【技术实现步骤摘要】
一种水冷IGBT组合装配装置
本专利技术属于电子元器件
,具体涉及一种水冷IGBT组合装配装置。
技术介绍
在当今电力电子控制、新能源汽车控制领域,能源变换与传输的核心器件是绝缘栅双极型晶体管,即IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)。绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有高输入阻抗和低导通压降两方面的特点。IGBT在实际的应用中,往往是以3的整数倍个IGBT组合在一起使用,组合装配结构如图1所示,该种组合装配结构存在以下不足之处:结构不紧凑,体积较大,占用空间大,对结构布局的紧凑性影响巨大,从而导致产品的功率密度低,影响产品的竞争力,同时也局限了产品的应用范围,而且该种组合装配结构散热效果不佳,热量积聚影响了产品使用寿命。在新能源汽车领域,该组合应用形式导致电机控制器结构体积大、重量大,从而不利于新能源汽车的轻量化及电量的浪费。
技术实现思路
针对上述现有技术中存在的问题,本专利技术的目的在于提供一种可避免出现上述技术缺陷的水冷IGBT组合装配装 ...
【技术保护点】
1.一种水冷IGBT组合装配装置,其特征在于,包括两个水管连接件和多个冷却管,两个水管连接件分别为相同结构的进水管连接件和出水管连接件;水管连接件包括一体成型的水管连接头和冷却管连接部,冷却管连接部上开设有多个连接孔;每个冷却管的两端分别插入进水管连接件冷却管连接部和出水管连接件冷却管连接部的互相对应的两个连接孔中,且冷却管的端部与连接孔密封连接;相邻两个冷却管之间形成有用于夹住MOS单管的缝隙,每个冷却管上套箍有多个用于隔开相邻两个MOS单管的限位块。
【技术特征摘要】
1.一种水冷IGBT组合装配装置,其特征在于,包括两个水管连接件和多个冷却管,两个水管连接件分别为相同结构的进水管连接件和出水管连接件;水管连接件包括一体成型的水管连接头和冷却管连接部,冷却管连接部上开设有多个连接孔;每个冷却管的两端分别插入进水管连接件冷却管连接部和出水管连接件冷却管连接部的互相对应的两个连接孔中,且冷却管的端部与连接孔密封连接;相邻两个冷却管之间形成有用于夹住MOS单管的缝隙,每个冷却管上套箍有多个用于隔开相邻两个MOS单管的限位块。2.根据权利要求1所述的水冷IGBT装配装置,...
【专利技术属性】
技术研发人员:饶胜,樊美红,
申请(专利权)人:江苏罗思韦尔电气有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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