霍尔元件和霍尔传感器制造技术

本实用新型专利技术提供一种霍尔元件和霍尔传感器，该霍尔元件能够抑制因应力变动发生的霍尔元件的霍尔输出电压的变动。霍尔元件(100)形成为具有：基板(10)；磁感应部(20)，其形成于基板(10)上；绝缘膜(40)，其形成于磁感应部(20)上；四个导电部(电极部(31～34)以及接触部(51～54))，其形成于绝缘膜(40)上且贯穿绝缘膜(40)地与磁感应部(20)电连接，并分别配置于成为四边形的顶点的位置；以及球部(61～64)，其与导电部电连接，在霍尔元件中，将至少一个球部配置于：位于由四个导电部包围的区域所形成的四边形的对角线上的、位于导电部与绝缘膜(40)相接触的部分的上部的位置。

Hall Elements and Hall Sensors

The utility model provides a Hall element and a Hall sensor, which can suppress the Hall output voltage variation of the Hall element due to stress variation. Hall elements (100) are formed with: a substrate (10); a magnetic induction part (20), which is formed on a substrate (10); an insulating film (40), which is formed on a magnetic induction part (20); four conductive parts (31-34) and a contact part (51-54), which are formed on an insulating film (40) and are electrically connected with the magnetic induction part (20), and are respectively arranged at the positions where the vertices become quadrilateral. The sphere part (61-64) is electrically connected with the conductive part. In the Hall element, at least one sphere part is arranged at the upper part of the quadrilateral diagonal line formed by the area surrounded by four conductive parts and the contact part between the conductive part and the insulating film (40).

【技术实现步骤摘要】
霍尔元件和霍尔传感器
本技术涉及一种霍尔元件和霍尔传感器。
技术介绍
以往公知一种霍尔元件，其具有用于连接磁感应部和电极焊盘的接触部(例如参照专利文献1、专利文献2)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开昭60-175471号公报专利文献2：日本特开昭62-12974号公报
技术实现思路
技术要解决的问题在以往的霍尔元件中，电流在接触部下端集中。因此，当由于温度环境的变化等导致覆盖霍尔元件主体的周围的模制树脂发生变形等时，有可能因该变形导致霍尔元件主体发生应力变动，局部的传导率发生变化。特别是当在电流集中的接触部的周围附近发生应力变动时，有可能使霍尔输出的偏移电压发生变动，结果导致霍尔输出电压产生不均。因此，本技术是着眼于以往未解决的问题而完成的，其目的在于提供一种霍尔元件，该霍尔元件能够抑制在因温度环境的变化等导致的应力变动的作用下发生的霍尔输出电压的变动。