一种LED调光负载突变抑制电路制造技术

本发明专利技术公开了一种LED调光负载突变抑制电路，其应用于一LED调光电路中；所述LED调光负载突变抑制电路包括MOS管Q1、采样电阻R1、误差放大器U1和DC‑DC模块U2。本发明专利技术能保证LED调光电路的总电流恒定，避免LED灯的损坏。

A Sudden Change Suppression Circuit for LED Dimming Load

The invention discloses an LED dimming load mutation suppression circuit, which is applied to an LED dimming circuit. The LED dimming load mutation suppression circuit includes a MOS tube Q1, a sampling resistance R1, an error amplifier U1 and a DC DC module U2. The invention can ensure that the total current of the LED dimming circuit is constant and avoid the damage of the LED lamp.

【技术实现步骤摘要】
一种LED调光负载突变抑制电路
本专利技术涉及LED灯领域，特别是指一种LED调光负载突变抑制电路。
技术介绍
为解决多路LED灯串并联带来的调光难度大的负面影响，目前越来越多的LED灯串采用串联的方式进行调光电路，如图6所示，目前采用串联方式的LED调光电路包括多个串联的LED灯串，每个灯串包括多个串联的LED灯D1，每个LED灯串并联有一个开关电路SW，通过开关电路SW的开关频率便可控制每个LED灯串的亮度，而且这种LED调光电路一般由DC-DC模块进行驱动，为了保证DC-DC模块的稳定性，通常会在DC-DC模块的输出端并联一个电容，即在LED调光电路的输入端并联一个电容。但是目前这种采用串联方式的LED调光电路存在一个问题，由于各个LED灯串串联，某一LED灯串的开关电路闭合而使得该LED灯串关闭时，会引起整个LED调光电路负载电压瞬间上升，使得LED调光电路的总电流上升，这使得其他的LED灯串的工作电流瞬间上升，过大的工作电流会缩短LED灯D1的寿命甚至使得LED灯D1损坏；而且由于LED调光电路的输入端并联一个电容，电容的特性会保持之前的电压，使得LED调光电路的负载电压不会快速下降，从而使得其他的LED灯串的工作电流不会快速下降到正常值，使得LED灯D1更容易损坏。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种LED调光负载突变抑制电路，其可使得采用串联方式的LED调光电路在负载突变时能保证LED调光电路的总电流恒定，避免LED灯的损坏。为了达成上述目的，本专利技术的解决方案是：一种LED调光负载突变抑制电路，其应用于一LED调光电路中，所述LED调光电路包括多个串联的LED灯串，每个LED灯串包括多个串联的LED灯D1，每个LED灯串并联有一个开关电路SW；所述LED调光电路并联有一电容C1；所述一种LED调光负载突变抑制电路包括MOS管Q1、采样电阻R1、误差放大器U1和DC-DC模块U2；所述MOS管Q1用于根据输入到其栅极的电压信号来调节所述LED调光电路的总电流；所述采样电阻R1用于检测所述LED调光电路的总电流；所述误差放大器U1用于将采样电阻R1两端的电压与一第一基准电压VREF1进行比较以产生第一误差信号来输出到MOS管Q1的栅极；所述DC-DC模块U2用于根据MOS管Q1的漏极和源极之间的电压来控制输入到所述LED调光电路和所述MOS管Q1的总输入电压。所述的一种LED调光负载突变抑制电路还包括电压放大器U3和电压放大器U4；所述MOS管Q1为PMOS管；所述DC-DC模块U2的电压输出端Vout与电容C1的一端、采样电阻R1的一端以及电压放大器U3的正相输入端相连，电容C1的另一端接地，采样电阻R1的另一端与电压放大器U3的反相输入端、电压放大器U4的正相输入端和MOS管Q1的源极相连，所述电压放大器U3的输出端与误差放大器U1的正相输入端相连，所述误差放大器U1的反相输入端输入第一基准电压VREF1，所述误差放大器U1的输出端与MOS管Q1的栅极相连；所述MOS管Q1的漏极与所述LED调光电路的输入端和电压放大器U4的反相输入端相连；所述LED调光电路的输出端接地；所述电压放大器U4的输出端与所述DC-DC模块U2的电压反馈端FB相连，所述电压反馈端FB与DC-DC模块U2内用于控制DC-DC模块U2输出电压的误差放大电路的反相输入端相连。