InP量子点及其制备方法技术

本申请提供一种InP量子点及其制备方法。InP量子点的制备方法包括：步骤S1：在100～150℃下，向含有铟前驱体、第一配体和第一有机溶剂的混合体系中加入PH3，得到纳米晶核溶液；步骤S2：将步骤S1中所述纳米晶核溶液降温至0～60℃，加入第二配体，得到具有第二配体修饰的纳米晶核溶液；步骤S3：将步骤S2中所述第二配体修饰的纳米晶核溶液升温至200～300℃，加入合成壳层所需前驱体，得到具有壳层的InP量子点。通过控制前驱体、温度、第一配体、第二配体等，易于控制所得到的InP量子点的发射波长，且InP量子点的半峰宽较小。

InP quantum dots and their preparation methods

The present application provides an InP quantum dot and a preparation method thereof. The preparation methods of InP quantum dots include: (1) adding PH3 to the mixtures containing indium precursors, first ligands and first organic solvents at 100-150 degrees C to obtain nanocrystalline nucleus solution; (2) cooling the nanocrystalline nucleus solution described in E to 0-60 degrees C and adding the second ligand to obtain nanocrystalline nucleus solution modified by the second ligand; (3) adding PH3 to the mixtures containing indium precursors, first ligands and first organic solvents to obtain nanocrystalline nucleus solution. The nanocrystalline nucleus solution modified by the second ligand is heated to 200-300 C, and the precursor required for the synthesis of the shell is added to obtain InP quantum dots with the shell. By controlling the precursor, temperature, the first ligand and the second ligand, it is easy to control the emission wavelength of the InP quantum dots, and the half-peak width of the InP quantum dots is smaller.

【技术实现步骤摘要】
InP量子点及其制备方法分案申请本申请为2016年09月07日提交的题为“一种InP量子点及其制备方法”的中国专利申请“201610807861.X”的分案申请。
本申请涉及量子点制备
，尤其涉及一种InP量子点及其制备方法。
技术介绍
量子点具有激发波长范围宽、半峰宽窄、斯托克斯位移大，光稳定性强等优点，因而被广泛的应用于显示、生物标记、太阳能电池等领域。与II-VI族元素量子点相比，由于不具有内在的毒性，以InP量子点为代表的III-V族元素量子点成为研究的热点和趋势。由于InP量子点的成核与生长过程较难控制，使得现有以PH3为磷源制备InP量子点的过程中不易控制InP量子点的发射波长，且半峰宽较大。
技术实现思路
针对上述问题，本申请的目的在于提供一种以PH3为磷源、易于控制合成InP量子点的方法。根据本申请的一个方面，提供一种InP量子点的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：步骤S1：在100～150℃下，向含有铟前驱体、第一配体和第一有机溶剂的混合体系中加入PH3，得到纳米晶核溶液；步骤S2：将步骤S1中所述纳米晶核溶液降温至0～60℃，加入第二配体，得到具有第二配体本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种InP量子点的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：步骤S1：在100～150℃下，向含有铟前驱体、第一配体和第一有机溶剂的混合体系中加入PH3，得到纳米晶核溶液；步骤S2：将步骤S1中所述纳米晶核溶液降温至0～60℃，加入第二配体，得到具有第二配体修饰的纳米晶核溶液；步骤S3：将步骤S2中所述第二配体修饰的纳米晶核溶液升温至200～300℃，加入合成壳层所需前驱体，得到具有壳层的InP量子点。

【技术特征摘要】
1.一种InP量子点的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：步骤S1：在100～150℃下，向含有铟前驱体、第一配体和第一有机溶剂的混合体系中加入PH3，得到纳米晶核溶液；步骤S2：将步骤S1中所述纳米晶核溶液降温至0～60℃，加入第二配体，得到具有第二配体修饰的纳米晶核溶液；步骤S3：将步骤S2中所述第二配体修饰的纳米晶核溶液升温至200～300℃，加入合成壳层所需前驱体，得到具有壳层的InP量子点。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述铟前驱体包括醋酸铟、硬脂酸铟、十四酸铟、氯化铟、碘化铟和溴化铟中的至少一种。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一配体为羧酸。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述第一配体...

【专利技术属性】
技术研发人员：王允军，张卫，
申请(专利权)人：苏州星烁纳米科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32