用于解决问题的方案为了达成上述目的，本技术的一个方式的霍尔元件的特征在于，其具有：基板；磁感应部，其形成于该基板上；绝缘膜，其形成于该磁感应部上；四个导电部，其形成于所述绝缘膜上且贯穿所述绝缘膜地与所述磁感应部电连接；以及球部，其与该导电部电连接，至少一个所述球部配置于：位于由所述四个导电部包围的区域所形成的四边形的对角线上的、位于所述导电部与所述绝缘膜相接触的部分的上部的位置。此外，在本技术的霍尔元件中，优选地，在所述四个导电部中位于同一所述对角线上的、至少一个导电部对所含有的导电部分别与所述绝缘膜相接触的部分的上部分别配置有所述球部。此外，在本技术的霍尔元件中，优选地，在所述四个导电部分别与所述绝缘膜相接触的部分的上部分别配置有所述球部。此外，在本技术的霍尔元件中，优选地，所述磁感应部为四边形的形状，所述导电部配置于所述磁感应部的各个角部。此外，在本技术的霍尔元件中，优选地，所述球部为导电性材料。此外，在本技术的霍尔元件中，优选地，所述基板为半导体基板。此外，在本技术的霍尔元件中，优选地，所述基板为GaAs基板。此外，在本技术的霍尔元件中，优选地，所述基板的电阻率为1.0×105Ω·cm以上，1.0×109Ω·cm以下。此外，在本技术的霍尔元件中，优选地，所述基板具有正方形的平面形状。此外，在本技术的霍尔元件中，优选地，所述基板具有与所述磁感应部的平面形状相似的、比所述磁感应部大的平面形状。此外，在本技术的霍尔元件中，优选地，所述磁感应部为电阻低于所述基板的电阻的层。此外，在本技术的霍尔元件中，优选地，所述磁感应部为GaAs、InSb以及InAs中的任一者。此外，在本技术的霍尔元件中，优选地，所述磁感应部包含Si、Sn、S、Se、Te、Ge以及C中的任一种杂质。此外，在本技术的霍尔元件中，优选地，所述磁感应部具有至少一个角带有圆角的平面形状。此外，在本技术的霍尔元件中，优选地，所述磁感应部在基板上形成为台阶状。此外，在本技术的霍尔元件中，优选地，所述磁感应部的角部相对于所述磁感应部的厚度具有10％以上的曲率半径。此外，在本技术的霍尔元件中，优选地，所述磁感应部的角部相对于所述磁感应部的厚度具有10000％以下的曲率半径。此外，在本技术的霍尔元件中，优选地，所述磁感应部具有导电层和表面层。此外，在本技术的霍尔元件中，优选地，所述导电层为n型GaAs层。此外，在本技术的霍尔元件中，优选地，所述导电层的膜厚为50nm以上2000nm以下。此外，在本技术的霍尔元件中，优选地，所述导电层的膜厚为100nm以上1000nm以下。此外，在本技术的霍尔元件中，优选地，在所述导电层上具有表面层，所述表面层由导电性比所述导电层低的GaAs层、AlGaAs或者AlAs中的任一者形成。此外，在本技术的霍尔元件中，优选地，在所述导电层上具有表面层，所述表面层的膜厚为150nm以上。此外，在本技术的霍尔元件中，优选地，在所述导电层上具有表面层，所述表面层的膜厚为200nm以上。此外，在本技术的霍尔元件中，优选地，在所述导电层上具有表面层，所述表面层的膜厚为800nm以下。此外，在本技术的霍尔元件中，优选地，在所述导电层上具有表面层，所述表面层的膜厚为600nm以下。此外，在本技术的霍尔元件中，优选地，所述绝缘膜覆盖所述磁感应部的上表面以及侧面。此外，在本技术的霍尔元件中，优选地，所述绝缘膜的厚度为100nm以上。此外，在本技术的霍尔元件中，优选地，所述绝缘膜为氮化硅膜、氧化硅膜、氧化铝膜、聚酰亚胺膜中的任一者。此外，本技术的另一个方式的霍尔元件的特征在于，该霍尔元件具有：基板；磁感应部，其形成于该基板上；绝缘膜，其形成于该磁感应部上；四个导电部，其形成于所述绝缘膜上且贯穿所述绝缘膜地与所述磁感应部电连接；以及球部，其与该导电部电连接，所述导电部具有：电极部，其向使所述导电部彼此互相接近的方向延伸地形成于所述绝缘膜上；以及接触部，其贯穿所述绝缘膜地使所述电极部与所述磁感应部电连接，所述球部配置于：位于由所述四个导电部包围的区域所形成的四边形的对角线上的、位于所述接触部与所述绝缘膜相接触的部分的上部的位置。此外，在本技术的另一个方式的霍尔元件中，优选地，在所述四个导电部所具有的所述接触部中位于同一所述对角线上的、至少一个接触部对所含有的接触部分别与所述绝缘膜相接触的部分的上部分别配置有所述球部。