利用氧化硅基固体废弃物制备碳化硅基多孔陶瓷的方法技术

本发明专利技术属于二次资源高效综合利用及多孔陶瓷材料制备技术领域，具体涉及利用氧化硅基固体废弃物制备碳化硅基多孔陶瓷的方法。本发明专利技术的技术方案：首先，将氧化硅基固体废弃物进行预处理，除去杂质，其次，根据氧化硅基固体废弃物组分配比掺入还原剂；然后，以预处理后的氧化硅基固体废弃物为原料，加入粘结剂与造孔剂，将物料混均；最后，经干压成型，在保护气氛下高温烧结制得碳化硅基多孔陶瓷。该方法实现了氧化硅基固体废弃物的高附加值利用，减少其对环境造成的污染，有利于降低生产成本，而且该方法操作简单易行，便于工业化生产。

Preparation of SiC-based Porous Ceramics from Silica-based Solid Waste

The invention belongs to the technical field of efficient comprehensive utilization of secondary resources and preparation of porous ceramic materials, in particular to the method of preparing silicon carbide-based porous ceramics by using silica-based solid waste. The technical scheme of the invention includes: firstly, the silica-based solid waste is pretreated to remove impurities; secondly, the reductant is added according to the proportion of the silica-based solid waste; secondly, the silica-based solid waste is pretreated as raw material, binder and pore-forming agent are added to mix the material; finally, the material is prepared by dry pressing and sintering at high temperature in a protective atmosphere. Silicon carbide based porous ceramics. This method realizes the high value-added utilization of silica-based solid waste, reduces its pollution to the environment, and is conducive to reducing production costs. Moreover, this method is easy to operate and easy to industrialize.

