温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明属于半导体材料技术领域，尤其是涉及一种二维材料的转移方法和二维材料及其应用。所述二维材料的转移方法包括如下步骤：将生长衬底有二维材料的一面与目标衬底相接触，先对两衬底进行加压，然后向两衬底中间滴水，压力保持一段时间后，卸掉压力，再干燥...
该专利属于中国地质大学(北京)所有，仅供学习研究参考，未经过中国地质大学(北京)授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。