The invention belongs to the technical field of semiconductor materials, in particular to a transfer method of two-dimensional materials and two-dimensional materials and their applications. The transfer method of the two-dimensional material includes the following steps: contacting one side of the growing substrate with the target substrate, first pressurizing the two substrates, then dripping water into the middle of the two substrates, after holding the pressure for a period of time, unloading the pressure, then drying, and realizing the transfer of the two-dimensional material from the growing substrate to the target substrate. The method is simple, fast and environmentally friendly, and effectively reduces the film breakdown during the transfer process. The two-dimensional materials obtained by this method have good integrity, environmental protection and pollution-free using reagents. The two-dimensional materials have high quality and environmental friendliness, and can assemble more complex optoelectronic components.
【技术实现步骤摘要】
二维材料的转移方法和二维材料及其应用
本专利技术涉及半导体材料
，尤其是涉及一种二维材料的转移方法和二维材料及其应用。
技术介绍
目前，二维材料在集成电路上具有非常好的应用前景。二维材料多是在高温下、而且一定气氛下合成，衬底的选择非常有限，需要衬底能够耐高温、耐化学腐蚀。但是这些生长衬底经常不能满足后期器件的制备以及性能调控，因此，将纳米尺度的二维材料完整、无损地从生长衬底上转移到另一个衬底上对于拓展其应用、组装更复杂光电子学元器件是一件非常重要而且有挑战性的工作。目前，二维材料的转移方法一般需要利用腐蚀剂将二维材料从原衬底上脱离，而且二维材料的载体层，比如聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和聚苯乙烯(PS)需要用丙酮、甲苯或氯苯等有毒的试剂来去除，这些试剂的残余不仅会降低二维材料的品质，而且还会造成对环境的污染。因此，不用化学腐蚀剂的纯物理的转移方法更符合绿色工业生产的需求。在目前的研究中，利用水的表面张力的作用实现分离和转移方法存在三个问题：(1)如果分离过程有聚合物的支撑层存在，薄膜贴合完整，不易碎裂。但是聚合物在后期不易去除干净，容易造成...
【技术保护点】
1.一种二维材料的转移方法，其特征在于，所述转移方法包括如下步骤：将生长衬底有二维材料的一面与目标衬底相接触，先对两衬底进行加压，然后向两衬底中间滴水，压力保持一段时间后，卸掉压力，再干燥，实现二维材料从生长衬底到目标衬底的转移。
【技术特征摘要】
1.一种二维材料的转移方法，其特征在于，所述转移方法包括如下步骤：将生长衬底有二维材料的一面与目标衬底相接触，先对两衬底进行加压，然后向两衬底中间滴水，压力保持一段时间后，卸掉压力，再干燥，实现二维材料从生长衬底到目标衬底的转移。2.根据权利要求1所述的二维材料的转移方法，其特征在于，压强为0.1-10MPa；优选地，压强为0.4-0.5MPa。3.根据权利要求1所述的二维材料的转移方法，其特征在于，压力作用时间为0.15-30min；优选地，压力作用时间为5-10min；优选地，所采用的压力提供装置包括恒温热压机、脉冲热压机、双工位热压机或双压头脉冲热压机中的至少一种。4.根据权利要求1所述的二维材料的转移方法，其特征在于，干燥温度为15...
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