【技术实现步骤摘要】
利用氧化硅基固体废弃物制备碳化硅基多孔陶瓷的方法
：本专利技术属于二次资源高效综合利用及多孔陶瓷材料制备
，涉及利用氧化硅基固体废弃物制备碳化硅基多孔陶瓷的方法。
技术介绍
：随着科学技术的不断进步和社会经济的不断的发展，近年来工业得到了迅速的发展，然而，工业生产过程中产生的固体废弃物也日益增多，已经引起严重的储存和环境污染问题。因此，合理利用工业生产过程中产生的固废资源，变废为宝对全球经济的发展显得尤为重要。与此同时，陶瓷生产行业的快速发展，对陶瓷原料的需求也是日益增多，陶瓷生产的主要原料粘土为此面临资源枯竭的困境。为此，寻找可替代粘土的陶瓷原料是陶瓷产业的重要研究方向。其中，碳化硅基多孔陶瓷，可以应用于多种领域，如：冶金、化工、环境、能源等。以氧化硅基固体废弃物代替黏土作为陶瓷原料，既可以降低陶瓷原料的成本，制备出高性能碳化硅基多孔陶瓷，又可规模化高效利用大量的氧化硅基固体废弃物，解决了其堆放占用土地及污染环境的问题。目前，碳化硅基多孔陶瓷的制备方法主要有颗粒堆积烧结法、直接发泡成型法和有机泡沫浸渍法等，但其对原料要求较高且限制制品的形状，而添加造孔剂法可有效避免这一缺陷，制备出气孔结构多样、形状复杂的碳化硅基多孔陶瓷。
技术实现思路
：本专利技术的目的是克服上述现有技术存在的不足，提供利用氧化硅基固体废弃物制备碳化硅基多孔陶瓷的方法。该方法实现了氧化硅基固体废弃物的高效综合利用；而且具有操作简单易行，便于工业化生产等优点。利用氧化硅基固体废弃物制备碳化硅基多孔陶瓷的方法，按以下步骤进行：步骤1：原料处理将氧化硅基固体废弃物经高温煅烧与粉碎过筛处理，制得硅基熟料；步骤2：干压成型(1)按配比，硅基熟料：还原剂：粘结剂：造孔剂＝100:(5～60):(5～40):(5～60)，将物料混合均匀，球磨得混匀物料；(2)将混匀物料干压成型，并干燥；步骤3：高温烧结将干燥后物料置于高温烧结设备中，于保护气氛下烧结并保温一定时间，制得碳化硅基多孔陶瓷，并对碳化硅基多孔陶瓷进行相关性能测试。所述的步骤1中，所述的氧化硅基固体废弃物为粉煤灰、煤矸石、铁矿石尾矿或稻壳灰中的一种或几种，其主要成分是SiO2和Al2O3。所述的步骤1中，煅烧与粉碎过筛处理用于去除氧化硅基固体废弃物中的杂质。所述的步骤1中，所述的煅烧炉为在无保护气氛下使用的箱式电阻丝炉、硅碳棒炉、硅钼棒炉或隧道窑中的一种。所述的步骤1中，所述的粉碎过筛处理过程为：采用颚式破碎机粉碎处理，粉末经200目筛后，制得硅基熟料。所述的步骤2(1)中，所述的还原剂碳粉为炭黑、优质煤或活性炭中的一种或多种。所述的步骤2(1)中，所述的还原剂用量高于氧化硅基固体废弃物中SiO2与还原剂反应消耗量的5％～20％。所述的步骤2(1)中，所述的粘结剂为聚乙烯醇、酚醛树脂、水玻璃或磷酸二氢铝中的一种或多种。所述的步骤2(1)中，所述的造孔剂为淀粉、石墨粉、碳酸氢铵或氯化铵中的一种或多种。所述的步骤2(1)中，所述的物料混合设备为高能球磨机，其转速为200～600r·min-1，运行时间为1～10h。所述的步骤2(2)中，所述的成型压力为50～300MPa，保压时间为3～5min。所述的步骤2(2)中，所述的干燥操作的干燥温度为120℃，干燥时间为12～24h，干燥设备为干燥箱或隧道干燥窑。所述的步骤3中，所述的保护气为高纯度的Ar气。所述的步骤3中，高温烧结设备为可通气氛的箱式电阻炉、管式电阻炉、真空高温炉或隧道窑中的一种。所述的步骤3中，烧结温度为1400～1800℃，烧结保温时间为2～10h。所述的步骤3中，制得的碳化硅基多孔陶瓷的主要物相为β-SiC或α-Al2O3，显气孔率为30％～70％，常温抗压强度为4～15MPa，孔径分布均匀。本专利技术为利用氧化硅基固体废弃物制备碳化硅基多孔陶瓷的方法，与现有技术相比，其有益效果在于：1.本专利技术的利用氧化硅基固体废弃物制备碳化硅基多孔陶瓷的方法实现了氧化硅基固体废弃物的高效综合利用，不仅利于制得高性能的碳化硅基多孔陶瓷，还减少其对环境产生的污染，具有较好的经济效益和环保效益。2.本专利技术的利用氧化硅基固体废弃物制备碳化硅基多孔陶瓷的方法操作简单易行，便于工业化生产。3.本专利技术的利用氧化硅基固体废弃物制备碳化硅基多孔陶瓷的方法，为天然矿物资源寻找可代替的原料，且其价格低廉、无污染，达到了变废为宝的目的。附图说明：图1是本专利技术的工艺流程图。具体实施方式：下面结合实施例对本专利技术作进一步的详细说明。所述的相关检测包括物相组成、显气孔率和常温抗压强度；其中，碳化硅基多孔陶瓷的物相组成采用X射线衍射仪(XRD)分析鉴定，测试条件为Cu-Ka射线作为光源，管电压30kV，管电流30mA，扫描形式为步进扫描，步长为0.02°，扫描速度为9℃/min，扫描范围为5°～90°；显气孔率按照GB/T1997-2000测定，常温抗压强度按照GB/T1964-1996多孔陶瓷耐压试验法进行测试。实施例1利用氧化硅基固体废弃物制备碳化硅基多孔陶瓷的方法，按以下步骤进行：步骤1：原料预处理(1)将粉煤灰置于箱式电阻丝炉中，1000℃下煅烧5h，再经颚式破碎机粉碎，粉末过200目筛，得到稳定性良好的熟料；(2)根据粉煤灰中SiO2的组成配比，配制活性炭；步骤2：干压成型(1)选取酚醛树脂为粘结剂，碳酸氢铵为造孔剂，按粉煤灰:活性炭:酚醛树脂:碳酸氢氨＝100:30:5:10的质量配比称量原料，并将其高能球磨1h；(2)将混匀物料置于压力机中干压成型，100MPa下保压5min，并置于干燥箱中120℃下保温24h；步骤3：高温烧结将干燥后物料置于1400℃的真空高温炉中，Ar气氛下烧结2h，待高温炉冷却至室温，得到碳化硅基多孔陶瓷，并对碳化硅基多孔陶瓷进行相关性能测试；经检测，所得碳化硅基多孔陶瓷的主要物相为β-SiC和α-Al2O3,显气孔率为37％，常温抗压强度为8.2MPa，孔径分布均匀。实施例2利用氧化硅基固体废弃物制备碳化硅基多孔陶瓷的方法，按以下步骤进行：步骤1：原料预处理(1)将稻壳灰置于箱式电阻丝炉中，1000℃下煅烧5h，再经颚式破碎机粉碎，粉末过200目筛，得到稳定性良好的熟料；(2)根据稻壳灰中SiO2的组成配比，配制炭黑；步骤2：干压成型(1)选取酚醛树脂为粘结剂，碳酸氢铵为造孔剂，按稻壳灰:炭黑:酚醛树脂:碳酸氢氨＝100:60:30:10的质量配比称量原料，并将其高能球磨1h；(2)将混匀物料置于压力机中干压成型，100MPa下保压5min，并置于干燥箱中120℃下保温24h；步骤3：高温烧结将干燥后物料置于1400℃的真空高温炉中，Ar气氛下烧结2h，待高温炉冷却至室温，得到碳化硅基多孔陶瓷，并对碳化硅基多孔陶瓷进行相关性能测试；经检测，所得碳化硅基多孔陶瓷的主要物相为β-SiC，显气孔率为42％，常温抗压强度为7.8MPa。实施例3利用氧化硅基固体废弃物制备碳化硅基多孔陶瓷的方法，按以下步骤进行：步骤1：原料预处理(1)将煤矸石置于箱式电阻丝炉中，1000℃下煅烧5h，再经颚式破碎机粉碎，粉末过200目筛，得到稳定性良好的熟料；(2)根据煤矸石中SiO2的组成配比，配制炭黑；步骤2：干压成型(1)选取酚醛树脂为粘结剂，碳酸氢本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.利用氧化硅基固体废弃物制备碳化硅基多孔陶瓷的方法，按以下步骤进行：步骤1：原料处理将氧化硅基固体废弃物经高温煅烧与粉碎过筛处理，制得硅基熟料；步骤2：干压成型(1)按配比，硅基熟料：还原剂：粘结剂：造孔剂＝100:(5～60):(5～40):(5～60)，将物料混合均匀，球磨得混匀物料；(2)将混匀物料干压成型，并干燥；步骤3：高温烧结将干燥后物料置于高温烧结设备中，于保护气氛下烧结并保温一定时间，制得碳化硅基多孔陶瓷，并对碳化硅基多孔陶瓷进行相关性能测试。

