一种高中低阶闪存的分类方法技术

本发明专利技术公开了一种高中低阶闪存的分类方法，包括以下步骤：首先使用自动判断测试闪存数据速率的方法，依照结果设定双数据速率或单数据速率；设定为单数据速率路线的，首先进行坏行测试，将闪存设定为单平面检测模式，接着对闪存进行擦除，进行读写比对分类测试，最后将分类为低阶闪存；设定为双数据速率路线的，首先进行坏行测试，将闪存设定为多平面检测模式，接着对闪存进行擦除并记录擦除失败的块，进行读写比对分类测试并记录写入失败的块；判断是否有擦除失败的块；判断是否有写入失败的块；判断是否有使用坏行，分别分类为中阶闪存、高阶闪存，该发明专利技术可以高效的将高中低阶闪存分类，较传统分类方法，分类速率提高近两倍。

A Classification Method for High, Middle and Low Order Flash Memories

The invention discloses a classification method for high, middle and low order flash memory, which includes the following steps: first, setting double data rate or single data rate according to the result by using the method of automatically judging and testing the data rate of flash memory; setting single data rate route, first conducting bad line test, setting flash memory as single plane detection mode, then erasing flash memory and performing read-write comparison. Classification test, finally classify it into low-order flash memory; set it as double data rate route, first conduct bad-line test, set flash memory as multi-plane detection mode, then erase flash memory and record erase failure blocks, read-write comparison test and record write failure blocks; judge whether there are erase failure blocks; judge whether there are write failure blocks; Whether there is bad use or not, they are classified as medium-order flash memory and high-order flash memory respectively. The invention can efficiently classify high, middle and low-order flash memory. Compared with traditional classification methods, the classification rate is nearly twice as fast.

【技术实现步骤摘要】
一种高中低阶闪存的分类方法
本专利技术涉及闪存分类方法
，具体为一种高中低阶闪存的分类方法。
技术介绍
闪存（FlashMemory）是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位（注意：NORFlash为字节存储。），区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子可擦除只读存储器（EEPROM）的变种，闪存与EEPROM不同的是，EEPROM能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，而闪存的大部分芯片需要块擦除。由于其断电时仍能保存数据，闪存通常被用来保存设置信息，如在电脑的BIOS（基本程序）、PDA（个人数字助理）、数码相机中保存资料等。闪存，由块组成，每个块又分成多个页，每个页会有多个列组合而成，此外，不能正常读写的页则属于坏页，所有页都坏的称为坏块，一般的分类方式只能单纯分出高阶或中低阶的闪存颗粒，如果需要将一组颗粒明确的分出高中低阶的等级，则会使用两套方法，花上将近两倍时间。尤其颗粒容量日益渐大，所花上的时间成本是很惊人的，因此，亟待一种改进的技术来解决现有技术中所存在的这一问题。专本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高中低阶闪存的分类方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤一：首先使用自动判断测试闪存数据速率的方法，依照结果设定双数据速率或单数据速率；步骤二：设定为单数据速率路线的，首先进行坏行测试，将闪存设定为单平面检测模式，接着对闪存进行擦除，进行读写比对分类测试，最后将分类为低阶闪存；步骤三：设定为双数据速率路线的，首先进行坏行测试，将闪存设定为多平面检测模式，接着对闪存进行擦除并记录擦除失败的块，进行读写比对分类测试并记录写入失败的块；步骤四：判断是否有擦除失败的块，如果有，分类为中阶闪存，如果没有，进入下一步；步骤五：判断是否有写入失败的块，如果有，分类为中阶闪存，如果没有，进入下一步；步骤...

【技术特征摘要】
1.一种高中低阶闪存的分类方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤一：首先使用自动判断测试闪存数据速率的方法，依照结果设定双数据速率或单数据速率；步骤二：设定为单数据速率路线的，首先进行坏行测试，将闪存设定为单平面检测模式，接着对闪存进行擦除，进行读写比对分类测试，最后将分类为低阶闪存；步骤三：设定为双数据速率路线的，首先进行坏行测试，将闪存设定为多平面检测模式，接着对闪存进行擦除并记录擦除失败的块，进行读写比对分类测试并记录写入失败的块；步骤四：判断是否有擦除失败的块，如果有，分类为中阶闪存，如果没有，进入下一步；步骤五：判断是否有写入失败的块，如果有，分类为中阶闪存，如果没有，进入下一步；步骤六：判断是否有使用坏行，如...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡定国，李庭育，黄中柱，许豪江，
申请(专利权)人：江苏华存电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32