此外，在本技术的另一个方式的霍尔元件中，优选地，在所述四个导电部所具有的所述接触部分别与所述绝缘膜相接触的部分的上部分别配置有所述球部。此外，在本技术的另一个方式的霍尔元件中，优选地，所述磁感应部为四边形的形状，所述导电部配置于所述磁感应部的各个角部。此外，在本技术的另一个方式的霍尔元件中，优选地，所述球部为导电性材料。此外，在本技术的另一个方式的霍尔元件中，优选地，球部从所述电极部突出。此外，在本技术的另一个方式的霍尔元件中，优选地，所述基板为半导体基板。此外，在本技术的另一个方式的霍尔元件中，优选地，所述基板为GaAs基板。此外，在本技术的另一个方式的霍尔元件中，优选地，所述基板的电阻率为1.0×105Ω·cm以上，1.0×109Ω·cm以下。此外，在本技术的另一个方式的霍尔元件中，优选地，所述基板具有正方形的平面形状。此外，在本技术的另一个方式的霍尔元件中，优选地，所述基板具有与所述磁感应部的平面形状相似的、比所述磁感应部大的平面形状。此外，在本技术的另一个方式的霍尔元件中，优选地，所述磁感应部为电阻低于所述基板的电阻的层。此外，在本技术的另一个方式的霍尔元件中，优选地，所述磁感应部为GaAs、InSb以及InAs中的任一者。此外，在本技术的另一个方式的霍尔元件中，优选地，所述磁感应部包含Si、Sn、S、Se、Te、Ge以及C中的任一种杂质。此外，在本技术的另一个方式的霍尔元件中，优选地，所述磁感应部具有至少一个角带有圆角的平面形状。此外，在本技术的另一个方式的霍尔元件中，优选地，所述磁感应部在基板上形成为台阶状。此外，在本技术的另一个方式的霍尔元件中，优选地，所述磁本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种霍尔元件，其特征在于，该霍尔元件具有：基板；磁感应部，其形成于该基板上；绝缘膜，其形成于该磁感应部上；四个导电部，其形成于所述绝缘膜上且贯穿所述绝缘膜地与所述磁感应部电连接；以及球部，其与该导电部电连接，至少一个所述球部配置于：位于由所述四个导电部包围的区域所形成的四边形的对角线上的、位于所述导电部与所述绝缘膜相接触的部分的上部的位置。

【技术特征摘要】
2017.03.23 JP 2017-0581941.一种霍尔元件，其特征在于，该霍尔元件具有：基板；磁感应部，其形成于该基板上；绝缘膜，其形成于该磁感应部上；四个导电部，其形成于所述绝缘膜上且贯穿所述绝缘膜地与所述磁感应部电连接；以及球部，其与该导电部电连接，至少一个所述球部配置于：位于由所述四个导电部包围的区域所形成的四边形的对角线上的、位于所述导电部与所述绝缘膜相接触的部分的上部的位置。2.根据权利要求1所述的霍尔元件，其特征在于，在所述四个导电部中位于同一所述对角线上的、至少一个导电部对所含有的导电部分别与所述绝缘膜相接触的部分的上部分别配置有所述球部。3.根据权利要求1所述的霍尔元件，其特征在于，在所述四个导电部分别与所述绝缘膜相接触的部分的上部分别配置有所述球部。4.根据权利要求1所述的霍尔元件，其特征在于，所述磁感应部为四边形的形状，所述导电部配置于所述磁感应部的各个角部。5.根据权利要求1所述的霍尔元件，其特征在于，所述球部为导电性材料。6.根据权利要求1所述的霍尔元件，其特征在于，所述基板为半导体基板。7.根据权利要求1所述的霍尔元件，其特征在于，所述基板为GaAs基板。8.根据权利要求1所述的霍尔元件，其特征在于，所述基板的电阻率为1.0×105Ω·cm以上，1.0×109Ω·cm以下。9.根据权利要求1所述的霍尔元件，其特征在于，所述基板具有正方形的平面形状。10.根据权利要求1所述的霍尔元件，其特征在于，所述基板具有与所述磁感应部的平面形状相似的、比所述磁感应部大的平面形状。11.根据权利要求1所述的霍尔元件，其特征在于，所述磁感应部为电阻低于所述基板的电阻的层。12.根据权利要求1所述的霍尔元件，其特征在于，所述磁感应部为GaAs、InSb以及InAs中的任一者。13.根据权利要求1所述的霍尔元件，其特征在于，所述磁感应部包含Si、Sn、S、Se、Te、Ge以及C中的任一种杂质。