半导体存储器设备、存储器模块和包括其的系统技术方案

本发明专利技术提供一种半导体存储器设备，其可以包括第一存储器设备和第二存储器设备，并且可以执行各种操作模式。在第一操作模式中，第一存储器设备和第二存储器设备可以独立地执行写入操作和读取操作。在第二操作模式中，第一存储器设备可以执行写入操作和读取操作并且第二存储器设备可以执行写入操作。在第三操作模式中，第二存储器设备可以执行写入操作和读取操作。

【技术实现步骤摘要】
半导体存储器设备、存储器模块和包括其的系统相关申请的交叉引用本申请要求于2017年6月20日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2017-0077692的韩国专利申请的优先权，其整体通过引用并入本文。
各个实施例总体涉及一种半导体技术，并且更特别地，涉及一种半导体存储器设备、存储器模块以及系统。
技术介绍
一般的计算机系统可以包括处理器和存储器。处理器和存储器可以被安装到包括信号传输线的主板上并且可以执行数据通信。多个存储器设备可以以模块类型被配置并且被安装到主板上。当存储器被用于诸如服务器的系统中时，存储器可以采用镜像模式以提高服务器的可靠性。在服务器中，由于系统应当被稳定地管理，因此操作可靠性被认为是非常重要的因素。作为用于提高服务器可靠性的RAS(可靠性、可用性和可服务性)特征中的一个，镜像模式是确保可靠性所需的必要操作中的一个。通常，为了执行镜像模式，由于应当在处理器和存储器之间使用附加通道或附加接口芯片，因此配置系统的成本不可避免地增加。并且，由于当执行镜像模式时，不能同时执行RAS特征中的另一种操作模式，因此存在限制。
技术实现思路
在实施例中，可以提供一种半导体存储器设备。半导体存储器设备可以包括第一存储器设备。半导体存储器设备可以包括第二存储器设备。在第一操作模式中，第一存储器设备和第二存储器设备可以独立地执行写入操作和读取操作。第一存储器设备可以执行写入操作和读取操作。在第二操作模式中，第二存储器设备可以利用第一存储器设备执行写入操作。在第三操作模式中，第二存储器设备可以代替第一存储器设备执行写入操作和读取操作。在实施例中，可以提供一种系统。系统可以包括具有第一存储器设备和第二存储器设备的半导体存储器设备。系统可以包括可操作以访问半导体存储器设备以执行数据输入/输出操作的外部设备。在第一操作模式中半导体存储器设备可以通过第一存储器设备利用外部设备执行数据输入/输出操作。在第二操作模式中半导体存储器设备可以通过第一存储器设备和第二存储器设备利用外部设备执行数据输入/输出操作。在第三操作模式中半导体存储器设备可以通过第二存储器设备利用外部设备执行数据输入/输出操作。在实施例中，可以提供一种半导体存储器设备。半导体存储器设备可以包括第一存储器设备。半导体存储器设备可以包括第二存储器设备。第一存储器设备可以包括第一命令电路，其基于命令信号和第一芯片选择信号来激活第一存储器设备以允许第一存储器设备执行数据输入/输出操作。第二存储器设备可以包括第二命令电路，其基于命令信号、第一芯片选择信号和第二芯片选择信号来激活第二存储器设备以允许第二存储器设备执行数据输入/输出操作。附图说明图1是示出根据实施例的系统配置示例的代表示图。图2是示出根据实施例的半导体存储器设备配置示例的代表的示图。图3A是示出图2所示的第二命令电路配置示例的代表的示图。图3B是示出图2所示的第一命令电路配置示例的代表的示图。图4A是示出图3A所示的芯片选择信号发生器配置示例的代表的示图。图4B是示出图3B所示的芯片选择信号发生器配置示例的代表的示图。图5A是示出图2所示的第二数据电路配置示例的代表的示图。图5B是示出图2所示的第一数据电路配置示例的代表的示图。具体实施方式在下文中，以下将通过实施例的各种示例参照附图描述能够执行各种操作模式的半导体存储器设备、存储器模块和包括其的系统。图1是示出根据实施例的系统1的示例性配置的代表的示图。参照图1，系统1可以包括存储器模块110和外部设备120。存储器模块110可以利用外部设备120执行数据输入和输出(输入/输出)操作。存储器模块110可以包括用于利用外部设备120执行数据输入/输出操作的至少一个半导体存储器设备。虽然在图1中示出存储器模块110包括四个半导体存储器设备101、102、103和104，但是其并不旨在限制半导体存储器设备的数量。