掩模板、曝光方法和触控面板技术

提供一种掩模板，包括：多个遮光条，所述多个遮光条配置为阻挡光线，所述多个遮光条包围形成的间隙允许光线通过，其中，所述多个遮光条布置成网格状，所述多个遮光条包括第一遮光条和第二遮光条，所述第一遮光条位于所述掩模板的至少一个侧边缘处，所述第一遮光条的宽度大于所述第二遮光条的宽度。还提供一种使用该掩模板的曝光方法和使用该曝光方法制造的触控面板。

Mask, exposure method and touch panel

A mask mask is provided, which includes: a plurality of shading bars arranged to block light, a gap formed by the plurality of shading bars surrounded to allow light to pass through, wherein the plurality of shading bars arranged in a grid shape, the plurality of shading bars including a first shading bar and a second shading bar, and the first shading bar position. At at least one side edge of the mask, the width of the first light shielding strip is larger than that of the second light shielding strip. An exposure method using the mask and a touch panel manufactured using the exposure method are also provided.

【技术实现步骤摘要】
掩模板、曝光方法和触控面板
本公开涉及掩模曝光
，更具体地，涉及一种掩模板、使用该掩模板的曝光方法以及使用该曝光方法制造的触控面板。
技术介绍
随着显示技术的不断发展，显示面板或触控面板的尺寸在不断增大。为了生产出更大尺寸的显示面板或触控面板，需要建立新的生产线。而建立新的生产线，特别是更高世代的生产线，不仅需要巨大的投资，而且还存在较高的技术风险。因此，存在使用小世代的生产线生产大尺寸的显示面板或触控面板的需求。
技术实现思路
一个方面，提供一种掩模板，包括：多个遮光条，所述多个遮光条配置为阻挡光线，所述多个遮光条包围形成的间隙允许光线通过，其中，所述多个遮光条布置成网格状，所述多个遮光条包括第一遮光条和第二遮光条，所述第一遮光条位于所述掩模板的至少一个侧边缘处，所述第一遮光条的宽度大于所述第二遮光条的宽度。可选地，所述掩模板用于包括至少两次曝光的拼接曝光工艺中，所述第一遮光条具有第一宽度，所述第二遮光条具有第二宽度，所述第一宽度与所述第二宽度之间的差值与拼接曝光工艺中两次曝光之间的掩模板的位置偏差成正比。可选地，所述第一宽度和所述第二宽度满足如下关系式：Wm1＝Wm2+2Wp，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种掩模板，其特征在于，包括：多个遮光条，所述多个遮光条配置为阻挡光线，所述多个遮光条包围形成的间隙允许光线通过，其中，所述多个遮光条布置成网格状，所述多个遮光条包括第一遮光条和第二遮光条，所述第一遮光条位于所述掩模板的至少一个侧边缘处，所述第一遮光条的宽度大于所述第二遮光条的宽度。

【技术特征摘要】
1.一种掩模板，其特征在于，包括：多个遮光条，所述多个遮光条配置为阻挡光线，所述多个遮光条包围形成的间隙允许光线通过，其中，所述多个遮光条布置成网格状，所述多个遮光条包括第一遮光条和第二遮光条，所述第一遮光条位于所述掩模板的至少一个侧边缘处，所述第一遮光条的宽度大于所述第二遮光条的宽度。2.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述掩模板用于包括至少两次曝光的拼接曝光工艺中，所述第一遮光条具有第一宽度，所述第二遮光条具有第二宽度，所述第一宽度与所述第二宽度之间的差值与拼接曝光工艺中两次曝光之间的掩模板的位置偏差成正比。3.根据权利要求2所述的掩模板，其特征在于，所述第一宽度和所述第二宽度满足如下关系式：Wm1＝Wm2+2Wp，其中，Wm1为所述第一宽度，Wm2为所述第二宽度，Wp为宽度差且大于零。4.根据权利要求3所述的掩模板，其特征在于，所述宽度差Wp大于等于16μm。5.根据权利要求2所述的掩模板，其特征在于，所述第一遮光条位于所述掩模板的沿拼接方向的两个侧边缘处，或者，所述第一遮光条位于所述掩模板的四个侧边缘处。6.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述第二遮光条的宽度小于等于6μm。7.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于，两个相邻的所述第二遮光条之间的间距在100～300μm的范围内。8.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述掩模板还包括至少一个对位标记。9.一种曝光方法，其特征在于，该曝光方法使用权利要求1-8中任一项所述的掩模板在基板上执行拼接曝光工艺，所述基板包括第一曝光区域和第二曝光区域，该曝光方法包括如下步骤：对准所述掩模板与所述基板的第一曝光区域，以执行第一次曝光；使所述掩模板与所述基板相对运动；和对准所述掩模板与所述基板的第二曝光区域，以执行第二次曝光。10.根据权利要求9所述的曝光方法，其特征在于，所述执行第一次曝光包括：利用所述掩模板的第一遮光条，在所述第一曝光区域中形成第一图案...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑启涛，许邹明，张雷，田健，张贵玉，刘纯建，吴信涛，陈彤，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11