功率半导体模块及其散热系统技术方案

本实用新型专利技术提供了一种功率半导体模块，包括IGBT芯片、壳体以及壳体上设置的冷却液进口和冷却液出口，所述壳体具有腔体，所述腔体一端与所述冷却液进口连通，另一端与所述冷却液出口连通，所述IGBT芯片设置于所述腔体内部或侧壁。本实用新型专利技术通过将冷却液流道直接设置在功率模块内部，将IGBT芯片直接浸没在冷却液中，所述IGBT芯片能够与所述冷却液直接接触，省去了以往功率模块中必须经由绝缘基板、焊接层等中间物质传递热量的过程，进而降低了热源到环境间的热阻，提高了散热效率。

【技术实现步骤摘要】
功率半导体模块及其散热系统
本技术涉及功率半导体封装领域，更详细地说，本技术涉及一种功率半导体模块及其散热系统。
技术介绍
伴随着电力电子装置小型化的趋势，市场对于半导体功率模块，除了传统的电流输出能力的要求以外，还对单位体积内输出功率的能力，即功率密度，提出了要求。例如近来日渐普及的EV/PHEV电动汽车，其内部空间布局极为紧凑，因此对其功率模块的功率密度要求尤为严格。为了提升功率模块的功率密度，目前主流方法包括采用替身芯片技术降低芯片损耗以及增强散热、降低芯片到环境的热阻。为了实现增强散热、降低芯片到环境的热阻的效果，功率模块通常会加装散热设备，常用的散热设备包括风冷设备和液冷设备。其中，风冷设备即利用风机系统对功率模块的芯片或封装结构表面进行鼓风，以使功率模块与气流进行换热，从而降低功率模块的温度；液冷设备则采用液流替代气流进行换热，目前广泛使用的液冷设备分为间接水冷设备和直接水冷设备。图1示出了一种间接水冷的绝缘栅双极晶体管(insulated-gatebipolartransistor，IGBT)模块散热结构，其中，IGBT模块封装结构被安装在水冷散热器上，内部芯片产生的热本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种功率半导体模块，其特征在于，包括IGBT芯片、壳体以及壳体上设置的冷却液进口和冷却液出口，所述壳体具有腔体，所述腔体一端与所述冷却液进口连通，另一端与所述冷却液出口连通，所述IGBT芯片设置于所述腔体内部或侧壁。

【技术特征摘要】
1.一种功率半导体模块，其特征在于，包括IGBT芯片、壳体以及壳体上设置的冷却液进口和冷却液出口，所述壳体具有腔体，所述腔体一端与所述冷却液进口连通，另一端与所述冷却液出口连通，所述IGBT芯片设置于所述腔体内部或侧壁。2.如权利要求1所述的功率半导体模块，其特征在于，所述功率半导体模块采用金属密封结构。3.如权利要求1所述的功率半导体模块，其特征在于，所述腔体内设置有分流片。4.如权利要求3所述的功率半导体模块，其特征在于，所述分流片包括设置于所述冷却液进口处和设置于所述冷却液出口处的分流片。5.如权利要求1所述的功率半导体模块，其特征在于，还包括多个散热翅片，所述散热翅片一端抵靠所述IGBT芯片，另一端浸没于所述冷却液中。6.如权利要求1所述的功率半导体模块，其特征在于，还包括绑定线和绑定线固定件，所述绑定线固定件能够使所述绑定线靠近所述腔体侧壁固定，以降低所述绑定线对所冷却液流动的干扰...

【专利技术属性】
技术研发人员：李俊，
申请(专利权)人：富士电机中国有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31