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本发明一种基于集成电路工艺的石墨烯红外探测器制备方法。该方法包括如下步骤：1)利用集成电路工艺形成SiO2/Si衬底；2)通过后CMOS工艺形成石墨烯单元像素衬底；3)将步骤2)的石墨烯单元像素衬底转移到步骤1)的SiO2/Si衬底上。本发...
该专利属于南京大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京大学授权不得商用。

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