The invention relates to a preparation method of graphene infrared detector based on integrated circuit technology. The method includes the following steps: 1) forming SiO 2/Si substrate by integrated circuit technology; 2) forming graphene unit pixel substrate by post CMOS technology; 3) transferring the graphene unit pixel substrate in step 2 to the SiO 2/Si substrate in step 1. The SiO 2 and Si materials grown by the integrated circuit process have very high material quality and very few SiO 2/Si interface defects. The preparation process is compatible with the standard integrated circuit process, reduces the manufacturing cost of the detector, and improves the performance and reliability of the detector.
【技术实现步骤摘要】
一种基于集成电路工艺的石墨烯红外探测器制备方法
本专利技术涉及光电探测
，涉及光电探测器结构，尤其涉及一种基于基于集成电路工艺的石墨烯红外探测器制备方法。
技术介绍
红外探测在军事、气象、地球环境、农业、医学等方面有着广泛的应用前景。红外探测器作为红外探测技术的核心器件，一直受到科学界和业界广泛关注和研究。常用的红外探测器从探测器机理上可分为热敏型和光子型红外探测器。热敏型探测器由于室温工作，是民用领域使用最广泛的红外探测器。这类探测器在吸收红外辐射后，自身温度会发生变化，引起探测材料某一物理属性发生变化，通过读取这一变化达到探测红外目的。但探测器加热和冷却是一个缓慢的过程，因而这类热探测器的响应速度慢，响应时间大约为毫秒级。光子型红外探测器是依赖材料内部电子直接吸收入射红外辐射，具有响应速度快、体积小、可靠性高和适应能力强等优点，但这类探测器在室温附件存在较大暗电流，降低了器件响应性能，因此大部分光子型红外探测器，如基于碲镉汞，量子阱的光子型红外探测器，需要在低温致冷条件下才能发挥其高性能，使得这类探测系统成本和复杂度较高，极大地限制了这类探测器的应用和发...
【技术保护点】
1.一种基于集成电路工艺的石墨烯红外探测器制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)利用集成电路工艺形成SiO2/Si衬底；2)获得单层石墨烯；3)将所述单层石墨烯转移到步骤1)的SiO2/Si衬底上。
【技术特征摘要】
1.一种基于集成电路工艺的石墨烯红外探测器制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)利用集成电路工艺形成SiO2/Si衬底；2)获得单层石墨烯；3)将所述单层石墨烯转移到步骤1)的SiO2/Si衬底上。2.根据权利要求1所述的一种基于集成电路工艺的石墨烯红外探测器制备方法，其特征在于，步骤1)的具体过程如下：(1)向弱p型单晶硅衬底进行磷离子的高能注入，形成n型硅阱；(2)利用热氧化的方法形成栅二氧化硅层，然后利用CVD工艺在栅二氧化硅层表面形成多晶硅层；(3)利用光刻工艺，形成探测器的SiO2/S...
【专利技术属性】
技术研发人员：闫锋，罗明成，纪小丽，王肖沐，徐挺，
申请(专利权)人：南京大学，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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