半导体存储器设备101、102、103和104可以被安装到模块基板111，并且可以通过形成在模块基板111中的模块引脚112和信号线(未示出)与外部设备120电联接。半导体存储器设备101、102、103和104中的每一个可以通过形成独立的存储列(rank)或通道来与外部设备120通信，或者至少两个半导体器设备可以通过形成一个存储列或通道来与外部设备120通信。外部设备120可以通过与存储器模块110通信来执行数据输入/输出操作。外部设备120可以通过访问半导体存储器设备101、102、103和104来执行数据输入/输出操作。外部设备120可以是用于控制存储器模块110和半导体存储器设备101、102、103和104的主机设备。主机设备可以包括中央处理单元(CPU)、图形处理单元(GPU)、多媒体处理器(MMP)、数字信号处理器(DSP)或存储器控制器。进一步地，主机设备可以通过组合诸如应用处理器(AP)的具有各种功能的处理器芯片被实现为片上系统的形式。外部设备120可以是测试设备。外部设备120可以通过向存储器模块110提供各种信号来利用存储器模块110执行数据输入/输出操作。外部设备120可以将命令信号CA、地址信号、时钟信号CLK、芯片选择信号CS和数据DQ传输到存储器模块110，并且可以接收从存储器模块110输出的数据DQ。在实施例中，命令信号和地址信号可以被传输作为一个信号，并且在本说明书中，一个信号可以被称为命令信号CA。外部设备120可以通过多个通道与存储器模块110联接。外部设备120可以通过多个总线将命令信号CA、时钟信号CLK、芯片选择信号CS和数据DQ传输到存储器模块110或者从存储器模块110接收数据DQ。传输命令信号CA、时钟信号CLK和芯片选择信号CS的总线可以是单向通信总线，传输数据DQ的总线可以是双向通信总线。参照图1，半导体存储器设备101、102、103和104中的每一个可以包括至少两个存储器设备。存储器设备中的每一个可以包括易失性存储器设备或非易失性存储器设备。易失性存储器设备可以包括SRAM(静态RAM)、DRAM(动态RAM)或SDRAM(同步DRAM)，并且非易失性存储器设备可以包括ROM(只读存储器)、PROM(可编程ROM)、EEPROM(电可擦除可编程ROM)、EPROM(电可编程ROM)、闪速存储器、PRAM(相变RAM)、MRAM(磁性RAM)、RRAM(电阻式RAM)或FRAM(铁电RAM)。通过代表性地描述半导体存储器设备101，半导体存储器设备101可以包括第一存储器设备IM和第二存储器设备DM。第一存储器设备IM可以是独立的存储器设备，并且第二存储器设备DM可以是从属的存储器设备。半导体存储器设备101可以执行各种操作模式。例如，半导体存储器设备101可以执行第一操作模式、第二操作模式和第三操作模式。第一操作模式可以是正常操作模式。在第一操作模式中，第一存储器设备IM和第二存储器设备DM中的每一个可以独立地执行数据输入/输出操作。在第一操作模式中外部设备120可以单独(individually)访问第一存储器设备IM和第二存储器设备DM。第二操作模式可以是镜像模式。在第二操作模式中，第一存储器设备IM可以独立地执行数据输入/输出操作，并且第二存储器设备DM可以不独立地执行数本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体存储器设备，其包括：第一存储器设备；以及第二存储器设备，其中在第一操作模式中所述第一存储器设备和第二存储器设备独立地执行写入操作和读取操作，在第二操作模式中所述第一存储器设备执行写入操作和读取操作并且所述第二存储器设备利用所述第一存储器设备执行写入操作，并且在第三操作模式中所述第二存储器设备代替所述第一存储器设备执行写入操作和读取操作。

【技术特征摘要】
