The utility model discloses a power supply protection control circuit, aiming at finding a more effective implementation scheme of power supply protection control, which includes input IN connected with power input terminal, output OUT connected with load, transistor Q1, transistor Q2, transistor Q3, transistor Q4, sampling resistance R1, sliding resistance R2, resistance R3 and resistance R4. The utility model relates to a power supply protection control circuit which reduces the risk of power supply damage caused by short-term excessive current by setting sampling resistance R1, sliding resistance R2, transistor Q2 and transistor Q4, so that when the circuit is short-circuited, it can change the current direction by turning on transistor Q2 and turning off transistor Q4, thereby improving the safety.
【技术实现步骤摘要】
电源保护控制电路
本技术涉及电源领域,具体而言,本技术涉及一种电源保护控制电路。
技术介绍
电源作为各类电子元器件工作的能量来源,在电路的设计中占据着较为重要的位置。在实际中,每一个电路都有可能存在电路短路接地导致输出电流过大的风险,而短暂过大的电流是很容易引起电源损坏的,因此在电路设计是一个急需解决的问题。
技术实现思路
为了寻找更为有效电源保护控制的实现方案,本技术提供了一种基于减弱短路输出电流的电源保护控制电路。为实现上述目的,本技术一种电源保护控制电路,所述电源保护控制电路包括与电源输入端连接的输入端IN、与负载连接的输出端OUT、晶体管Q1、晶体管Q2、晶体管Q3、晶体管Q4、采样电阻R1、滑变电阻R2、电阻R3、电阻R4,其中,所述晶体管Q1、晶体管Q3、晶体管Q4的集电极以及所述电阻R3的一端分别连接所述输入端IN,所述电阻R3的另一端与所述晶体管Q4的基极连接,所述晶体管Q3的基极与所述晶体管Q4的发射极连接,所述晶体管Q1的基极与所述晶体管Q3的发射极连接,所述晶体管Q1的发射极经过所述采样电阻R1后与所述输出端OUT连接;所述滑变电阻R2与所述电阻R4串联后与所述采样电阻R1相并联,所述滑变电阻R2的抽头与所述晶体管Q2的基极连接,所述晶体管Q2的发射极连接所述输出端OUT,所述晶体管Q2的集电极连接在所述电阻R3与所述晶体管Q4连接处。优选地,所述晶体管Q1的型号为2N3055。优选地,所述晶体管Q2和所述晶体管Q4的型号为BC546。优选地,所述晶体管Q3的型号为BD139。与现有技术相比,本技术一种电源保护控制电路具有如下有益效果:本技术 ...
【技术保护点】
1.一种电源保护控制电路,其特征在于,所述电源保护控制电路包括与电源输入端连接的输入端IN、与负载连接的输出端OUT、晶体管Q1、晶体管Q2、晶体管Q3、晶体管Q4、采样电阻R1、滑变电阻R2、电阻R3、电阻R4,其中,所述晶体管Q1、晶体管Q3、晶体管Q4的集电极以及所述电阻R3的一端分别连接所述输入端IN,所述电阻R3的另一端与所述晶体管Q4的基极连接,所述晶体管Q3的基极与所述晶体管Q4的发射极连接,所述晶体管Q1的基极与所述晶体管Q3的发射极连接,所述晶体管Q1的发射极经过所述采样电阻R1后与所述输出端OUT连接;所述滑变电阻R2与所述电阻R4串联后与所述采样电阻R1相并联,所述滑变电阻R2的抽头与所述晶体管Q2的基极连接,所述晶体管Q2的发射极连接所述输出端OUT,所述晶体管Q2的集电极连接在所述电阻R3与所述晶体管Q4连接处。
【技术特征摘要】
1.一种电源保护控制电路,其特征在于,所述电源保护控制电路包括与电源输入端连接的输入端IN、与负载连接的输出端OUT、晶体管Q1、晶体管Q2、晶体管Q3、晶体管Q4、采样电阻R1、滑变电阻R2、电阻R3、电阻R4,其中,所述晶体管Q1、晶体管Q3、晶体管Q4的集电极以及所述电阻R3的一端分别连接所述输入端IN,所述电阻R3的另一端与所述晶体管Q4的基极连接,所述晶体管Q3的基极与所述晶体管Q4的发射极连接,所述晶体管Q1的基极与所述晶体管Q3的发射极连接,所述晶体管Q1的发射极经过所述采样电阻R1后与所述输出...
【专利技术属性】
技术研发人员:许来,任晓萌,
申请(专利权)人:深圳市美诺尔电子有限公司,
类型:新型
国别省市:广东,44
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