulse signal and the above-mentioned data. The signal is connected to a plurality of second D-type flip-flops contained in a plurality of memory cells. The first D-type flip-flops are connected in series, and the second D-type flip-flops are connected in series. The fuse array and memory device provided by the invention can avoid the occurrence of excessive signal lines.

【技术实现步骤摘要】
熔丝阵列和存储器装置
本专利技术说明书主要是有关于一存储器装置技术，特别是有关于通过串联的D型触发器传送熔丝阵列的信号的存储器装置技术。
技术介绍
为了能够提升半导体存储器的生产良品率和降低生产成本，在存储器装置中的每一存储器单元会配置一冗余存储器。当存储器单元的部分字线或位线发生故障时，就会使用冗余存储器的字线或位线来进行修补。传统上，会通过激光的方式来熔断熔丝(fuse)，以使得冗余存储器的字线或位线可以取代存储器单元发生故障的字线或位线。然而，随着半导体制造工艺技术的进步，半导体存储器装置所需的尺寸也越来越小。因此，熔丝(或熔丝阵列)会被独立配置在存储器单元之外以节省空间，且每一熔丝都会通过一信号线连接至控制器，以指示是否使用冗余存储器的字线或位线取代存储器单元发生故障的字线或位线。然而，当所有熔丝被独立配置在存储器单元之外时，也就表示当所需传送的信号越多(即配置的熔丝越多)，所需的信号线的数量也会因而增加。因此，信号线将会占用了许多半导体存储器的布线(layout)面积，使得布线的难度也会因而增加。
技术实现思路
有鉴于上述先前技术的问题，本专利技术提供了通过串联的D型触发器传送本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种熔丝阵列，其特征在于，所述熔丝阵列包括：多个熔丝，产生多个数据信号；以及多个第一D型触发器，分别耦接至每一所述熔丝，以接收对应的熔丝所产生的所述数据信号，且传送一时脉信号以及所述数据信号至多个存储器细胞包含的多个第二D型触发器，其中所述第一D型触发器以串联的方式连接，且所述第二D型触发器以串联方式连接。

【技术特征摘要】
1.一种熔丝阵列，其特征在于，所述熔丝阵列包括：多个熔丝，产生多个数据信号；以及多个第一D型触发器，分别耦接至每一所述熔丝，以接收对应的熔丝所产生的所述数据信号，且传送一时脉信号以及所述数据信号至多个存储器细胞包含的多个第二D型触发器，其中所述第一D型触发器以串联的方式连接，且所述第二D型触发器以串联方式连接。2.根据权利要求1所述的熔丝阵列，其特征在于，所述熔丝阵列还包括：一数据线，用以从所述第一D型触发器传送所述数据信号至所述第二D型触发器；以及一时脉线，用以同时提供所述时脉信号至所述第一D型触发器和第二D型触发器。3.根据权利要求1所述的熔丝阵列，其特征在于，所述熔丝阵列分成多个区块，且每一区块同时被平行处理。4.根据权利要求3所述的熔丝阵列，其特征在于，每一区块包含所述多个熔丝的不同部分，且被配置对应的一数据线以及一时脉线。5.根据权利要求1所述的熔丝阵列，其特征在于，所述熔丝为激光熔丝或电子熔丝。6.一种存储器装置，其特征在于，所述存储器装置包括：多个存储器细胞，其中每一所述存储器细胞包含一存储器阵列以及一冗余阵列；一时脉产生器，产生时脉信号；以及一熔丝阵列，其中所述熔丝阵列包括：多个熔丝，产生多个数据信号；以及多个第一D型触发器，耦接所述时脉产生器以接收所述时脉信号，且分别耦接至所述熔丝的一者，以接收对应的熔丝所产生的所述数据信号，且所述第一D型触发器传送所述时脉信号以及所述数据信号至所述每一存储器细胞包含的多个第二D型触发器，其中所述多个第一D型触发器和所述多个第二D型触发器以串联的方式连接，且所述多个第一D型触发器和所述多个第二D型触发器的数量相同。7.根据权利要求6所述的存储器装置，其特征在于，所述多个第二D型触发器被分成多个组，且所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜盈德，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71