The invention discloses a tungsten precursor and a method for forming a tungsten-containing layer. The tungsten precursor has a structure represented by Formula 1 below.
【技术实现步骤摘要】
钨前驱体及使用其形成含钨层的方法[相关申请的交叉参考]本申请主张在2017年6月15日提出申请的韩国专利申请第10-2017-0076029号的优先权，所述韩国专利申请的全部内容并入本申请供参考。
本专利技术概念涉及一种钨前驱体及一种使用其形成含钨层的方法。
技术介绍
半导体器件由于其尺寸小、多功能及/或制作成本低而被视为电子行业中的重要因素。半导体器件可随着电子行业的发展而高度集成。半导体器件的图案线宽因其高集成度(integration)而正在不断减小。因此，电线(electricline)的电阻正在不断增加。使用具有低电阻的钨作为电线材料来减小电线的电阻。还使用钨来形成栅极电极、掩模等。
技术实现思路
本专利技术概念的一些示例性实施例提供一种适用于沉积且限制及/或防止半导体器件劣化的钨前驱体。本专利技术概念的一些示例性实施例提供一种形成会限制及/或防止半导体器件劣化的含钨层的方法。根据本专利技术概念的一些示例性实施例，钨前驱体可由以下式1来表达。[式1]在式1中，R1、R2及R3可独立地包括包含经取代或未经取代的C1到C5的直链或分支的烷基，R4及R5可独立地为...
【技术保护点】
1.一种钨前驱体，其特征在于，具有由式1表示的结构，[式1]
【技术特征摘要】
2017.06.15 KR 10-2017-00760291.一种钨前驱体，其特征在于，具有由式1表示的结构，[式1]其中，在式1中，R1、R2及R3独立地包括包含经取代或未经取代的C1到C5的直链或分支的烷基，R4及R5独立地包括包含经取代或未经取代的C1到C5的直链或分支的烷基、卤素元素、包含经取代或未经取代的C2到C10的二烷基氨基或者包含经取代或未经取代的C3到C12的三烷基硅烷基，n为1或2，m为0或1，n+m＝2，且当n为2时，m为0，且R1及R2各有两个，所述两个R1彼此独立，且所述两个R2彼此独立。2.根据权利要求1所述的钨前驱体，其特征在于，R1、R2、R3、R4及R5中的至少一者包括包含C3到C12的三烷基硅烷基。3.根据权利要求1所述的钨前驱体，其特征在于，R1、R2、R3、R4及R5中的至少一者包括甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基或异戊基中的一者。4.根据权利要求1所述的钨前驱体，其特征在于，R4及R5中的至少一者包括氟、氯、溴或碘中的一者。5.根据权利要求1所述的钨前驱体，其特征在于，R4及R5中的至少一者包括所述二烷基氨基，且所述二烷基氨基是二甲基氨基、乙基甲基氨基、甲基丙基氨基、甲基异丙基氨基、二乙基氨基、乙基丙基氨基、乙基异丙基氨基、二异丙基氨基、二仲丁基氨基及二叔丁基氨基中的一者。6.根据权利要求1所述的钨前驱体，其特征在于，R4及R5中的至少一者包括所述三烷基硅烷基，且所述三烷基硅烷基是三甲基硅烷基或三乙基硅烷基。7.根据权利要求1所述的钨前驱体，其特征在于，n为1，且R1、R2及R3独立地为包含经取代或未经取代的C3到C5的直链或分支的烷基。8.根据权利要求7所述的钨前驱体，其特征在于，R1及R2独立地为叔丁基或叔戊基，且R3为异丙基、叔丁基或叔戊基。9.根据权利要求7所述的钨前驱体，其特征在于，R4及R5独立地为包含经取代或未经取代的C1到C5的所述直链的烷基。10.根据权利要求9所述的钨前驱体，其特征在于，R4及R5独立地为甲基或乙基。11.根据权利要求1所述的钨前驱体，其特征在于，n为2，且R1、R2及R3独立地为包含经取代或未经取代的C3到C5的直链或分支的烷基。12.根据权利要求11所述的钨前驱体，其特征在于，R1、R2及R3独立地为异丙基、仲丁基或叔丁基。13.根据权利要求1所述的钨前驱体，其特征在于，所述钨前驱体的结构是由以下式(1-1)到式(1-75)中的一者表示：其中，Me表示甲基，Et表示乙基，nPr表示正丙基，iPr表示异丙基，n...
【专利技术属性】
技术研发人员：李沼姈，林载顺，尹至恩，斋藤昭夫，白鸟翼，青木雄太郎，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，株式会社ADEKA，
类型：发明
国别省市：韩国,KR
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