The invention provides a welding method of aluminium silicon carbide ceramic substrate based on PVD coating, which includes the following steps: S1, cleaning and drying aluminium silicon carbide ceramic substrate and DBC plate by acetone degreaser, water and weak hydrochloric acid in turn; S2, placing polished aluminium silicon carbide ceramic substrate and DBC plate in the coating chamber for copper plating, respectively, obtaining a bottom coating; S3, which will complete the bottom coating; Aluminum SiC ceramic substrates and DBC plates are placed in the coating chamber, and nickel-boron plating is carried out on the bottom layer to obtain the nickel-boron weldable layer on the Aluminum SiC ceramic substrates and the nickel-boron weldable layer on the DBC plates respectively; S4, the Aluminum SiC ceramic substrates and DBC plates in S3 are cleaned, and then the DBC plates are placed on the Aluminum SiC ceramic substrates, and the nickel-boron weldable layer and Aluminum SiC substrates of the DBC plates are obtained. The nickel-boron weldable layer on the ceramic substrate contacts each other; S5, the overlapped substrate in S4 is placed in the reflux furnace for reflux welding to complete the welding of the aluminium silicon carbide ceramic substrate; the welding bonding force of the invention is large, the preparation process is simple, and can be widely used in production.
【技术实现步骤摘要】
一种基于PVD涂层的铝碳化硅陶瓷基板的焊接方法
本专利技术属于铝碳化硅复合材料
，具体涉及一种基于PVD涂层的铝碳化硅陶瓷基板的焊接方法。
技术介绍
铝碳化硅陶瓷基板具有高热导率、热膨胀系数可调、高比强度和比刚度、耐磨、耐疲劳、低密度和良好的尺寸稳定性等性能而被广泛的应用到航空航天和电子设备领域，陶瓷材料由于其性脆质硬，熔点比金属高，线膨胀系数与金属相差较大，使焊后接头中的残余应力很高。加之陶瓷与金属的相容性差，因此金属与陶瓷的焊接性很差，市场常用的电弧焊与电阻焊不能获得满意的焊接接头，粘结和机械连接的应用范围很小。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种基于PVD涂层的铝碳化硅陶瓷基板的焊接方法，解决了现有的金属与陶瓷的焊接性差的问题。为了达到上述目的，本专利技术采用的技术方案是：本专利技术提供的一种基于PVD涂层的铝碳化硅陶瓷基板的焊接方法,包括以下步骤：S1，将铝碳化硅陶瓷基板和DBC板依次利用丙酮除油剂、水和弱盐酸进行清洗、干燥；S2，将抛光后的铝碳化硅陶瓷基板和DBC板放置在镀膜室中进行镀铜，分别得到铝碳化硅陶瓷基板的打底膜层和DBC板的打底膜层；...
【技术保护点】
1.一种基于PVD涂层的铝碳化硅陶瓷基板的焊接方法,其特征在于，包括以下步骤：S1，将铝碳化硅陶瓷基板和DBC板依次利用丙酮除油剂、水和弱盐酸进行清洗、干燥；S2，将S1清洗后得到的铝碳化硅陶瓷基板和DBC板分别放置在镀膜室中进行镀铜，分别得到铝碳化硅陶瓷基板的打底膜层和DBC板的打底膜层；S3，将完成打底的铝碳化硅陶瓷基板和DBC板放置在镀膜室中，在打底膜层上进行镀镍硼，分别得到铝碳化硅陶瓷基板的镍硼可焊接层和DBC板的镍硼可焊接层；S4，将S3中的铝碳化硅陶瓷基板和DBC板依次利用丙酮除油剂、水和弱盐酸进行清洗，之后将DBC板放置在铝碳化硅陶瓷基板上，且DBC板的镍硼可...
【技术特征摘要】
1.一种基于PVD涂层的铝碳化硅陶瓷基板的焊接方法,其特征在于，包括以下步骤：S1，将铝碳化硅陶瓷基板和DBC板依次利用丙酮除油剂、水和弱盐酸进行清洗、干燥；S2，将S1清洗后得到的铝碳化硅陶瓷基板和DBC板分别放置在镀膜室中进行镀铜，分别得到铝碳化硅陶瓷基板的打底膜层和DBC板的打底膜层；S3，将完成打底的铝碳化硅陶瓷基板和DBC板放置在镀膜室中，在打底膜层上进行镀镍硼，分别得到铝碳化硅陶瓷基板的镍硼可焊接层和DBC板的镍硼可焊接层；S4，将S3中的铝碳化硅陶瓷基板和DBC板依次利用丙酮除油剂、水和弱盐酸进行清洗，之后将DBC板放置在铝碳化硅陶瓷基板上，且DBC板的镍硼可焊接层与铝碳化硅陶瓷基板上的镍硼可焊接层相接触；S5，将S4中叠放完后的基板放置在回流炉中进行回流焊，完成铝碳化硅陶瓷基板的焊接。2.根据权利要求1所述的一种基于PVD涂层的铝碳化硅陶瓷基板的焊接方法，其特征在于，S1中，在清洗时，首先采用浓度为40g/L的丙酮除油剂进行除油并干燥，之后，采用30-70℃的水进行清洗1-10min，最后，采用19-30℃的弱盐酸清洗20-50s。3.根据权利要求1所述的一种基于PVD涂层的铝碳化硅陶瓷基板的焊接方法,其特征在于，S1中，弱盐酸为浓度为5-20％磷酸乙二胺溶液。4.根据权利要求1所述的一种基于PVD涂层的铝碳化硅陶瓷基板的焊接方法，其特征在于，S2中，镀铜的具体方法是：首先，在0.1-0.01Pa的真空条件下，将铝碳化硅陶瓷基板和DBC板加...
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