光罩组及其光刻方法技术

本发明专利技术实施例提供一种光罩组及其光刻方法。光罩组包括：第一光罩，具有第一条状图案，沿第一方向延伸；以及第二光罩，具有第二条状图案，沿第二方向延伸，第二方向与第一方向相异；其中第一光罩与第二光罩叠置对同一光刻胶层双重曝光时，第一条状图案与第二条状图案的重叠区域形成交错式图案。通过实施本发明专利技术，可降低接点电阻，进一步提升产品效能。

Mask group and lithography method

The embodiment of the present invention provides a mask group and a photolithography method thereof. The mask group includes: a first mask with a first strip pattern extending in the first direction; and a second mask with a second strip pattern extending in the second direction, which is different from the first direction; when the first mask and the second mask are overlapped and double exposed to the same photoresist layer, the overlapping area of the first pattern and the second pattern forms a staggered pattern. By implementing the invention, the contact resistance can be reduced and the product efficiency can be further improved.

【技术实现步骤摘要】
光罩组及其光刻方法
本专利技术实施例有关于一种光刻技术，且特别有关于一种用于双重曝光的光罩组(maskassembly)及其光刻方法。
技术介绍
半导体集成电路产业经历快速成长。集成电路设计与材料的科技发展生产了数世代的集成电路，其中每个世代具备比上个世代更小及更复杂的电路。在集成电路发展的进程中，几何尺寸逐渐缩小。光刻技术是推动半导体尺寸持续微缩的重要关键，在业界持续的开发下，现在已有很多不同的方式可加以运用，包括双重曝光(DoubleExposure,DE)、双光刻刻蚀(LithoEtchingLithoEtching,LELE)、极紫外光光刻(ExtremeUltravioletLithography,EUVL)、自对准双重图案(SelfAlignmentDoublePatterning,SADP)、负型显影(negativetonedevelopment,NTD)、定向自我组装(directedself-assembly,DSA)等等方式。目前极紫外光光刻的光源功率尚未提升至可量产的能力，而定向自我组装的材料尚在研发阶段，因此现行的图形微缩则仰赖多重图案化(multi-pat本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光罩组，其特征在于，包括：一第一光罩，具有多个第一条状图案，该多个第一条状图案沿一第一方向延伸；以及一第二光罩，具有多个第二条状图案，该多个第二条状图案沿一第二方向延伸，该第二方向与该第一方向相异；其中该第一光罩与该第二光罩叠置对同一光刻胶层双重曝光时，该多个第一条状图案与该多个第二条状图案的重叠区域形成一交错式图案。

【技术特征摘要】
1.一种光罩组，其特征在于，包括：一第一光罩，具有多个第一条状图案，该多个第一条状图案沿一第一方向延伸；以及一第二光罩，具有多个第二条状图案，该多个第二条状图案沿一第二方向延伸，该第二方向与该第一方向相异；其中该第一光罩与该第二光罩叠置对同一光刻胶层双重曝光时，该多个第一条状图案与该多个第二条状图案的重叠区域形成一交错式图案。2.如权利要求1所述的光罩组，其特征在于，该第一方向或该第二方向平行于该第一光罩或该第二光罩的一边框。3.如权利要求1所述的光罩组，其特征在于，该第一方向及该第二方向不平行于该第一光罩或该第二光罩的一边框。4.如权利要求1所述的光罩组，其特征在于，该多个第一条状图案与该多个第二条状图案的重叠区域为接触孔洞图案。5.如权利要求1所述的光罩组，其特征在于，该多个第一条状图案与该多个第二条状图案的重叠区域大抵呈正方形。6.如权利要求1所述的光...

【专利技术属性】
技术研发人员：李正强，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71