The invention relates to the technical field of beam acquisition and calibration, relates to an ion implanter, and belongs to the field of semiconductor manufacturing. An accurate acquisition beam circuit includes a constant current source unit (1), a beam acquisition and range switching unit (2), an operational amplification unit (3), an AD conversion unit (4) and a single chip computer controller (5). This system can accurately collect the weak beam signal of the ion implanter. The specification gives a detailed description of the hardware circuit, and gives the specific implementation plan.
【技术实现步骤摘要】
一种精确采集束流电路
本专利技术涉及离子注入机束流的采集,涉及离子注入机,属于半导体装备制造领域。
技术介绍
离子注入机是半导体器件制造中最关键的掺杂设备之一。随着半导体器件制造的集成度向片上系统规模发展,特别是片上晶体管、场效应管尺寸的减缩,对离子束注入掺杂技术提出了很明显的挑战。为了保证片上浅结晶体管和场效应管的性能稳定和重复,在离子注入掺杂过程中,要求对束流的精确采集和注入剂量、注入能量以及注入角度的精确控制有很高的要求。本专利技术提供了一种精确采集束流电路,该电路实现精确的采集离子注入机的束流信号,实践表明该电路对束流的检测效果良好。
技术实现思路
本专利技术涉及一种精确采集束流电路。该专利技术应用于离子注入机,该电路适用于注入过程中对束流的检测。本专利技术通过以下技术方案实现:一种精确采集束流电路,主要包括:恒流源单元(1)、束流采集与量程切换单元(2)、运算放大单元(3)、AD转换单元(4)、单片机控制器(5)。各功能单元的实现电路及作用如下:恒流源单元(1):有两路恒流源,18μA和18mA恒流源。恒流源单元中Ref102芯片提供10V精密电压基准,在输出端串联一个1K的精密电阻,18μA恒流源有一个554.55K的精密电阻与1K精密电阻串联,另一路1.8mA恒流源有一个4.5555K精密电阻也与1K精密电路串联,以上提到精密电阻精度为0.01%,温度系数为5ppm/℃。通过计算可知:束流采集与量程切换单元(2):该单元负责采集束流信号,并根据束流大小确定具体量程通道,初始量程通道为2mA通道,通过控制器可以控制量程开关即继电器的通断。运算放大单 ...
【技术保护点】
1.一种精确采集束流电路,主要包括:恒流源单元(1)、束流采集与量程切换单元(2)、运算放大单元(3)、AD转换单元(4)、单片机控制器(5),工作流程:首先是束流采集与量程切换单元(2)采集恒流源单元(1)信号,通过运算放大单元(3)和AD转换单元(4)将数据发送给单片机控制器(5),在通过分析对比采集数据与恒流源对应的标准数据的差异来调节运算放大单元(3)的失调电压,对束流采集电路进行校准,调节完成后在进行测试,直到误差小于0.5%为止,校准完成后束流采集与量程切换单元(2)采集离子注入机的束流信号,信号经过运算放大单元(3)转化为电压信号,在经过AD转换单元(4)将数据发送给控制器(5)对数据进行分析并控制束流与量程切换采集单元(2)选择合适量程进行数据采集工作。
【技术特征摘要】
1.一种精确采集束流电路,主要包括:恒流源单元(1)、束流采集与量程切换单元(2)、运算放大单元(3)、AD转换单元(4)、单片机控制器(5),工作流程:首先是束流采集与量程切换单元(2)采集恒流源单元(1)信号,通过运算放大单元(3)和AD转换单元(4)将数据发送给单片机控制器(5),在通过分析对比采集数据与恒流源对应的标准数据的差异来调节运算放大单元(3)的失调电压,对束流采集电路进行校准,调节完成后在进行测试,直到误差小于0.5%为止,校准完成后束流采集与...
【专利技术属性】
技术研发人员:孙腾,
申请(专利权)人:北京中科信电子装备有限公司,
类型:发明
国别省市:北京,11
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