所述的一种LED调光负载突变抑制电路还包括电压放大器U3和电压放大器U4；所述MOS管Q1为PMOS管；所述DC-DC模块U2的电压输出端Vout与电容C1的一端、MOS管Q1的源极以及电压放大器U4的正相输入端相连，电容C1的另一端接地，MOS管Q1的漏极与电压放大器U3的正相输入端、电压放大器U4的反相输入端和采样电阻R1的一端相连，采样电阻R1的另一端与电压放大器U3的反相输入端和所述LED调光电路的输入端相连，所述LED调光电路的输出端接地；所述电压放大器U3的输出端与误差放大器U1的正相输入端相连，所述误差放大器U1的反相输入端输入第一基准电压VREF1，所述误差放大器U1的输出端与MOS管Q1的栅极相连；所述电压放大器U4的输出端与所述DC-DC模块U2的电压反馈端FB相连，所述电压反馈端FB与DC-DC模块U2内用于控制DC-DC模块U2输出电压的误差放大电路的反相输入端相连。所述的一种LED调光负载突变抑制电路还包括电压放大器U4；所述MOS管Q1为PMOS管；所述DC-DC模块U2的电压输出端Vout与电容C1的一端、MOS管Q1的源极以及电压放大器U4的正相输入端相连，电容C1的另一端接地，MOS管Q1的漏极与电压放大器U4的反相输入端和所述LED调光电路的输入端相连，所述LED调光电路的输出端与采样电阻R1的一端和误差放大器U1的正相输入端相连，采样电阻R1的另一端接地；所述误差放大器U1的反相输入端输入第一基准电压VREF1，所述误差放大器U1的输出端与MOS管Q1的栅极相连；所述电压放大器U4的输出端与所述DC-DC模块U2的电压反馈端FB相连，所述电压反馈端FB与DC-DC模块U2内用于控制DC-DC模块U2输出电压的误差放大电路的反相输入端相连。所述的一种LED调光负载突变抑制电路还包括电压放大器U3；所述MOS管Q1为NMOS管；所述DC-DC模块U2的电压输出端Vout与电容C1的一端和所述LED调光电路的输入端相连，电容C1的另一端接地；所述LED调光电路的输出端与采样电阻R1的一端和电压放大器U3的正相输入端相连，所述采样电阻R1的另一端与MOS管Q1的漏极、电压放大器U3的反相输入端和所述DC-DC模块U2的电压反馈端FB相连，所述电压反馈端FB与DC-DC模块U2内用于控制DC-DC模块U2输出电压的误差放大电路的反相输入端相连，所述电压放大器U3的输出端与误差放大器U1的反相输入端相连，所述误差放大器U1的正相输入端输入第一基准电压VREF1，所述误差放大器U1的输出端与MOS管Q1的栅极相连，MOS管Q1的源极接地。所述的一种LED调光负载突变抑制电路还包括电压放大器U4，所述MOS管Q1为NMOS管；所述DC-DC模块U2的电压输出端Vout与电容C1的一端和所述LED调光电路的输入端相连，电容C1的另一端接地；所述LED调光电路的输出端与MOS管Q1的漏极和电压放大器U4的正相输入端相连，所述MOS管Q1的源极与误差放大器U1的反相输入端、电压放大器U4的反相输入端和采样电阻R1的一端相连，采样电阻R1的另一端接地；所述误差放大器U1的正相输入端输入第一基准电压VREF1，所述误差放大器U1的输出端与MOS管Q1的栅极相连；所述电压放大器U4的输出端与所述DC-DC模块U2的电压反馈端FB相连，所述电压反馈端FB与DC-DC模块U2内用于控制DC-DC模块U2输出电压的误差放大电路的反相输入端相连。采用上述方案后，本专利技术具有两个优点:1、本专利技术的采样电阻R1两端的电压变化能反应LED调光电路的总电流变化，通过误差放大器U1能将采样电阻R1两端的电压与第一基准电压VREF1进行比较以得到第一误差信号输入到MOS管Q1的栅极，再经过MOS管Q1放大输出，形成负反馈，从而调节流过MOS管的电流本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种LED调光负载突变抑制电路，其应用于一LED调光电路中，所述LED调光电路包括多个串联的LED灯串，每个LED灯串包括多个串联的LED灯D1，每个LED灯串并联有一个开关电路SW；所述LED调光电路并联有一电容C1；其特征在于：所述一种LED调光负载突变抑制电路包括：MOS管Q1，其用于根据输入到其栅极的电压信号来调节所述LED调光电路的总电流；采样电阻R1，其用于检测所述LED调光电路的总电流；误差放大器U1，其用于将采样电阻R1两端的电压与一第一基准电压VREF1进行比较以产生第一误差信号来输出到MOS管Q1的栅极；DC‑DC模块U2，其用于根据MOS管Q1的漏极和源极之间的电压来控制输入到所述LED调光电路和所述MOS管Q1的总输入电压。

