一种冗余图形添加方法技术

本发明专利技术公开一种冗余图形添加方法，包括：执行步骤S1：将版图按预设窗口SW大小进行切割；执行步骤S2：计算各窗口内原始版图的图形密度及有效周长；执行步骤S3：以添加冗余图形后之冗余图形添加窗口内的图形密度为目标，选取预设的冗余图形进行添加；执行步骤S4：以添加冗余图形后之冗余图形添加窗口内的有效周长为目标，对添加的冗余图形进行合并或者拆分调整。本发明专利技术当对冗余图形进行合并或者拆分调整时，可以实现在保证图形之面积即图形密度不变的情况下实现图形之有效周长的减少或者增大，进而实现图形之有效周长的补偿，为后续薄膜沉积或薄膜生长提供均匀的晶片反应接触表面，进而保证沉积或生长薄膜厚度的均匀性，提高器件可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种冗余图形添加方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种冗余图形添加方法。
技术介绍
为了实现集成电路版图的均匀分布，以提高生产制造过程中依赖版图图形分布的相关工艺之工艺窗口，通常需要在集成电路版图分布稀疏的区域添加冗余图形以使版图图形分布相对均匀，进而降低后续工艺制造过程中的制造缺陷，提升产品良率。薄膜沉积或薄膜生长作为半导体制造工艺过程中不可或缺的薄膜形成技术，广泛应用于半导体制造的多个工艺阶段。如作为硬掩膜的氮化硅薄膜，作为侧壁保护的氧化硅薄膜，以及作为栅极的多晶硅薄膜等薄膜沉积；还有起牺牲作用的氧化层薄膜生长，作为栅氧的氧化层生长等薄膜生长工艺。薄膜沉积技术是气相反应物通过化学反应在晶片表面沉积成一层固体薄膜，而薄膜生长技术则是气相反应物通过与晶片表面的硅原子发生化学反应生成固体薄膜。无论薄膜沉积还是薄膜生长，其反应过程通常包括：(1)气相物质传输到晶片表面；(2)反应分子吸附在晶片表面；(3)在晶片表面或直接与晶片表面硅原子发生反应形成薄膜；(4)副产物脱离晶片表面。通常气相反应物质是以恒定的流量通入反应腔体，可视为腔体内单位体积内的反应气体量恒定。由薄膜沉积或本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种冗余图形添加方法，其特征在于，所述冗余图形添加方法，包括：执行步骤S1：将版图按预设窗口SW大小进行切割；执行步骤S2：计算各窗口内原始版图的图形密度及有效周长；执行步骤S3：以添加冗余图形后之冗余图形添加窗口内的图形密度为目标，选取预设的冗余图形进行添加；执行步骤S4：以添加冗余图形后之冗余图形添加窗口内的有效周长为目标，对添加的冗余图形进行合并或者拆分调整。

【技术特征摘要】
1.一种冗余图形添加方法，其特征在于，所述冗余图形添加方法，包括：执行步骤S1：将版图按预设窗口SW大小进行切割；执行步骤S2：计算各窗口内原始版图的图形密度及有效周长；执行步骤S3：以添加冗余图形后之冗余图形添加窗口内的图形密度为目标，选取预设的冗余图形进行添加；执行步骤S4：以添加冗余图形后之冗余图形添加窗口内的有效周长为目标，对添加的冗余图形进行合并或者拆分调整。2.如权利要求1所述冗余图形添加方法，其特征在于，所述有效周长为位于所述冗余图形添加窗口内的图形之周长。3.如权利要求1所述冗余图形添加方法，其特征在于，所述冗余图形可在保证图形面积不变的情况下增大或者减少有效周长。4.如权利要求3所述冗余图形添加方法，其特征在于，当多个所述冗余图形合并时，所述冗余图形可在保证图形面积不变的情况下减少图形有效周长。5.如权利要求3所述冗余图形添加方法，其特征在于，当单个所述冗余图形拆分时，所述冗余图形可在保证图形面积不变的情况下增加图形有效周长。6...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜立维，魏芳，曹云，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31