并行存取交叉点阵列中的存储器单元制造技术

本申请涉及并行存取交叉点阵列中的存储器单元。用于并行存取交叉点阵列中的存储器单元的方法及结构包含并行存取安置在第一选定列与第一选定行之间的第一存储器单元及安置在不同于所述第一选定列的第二选定列与不同于所述第一选定行的第二选定行之间的第二存储器单元。并行存取包含同时施加存取偏压于所述第一选定列与所述第一选定行之间及所述第二选定列与所述第二选定行之间。在所述单元处于定阈值状态或所述单元处于阈值后恢复周期中时进行所述并行存取。

Memory Units in Parallel Access Crosspoint Array

This application relates to a memory unit in a parallel access crosspoint array. The method and structure of a memory unit for parallel access intersection array includes a first memory unit placed between the first selected column and the first selected row, and a second memory unit located between a second selected column different from the first selected column and a second selected row different from the first selected row. Parallel access includes simultaneously applying access bias between the first selected column and the first selected row and between the second selected column and the second selected row. The parallel access is performed when the unit is in a fixed threshold state or the unit is in a post-threshold recovery period.

【技术实现步骤摘要】
并行存取交叉点阵列中的存储器单元分案申请的相关信息本申请是国际申请号为PCT/US2014/052763、申请日为2014年8月26日、专利技术名称为“并行存取交叉点阵列中的存储器单元”的PCT申请进入中国国家阶段后申请号为201480049464.X的中国专利技术专利申请的分案申请。
本文中揭示的标的物通常涉及集成电路中的装置，且特定地说涉及同时存取交叉点阵列内的多个单元的方法。
技术介绍
并有硫属化物材料的装置(例如，双向阈值开关及相变存储元件)可在各种电子装置中找到。此类装置可在计算机、数码相机、蜂窝电话、个人数字助理等中使用。系统设计者可在确定是否针对特定应用而并有硫属化物材料及如何并有硫属化物材料时考虑的因素可包含例如物理大小、存储密度、可缩放性、操作电压及电流、读/写速度、读/写吞吐量、传输速率及/或功耗。
技术实现思路
一方面，本申请实施例提供一种并行存取存储器单元的方法，其包括：选择交叉点存储器阵列的第一列和第一行中的第一存储器单元；选择所述交叉点存储器阵列的第二列和第二行中的第二存储器单元；在第一阈值时段期间向所述第一存储器单元施加第一阈值偏压；在与所述第一阈值时段重叠本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种并行存取存储器单元的方法，其包括：选择交叉点存储器阵列的第一列和第一行中的第一存储器单元；选择所述交叉点存储器阵列的第二列和第二行中的第二存储器单元；在第一阈值时段期间向所述第一存储器单元施加第一阈值偏压；在与所述第一阈值时段重叠的第二阈值时段期间向所述第二存储器单元施加第二阈值偏压；在所述第一阈值时段期间存取所述第一存储器单元，并在所述第二阈值时段期间存取所述第二存储器单元；以及在所述第一阈值时段之前将所述第一存储器单元的所述第一列和所述第二存储器单元的所述第二列预充电到第一禁止电压。