14.根据权利要求1所述的霍尔元件，其特征在于，所述磁感应部具有至少一个角带有圆角的平面形状。15.根据权利要求1所述的霍尔元件，其特征在于，所述磁感应部在基板上形成为台阶状。16.根据权利要求1所述的霍尔元件，其特征在于，所述磁感应部的角部相对于所述磁感应部的厚度具有10％以上的曲率半径。17.根据权利要求1所述的霍尔元件，其特征在于，所述磁感应部的角部相对于所述磁感应部的厚度具有10000％以下的曲率半径。18.根据权利要求1所述的霍尔元件，其特征在于，所述磁感应部具有导电层和表面层。19.根据权利要求18所述的霍尔元件，其特征在于，所述导电层为n型GaAs层。20.根据权利要求18所述的霍尔元件，其特征在于，所述导电层的膜厚为50nm以上2000nm以下。21.根据权利要求18所述的霍尔元件，其特征在于，所述导电层的膜厚为100nm以上1000nm以下。22.根据权利要求18所述的霍尔元件，其特征在于，在所述导电层上具有表面层，所述表面层由导电性比所述导电层低的GaAs层、AlGaAs或者AlAs中的任一者形成。23.根据权利要求18所述的霍尔元件，其特征在于，在所述导电层上具有表面层，所述表面层的膜厚为150nm以上。24.根据权利要求18所述的霍尔元件，其特征在于，在所述导电层上具有表面层，所述表面层的膜厚为200nm以上。25.根据权利要求18所述的霍尔元件，其特征在于，在所述导电层上具有表面层，所述表面层的膜厚为800nm以下。26.根据权利要求18所述的霍尔元件，其特征在于，在所述导电层上具有表面层，所述表面层的膜厚为600nm以下。27.根据权利要求1所述的霍尔元件，其特征在于，所述绝缘膜覆盖所述磁感应部的上表面以及侧面。28.根据权利要求1所述的霍尔元件，其特征在于，所述绝缘膜的厚度为100nm以上。29.根据权利要求1所述的霍尔元件，其特征在于，所述绝缘膜为氮化硅膜、氧化硅膜、氧化铝膜、聚酰亚胺膜中的任一者。30.一种霍尔元件，其特征在于，该霍尔元件具有：基板；磁感应部，其形成于该基板上；绝缘膜，其形成于该磁感应部上；四个导电部，其形成于所述绝缘膜上且贯穿所述绝缘膜地与所述磁感应部电连接；以及球部，其与该导电部电连接，所述导电部具有：电极部，其向使所述导电部彼此互相接近的方向延伸地形成于所述绝缘膜上；以及接触部，其贯穿所述绝缘膜地使所述电极部与所述磁感应部电连接，所述球部配置于：位于由所述四个导电部包围的区域所形成的四边形的对角线上的、位于所述接触部与所述绝缘膜相接触的部分的上部的位置。31.根据权利要求30所述的霍尔元件，其特征在于，在所述四个导电部所具有的所述接触部中位于同一所述对角线上的、至少一个接触部对所含有的接触部分别与所述绝缘膜相接触的部分的上部分别配置有所述球部。32.根据权利要求30所述的霍尔元件，其特征在于，在所述四个导电部所具有的所述接触部分别与所述绝缘膜相接触的部分的上部分别配置有所述球部。33.根据权利要求30所述的霍尔元件，其特征在于，所述磁感应部为四边形的形状，所述导电部配置于所述磁感应部的各个角部。34.根据权利要求30所述的霍尔元件，其特征在于，所述球部为导电性材料。35.根据权利要求30所述的霍尔元件，其特征在于，球部从所述电极部突出。36.根据权利要求30所述的霍尔元件，其特征在于，所述基板为半导体基板。37.根据权利要求30所述的霍尔元件，其特征在于，所述基板为GaAs基板。38.根据权利要求30所述的霍尔元件，其特征在于，所述基板的电阻率为1.0×105Ω·cm以上，1.0×109Ω·cm以下。39.根据权利要求30所述的霍尔元件，其特征在于，所述基板具有正方形的平面形状。40.根据权利要求30所述的霍尔元件，其特征在于，所述基板具有与所述磁感应部的平面形状相似的、比所述磁感应部大的平面形状。41.根据权利要求30所述的霍尔元件，其特征在于，所述磁感应部为电阻低于所述基板的电阻的层。42.根据权利要求3...

【专利技术属性】
技术研发人员：小路智也，赤木刚，
申请(专利权)人：旭化成微电子株式会社，
类型：新型
国别省市：日本,JP