【技术特征摘要】
1.一种LED调光负载突变抑制电路，其应用于一LED调光电路中，所述LED调光电路包括多个串联的LED灯串，每个LED灯串包括多个串联的LED灯D1，每个LED灯串并联有一个开关电路SW；所述LED调光电路并联有一电容C1；其特征在于：所述一种LED调光负载突变抑制电路包括：MOS管Q1，其用于根据输入到其栅极的电压信号来调节所述LED调光电路的总电流；采样电阻R1，其用于检测所述LED调光电路的总电流；误差放大器U1，其用于将采样电阻R1两端的电压与一第一基准电压VREF1进行比较以产生第一误差信号来输出到MOS管Q1的栅极；DC-DC模块U2，其用于根据MOS管Q1的漏极和源极之间的电压来控制输入到所述LED调光电路和所述MOS管Q1的总输入电压。2.如权利要求1所述的一种LED调光负载突变抑制电路，其特征在于：还包括电压放大器U3和电压放大器U4；所述MOS管Q1为PMOS管；所述DC-DC模块U2的电压输出端Vout与电容C1的一端、采样电阻R1的一端以及电压放大器U3的正相输入端相连，电容C1的另一端接地，采样电阻R1的另一端与电压放大器U3的反相输入端、电压放大器U4的正相输入端和MOS管Q1的源极相连，所述电压放大器U3的输出端与误差放大器U1的正相输入端相连，所述误差放大器U1的反相输入端输入第一基准电压VREF1，所述误差放大器U1的输出端与MOS管Q1的栅极相连；所述MOS管Q1的漏极与所述LED调光电路的输入端和电压放大器U4的反相输入端相连；所述LED调光电路的输出端接地；所述电压放大器U4的输出端与所述DC-DC模块U2的电压反馈端FB相连，所述电压反馈端FB与DC-DC模块U2内用于控制DC-DC模块U2输出电压的误差放大电路的反相输入端相连。3.如权利要求1所述的一种LED调光负载突变抑制电路，其特征在于：还包括电压放大器U3和电压放大器U4；所述MOS管Q1为PMOS管；所述DC-DC模块U2的电压输出端Vout与电容C1的一端、MOS管Q1的源极以及电压放大器U4的正相输入端相连，电容C1的另一端接地，MOS管Q1的漏极与电压放大器U3的正相输入端、电压放大器U4的反相输入端和采样电阻R1的一端相连，采样电阻R1的另一端与电压放大器U3的反相输入端和所述LED调光电路的输入端相连，所述LED调光电路的输出端接地；所述电压放大器U3的输出端与误差放大器U1的正相输入端相连，所述误差放大器U1的反相输入端输入第一基准电压VREF1，所述误差放大器U1的输出端与MOS管Q1的栅极相连；所述电压放大器U4的输出端与所述DC-DC模块U2的电压反馈端FB相连，所述电压反馈端FB与DC-DC模块U...

【专利技术属性】
技术研发人员：李云峰，修利平，
申请(专利权)人：矽恩微电子厦门有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35