【技术特征摘要】
2013.09.10 US 14/023,1121.一种并行存取存储器单元的方法，其包括：选择交叉点存储器阵列的第一列和第一行中的第一存储器单元；选择所述交叉点存储器阵列的第二列和第二行中的第二存储器单元；在第一阈值时段期间向所述第一存储器单元施加第一阈值偏压；在与所述第一阈值时段重叠的第二阈值时段期间向所述第二存储器单元施加第二阈值偏压；在所述第一阈值时段期间存取所述第一存储器单元，并在所述第二阈值时段期间存取所述第二存储器单元；以及在所述第一阈值时段之前将所述第一存储器单元的所述第一列和所述第二存储器单元的所述第二列预充电到第一禁止电压。2.一种并行存取存储器单元的方法，其包括：选择交叉点存储器阵列的第一列和第一行中的第一存储器单元；选择所述交叉点存储器阵列的第二列和第二行中的第二存储器单元；在第一阈值时段期间向所述第一存储器单元施加第一阈值偏压；在与所述第一阈值时段重叠的第二阈值时段期间向所述第二存储器单元施加第二阈值偏压；在所述第一阈值时段期间存取所述第一存储器单元，并在所述第二阈值时段期间存取所述第二存储器单元；以及在所述第一阈值时段之前将所述第一存储器单元的所述第一行和所述第二存储器单元的所述第二行预充电到第二禁止电压，其中所述第二禁止电压不同于第一禁止电压。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一禁止电压与第二禁止电压相同。4.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一阈值偏压不同于所述第二阈值偏压。5.一种并行存取存储器单元的方法，其包括：选择交叉点存储器阵列的第一列和第一行中的第一存储器单元；选择所述交叉点存储器阵列的第二列和第二行中的第二存储器单元；在第一阈值时段期间向所述第一存储器单元施加第一阈值偏压；在与所述第一阈值时段重叠的第二阈值时段期间向所述第二存储器单元施加第二阈值偏压；在所述第一阈值时段期间存取所述第一存储器单元，并在所述第二阈值时段期间存取所述第二存储器单元；至少部分基于在所述第一阈值时段期间向所述至少一个存储器单元中的每一个的至少一行施加禁止偏压来禁止所述第一列中的至少一个存储器单元；以及至少部分基于在所述第一阈值时段期间向所述至少一个存储器单元中的每一个的至少一列施加所述禁止偏压来禁止所述第一行中的至少一个存储器单元。6.根据权利要求1所述的方法，其中存取所述第一存储器单元或所述第二存储器单元包括：对所述第一存储器单元进行写入、擦除或读取中的至少一者。7.一种用于存取存储器单元阵列中的存储器单元的方法，其包括：确定阵列中的至少两个存储器单元；选择所述阵列中的至少两列，每列对应于所述至少两个存储器单元中的一个；选择所述阵列中的至少两行，每行对应于所述至少两个存储器单元中的一个；将至少一个阈值偏压施加到所述至少两个存储器单元以导致至少一个阈值时段；响应于施加所述至少一个阈值偏压，在所述至少一个阈值时段期间降低所述至少两个存储器单元的阻抗；在所述至少一个阈值时段之前将所述第一存储器单元的所述第一列和所述第二存储器单元的所述第二列预充电至第一禁止电压；以及当至少部分地基于将所述至少一个阈值偏压施加到所述阵列中的所述至少两个存储器单元而降低所述至少两个存储器单元中的每一者的所述阻抗时，同时存取所述阵列中的所述至少两个存储器单元。8.根据权利要求7所述的方法，其中存取所述阵列中的所述至少两个存储器单元进一步包括：至少部分基于在重叠时段期间将所述至少两列和所述至少两行的电压修改为阈值电压来产生与所述至少两个存储器单元相关联的阈值事件。9.一种存储器装置，其包括：第一存储器单元和第二存储器单元，其各自包括：位于第一电极和第二电极之间的选择器节点，其中所述第一电极接触沿第一方向定向的列；以及位于所述第二电极和第三电极之间的存储节点，其中所述第三电极接触沿第二方向定向的行；以及存储器控制器，其：将第一阈值偏压施加到所述第一存储器单元以导致第一阈值时段；响应于施加所述第一阈值偏压，在所述第一阈值时段期间降低所述第一存储器单元的阻抗；将第二阈值偏压施加到所述第二存储器单元以导致与所述第一阈值时段重叠的第二阈值时段；响应于施加所述第二阈值偏压，在所述第二阈值时段期间降低所述第二存储器单元的阻抗；在所述第一阈值时段之前将所述第一存储器单元的所述第一列和所述第二存储器单元的所述第二列预充电至第一禁止电压；以及当至少部分基于将所述第一阈值偏压施加到所述第一存储器单元且将所述第二阈值偏压施加到所述第二存储器单元而降低所述第一存储器单元的所述阻抗且降低所述第二存储器单元的所述阻抗时，同时存取所述第一存储器单元和所述第二存储器单元。10.根据权利要求9所述的存储器装置，其中所述存储器控制器进一步经配置以：至少部分地基于对与所述第一存储器单元相关联的至少一个对应行和与所述第二存储器单元相关联的至少一个对应行施加偏压来存取所述第一存储器单元和所述第二存储器单元。11.根据权利要求9所述的存储器装置，其中所述存储器控制器进一步经配置以：选择与所述第一存储器单元相关联的至少一个对应列和至少一个对应行；以及在第一时段期间将至少一个对应列和至少一个对应行的电压电平修改为第一电压电平。12.根据权利要求11所述的存储器装置，其中所述存储器控制器进一步经配置以：至少部分基于所述修改来检测与所述第一存储器单元相关联的第一阈值事件。13.根据权利要求12所述的存储器装置，其中所述存储器控制器进一步经配置以：至少部分地基于所述第一阈值事件在所述第一时段期间存取所述第一存储器单元并且对所述第一存储器单元执行写入、擦除或读取中的至少一个。14.一种存储器装置，其包括：第一存储器单元和第二存储器单元，其各自包括：位于第一电极和第二电极之间的选择器节点，其中所述第一电极接触沿第一方向定向的列；以及位于所述第二电极和第三电极之间的存储节点，其中所述第三电极接触沿第二方向定向的行；以及存储器控制器，其：将第一阈值偏压施加到所述第一存储器单元以导致第一阈值时段；响应于施加所述第一阈值偏压，在所述第一阈值时段期间降低所述第一存储器单元的阻抗；将第二阈值偏压施加到所述第二存储器单元以导致与所述第一阈值时段重叠的第二阈值时段；响应于施加所述第二阈值偏压，在所述第二阈值时段期间降低所述第二存储器单元的阻抗；以及当至少部分基于将所述第一阈值偏压施加到所述第一存储器且将所述第二阈值偏压施加到所述第二存储器而降低所述第一存储器的所述阻抗且降低所述第二存储器的所述阻抗降...

【专利技术属性】
技术研发人员：埃尔南·卡斯特罗，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国,US