【技术特征摘要】
1.利用氧化硅基固体废弃物制备碳化硅基多孔陶瓷的方法，按以下步骤进行：步骤1：原料处理将氧化硅基固体废弃物经高温煅烧与粉碎过筛处理，制得硅基熟料；步骤2：干压成型(1)按配比，硅基熟料：还原剂：粘结剂：造孔剂＝100:(5～60):(5～40):(5～60)，将物料混合均匀，球磨得混匀物料；(2)将混匀物料干压成型，并干燥；步骤3：高温烧结将干燥后物料置于高温烧结设备中，于保护气氛下烧结并保温一定时间，制得碳化硅基多孔陶瓷，并对碳化硅基多孔陶瓷进行相关性能测试。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的步骤1中，所述的氧化硅基固体废弃物为粉煤灰、煤矸石、铁矿石尾矿或稻壳灰中的一种或几种，其主要成分是SiO2和Al2O3。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的步骤1中，所述的煅烧与粉碎过筛处理用于去除氧化硅基固体废弃物中的杂质；所述的煅烧炉为在无保护气氛下使用的箱式电阻丝炉、硅碳棒炉、硅钼棒炉或隧道窑中的一种；所述的粉碎过筛处理过程为采用颚式破碎机粉碎处理，粉末经200目筛。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的步骤2(1)中，所述的还原剂碳粉为炭黑、优质煤或活性炭中的...

【专利技术属性】
技术研发人员：马北越，张亚然，高陟，于敬雨，任鑫明，苏畅，吴桦，于景坤，
申请(专利权)人：东北大学，
类型：发明
国别省市：辽宁,21