一种非生产性晶圆清洗方法技术

技术编号:19945849 阅读:72 留言:0更新日期:2019-01-03 02:58
本发明专利技术涉及一种非生产性晶圆清洗方法,包括以下步骤:S1:对非生产性晶圆进行颗粒度检测;S2:将颗粒度检测结果与一预设阈值进行对比,若所述颗粒度检测结果大于所述预设阈值,转入S3;S3:使用清洗剂对所述非生产性晶圆进行清洗;S4:将清洗后的所述非生产性晶圆进行颗粒度检测;步骤S5:将颗粒度检测结果与所述预设阈值进行对比,若所述颗粒度检测结果大于所述预设阈值,转入S3;S6:将所述非生产性晶圆回收使用;所述S3包括以下步骤:S31:使用有机混合试剂对所非生产性述晶圆进行清洗;S32:使用无机混合试剂对所述非生产性晶圆进行清洗。其优点在于,先后使用有机混合试剂和无机混合试剂进行清洗,有效去除颗粒,提高晶圆片的循环使用次数。

An unproductive wafer cleaning method

The invention relates to an unproductive wafer cleaning method, which comprises the following steps: S1: particle size detection of unproductive wafers; S2: comparing the results of particle size detection with a preset threshold, if the results of particle size detection are greater than the preset threshold, they are transferred to S3; S3: cleaning the unproductive wafers with a cleaning agent; S4: cleaning the unproductive wafers after cleaning; S4: comparing the results of particle size detection with the preset threshold. Productive wafers are tested for particle size; The reagent cleans the unproductive wafer. The advantages of the method are that organic and inorganic mixed reagents are used successively to clean the wafers, effectively remove the particles and increase the number of recycled wafers.

【技术实现步骤摘要】
一种非生产性晶圆清洗方法
本专利技术涉及微电子制造与半导体测试
,尤其涉及一种非生产性晶圆清洗方法。
技术介绍
在当前晶圆片可靠性测试中,对于晶圆片量测机台会进行日常的颗粒度检测,目的是监测机台内部的颗粒数量,以确定晶圆片在测试过程中不会增加过多缺陷。对这些做日常颗粒度检测的非生产性晶圆片的清洗时,采用通常的清洗试剂和清洗方法,清洗后的非生产性晶圆片上仍然存在大量的颗粒,导致非生产性晶圆片的回收使用效果不佳,回收次数有限,增加生产成本。因此,亟需一种能够有效清除非生产性晶圆片上的不同类型的颗粒,提高非生产性晶圆的回收使用效率,降低成本的清洁回收方法。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对现有技术中的不足,提供一种非生产性晶圆清洗方法。为实现上述目的,本专利技术采取的技术方案是:一种非生产性晶圆清洗方法,包括以下步骤:步骤S1:对非生产性晶圆进行颗粒度检测;步骤S2:将所述步骤S1中的颗粒度检测结果与一预设阈值进行对比,若所述颗粒度检测结果大于所述预设阈值,转入步骤S3;反之,转入步骤S6;步骤S3:使用清洗剂对所述非生产性晶圆进行清洗;步骤S4:将经所述步骤S3清洗后的所述非生产性本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种非生产性晶圆清洗方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤S1:对非生产性晶圆进行颗粒度检测;步骤S2:将所述步骤S1中的颗粒度检测结果与一预设阈值进行对比,若所述颗粒度检测结果大于所述预设阈值,转入步骤S3;反之,转入步骤S6;步骤S3:使用清洗剂对所述非生产性晶圆进行清洗;步骤S4:将经所述步骤S3清洗后的所述非生产性晶圆进行颗粒度检测;步骤S5:将所述步骤S4中的颗粒度检测结果与所述预设阈值进行对比,若所述颗粒度检测结果大于所述预设阈值,转入步骤S3;反之,转入步骤S6;步骤S6:将所述非生产性晶圆回收使用;其中,所述步骤S3包括以下步骤:步骤S31:使用有机混合试剂对所述非生产性晶圆...

【技术特征摘要】
1.一种非生产性晶圆清洗方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤S1:对非生产性晶圆进行颗粒度检测;步骤S2:将所述步骤S1中的颗粒度检测结果与一预设阈值进行对比,若所述颗粒度检测结果大于所述预设阈值,转入步骤S3;反之,转入步骤S6;步骤S3:使用清洗剂对所述非生产性晶圆进行清洗;步骤S4:将经所述步骤S3清洗后的所述非生产性晶圆进行颗粒度检测;步骤S5:将所述步骤S4中的颗粒度检测结果与所述预设阈值进行对比,若所述颗粒度检测结果大于所述预设阈值,转入步骤S3;反之,转入步骤S6;步骤S6:将所述非生产性晶圆回收使用;其中,所述步骤S3包括以下步骤:步骤S31:使用有机混合试剂对所述非生产性晶圆进行清洗;步骤S32:使用无机混合试剂对经步骤S31清洗后的所述非生产性晶圆进行清洗。2.根据权利要求1所述的非生产性晶圆清洗方法,其特征在于,所述步骤S31包括以下步骤:步骤S31a:使用所述有机混合试剂对所述晶圆进行清洗;步骤S31b:使用所述有机混合试剂对经所述步骤S31a清洗后的所述晶圆进行清洗。3.根据权利要求1所述的非生产性晶圆清洗方法,其特征在于,所述预设阈值为颗粒数量值,所...

【专利技术属性】
技术研发人员:王靓莫保章
申请(专利权)人:上海华力微电子有限公司
类型:发明
国别省市:上海,31

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