2017.06.20 KR 10-2017-00776921.一种半导体存储器设备，其包括：第一存储器设备；以及第二存储器设备，其中在第一操作模式中所述第一存储器设备和第二存储器设备独立地执行写入操作和读取操作，在第二操作模式中所述第一存储器设备执行写入操作和读取操作并且所述第二存储器设备利用所述第一存储器设备执行写入操作，并且在第三操作模式中所述第二存储器设备代替所述第一存储器设备执行写入操作和读取操作。2.根据权利要求1所述的半导体存储器设备，其中所述第一存储器设备包括第一命令电路，其基于命令信号和第一芯片选择信号生成第一内部芯片选择信号并且当所述第一内部芯片选择信号被使能时基于所述命令信号生成内部命令信号，以及其中所述第一命令电路在所述第一操作模式和所述第二操作模式中基于所述第一芯片选择信号生成所述第一内部芯片选择信号，并且在所述第三操作模式中去使能所述第一内部芯片选择信号。3.根据权利要求2所述的半导体存储器设备，其中所述第一命令电路被配置为当处于所述第三操作模式中时，即使所述第一芯片选择信号被使能，也去使能所述第一内部芯片选择信号。4.根据权利要求2所述的半导体存储器设备，其中所述第一命令电路包括：控制电路，其被配置为基于所述命令信号生成芯片选择控制信号；第一芯片选择信号发生器，其被配置为基于所述芯片选择控制信号从所述第一芯片选择信号和预定电压生成所述第一内部芯片选择信号；以及命令解码器，其被配置为基于所述第一内部芯片选择信号和所述命令信号来生成所述内部命令信号。5.根据权利要求2所述的半导体存储器设备，其中所述第一存储器设备包括：数据输入路径，其被配置为通过从所述第一存储器设备外部地接收数据来执行数据输入操作；第一开关，其被配置为基于第一开关控制信号来激活所述数据输入路径；数据输出路径，其被配置为通过输出存储在数据存储区域中的数据来执行数据输出操作；以及第二开关，其被配置为基于第二开关控制信号来激活所述数据输出路径。6.根据权利要求5所述的半导体存储器设备，其中所述第一开关和所述第二开关在所述第一操作模式和所述第二操作模式中被导通，并且在所述第三操作模式中被关断。7.根据权利要求5所述的半导体存储器设备，其中所述控制电路基于所述命令信号另外生成所述第一开关控制信号和所述第二开关控制信号。8.根据权利要求1所述的半导体存储器设备，其中所述第二存储器设备包括第二命令电路，其基于命令信号、第一芯片选择信号和第二芯片选择信号生成第二内部芯片选择信号，并且当所述第二内部芯片选择信号被使能时基于所述命令信号生成内部命令信号，以及其中在所述第一操作模式中所述第二命令电路基于所述第二芯片选择信号生成所述第二内部芯片选择信号，并且在所述第二操作模式和所述第三操作模式中基于所述第一芯片选择信号生成所述第二内部芯片选择信号。9.根据权利要求8所述的半导体存储器设备，其中所述第二命令电路包括：控制电路，其被配置为基于所述命令信号生成芯片选择控制信号；第二芯片选择信号发生器，其被配置为基于所述芯片选择控制信号从所述第一芯片选择信号和所述第二芯片选择信号生成所述第二内部芯片选择信号；以及命令解码器，其被配置为基于所述第二内部芯片选择信号和所述命令信号来生成所述内部命令信号。10.根据权利要求9所述的半导体存储器设备，其中所述第二存储器设备包括：数据输入路径，其被配置为通过从所述第二存储器设备外部地接收数据来执行数据输入操作；第一开关，其被配置为基于第一开关控制信号来激活所述数据输入路径；数据输出路径，其被配置为通过输出存储在数据存储区域中的数据来执行数据输出操作；以及第二开关，其被配置为基于第一开关控制信号来激活所述数据输出路径。11.根据权利要求10所述的半导体存储器设备，其中在所述第一操作模式中所述第一开关和所述第二开关被导通，在所述第二操作模式中所述第一开关被导通并且所述第二开关被关断，并且在所述第三操作模式中所述第一开关和所述第二开关被导通。12.根据权利要求9所述的半导体存储器设备，其中所述控制电路基于所述命令信号另外生成所述第一开关控制信号和所述第二开关控制信号。13.一种系统，其包括：半导体存储器设备，其包括第一存储器设备和第二存储器设备；以及外部设备，其可操作以访问所述半导体存储器设备以执行数据输入和输出操作。其中所述半导体存储器设备在第一操作模式和第二操作模式中通过所述第一存储器设备和所述第二存储器设备利用所述外部设备执行数据输入和输出操作，并且在第三操作模式中通过所述第二存储器设备利用所述外部设备执行数据输入和输出操作。14.根据权利要求13所述的系统，其中所述外部设备将与所述第一操作模式至所述第三操作模式相关的命令信号和用于访问所述半导体存储器设备的芯片...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴贤晶，金敬勋，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR