具有用于流体加载的抑制特征的EWOD器件制造技术

介质上电润湿(EWOD)器件包括：第一基板组件和第二基板组件，第一基板组件和第二基板组件间隔开以限定它们之间的通道；与所述通道流体连通的输入端口，所述输入端口限定用于接收流体以用于输入到所述通道中的输入井；以及与通道流体连通的控制端口，该控制端口限定用于接收流体的控制井并具有密封件，密封件将控制端口密封为密封状态，在密封状态中，流体被限制从通道进入控制井。当密封件被刺穿时，控制端口被置于非密封状态，从而允许流体从通道进入控制井。电润湿力可以被操纵以通过出口端口去除分配的液滴。可以重复多个循环的流体输入/液滴操纵/流体抽取以执行复杂的反应方案。

【技术实现步骤摘要】
具有用于流体加载的抑制特征的EWOD器件
本专利技术涉及液滴微流控器件，并且更具体地涉及有源矩阵介质上电润湿(AM-EWOD)器件，包括用于增强流体进入这种器件中的加载的结构和控制方法。
技术介绍
介质上电润湿(EWOD)是用于通过施加电场操纵流体液滴的公知技术。有源矩阵EWOD(AM-EWOD)是指例如通过使用薄膜晶体管(TFT)，在包含晶体管的有源矩阵阵列中实现EWOD。因此，它是用于芯片上实验室技术的数字微流体的候选技术。对该技术的基本原理的介绍可以在以下中找到：“Digitalmicrofluidics：isatruelab-on-a-chippossible？”，R.B.Fair，MicrofluidNanofluid(2007)3：245-281。图1在横截面中示出了常规EWOD器件的一部分。该器件包括下基板10，其最上层由导电材料形成，导电材料被图案化以便实现多个阵列元件电极12(例如，图1中的12A和12B)。给定阵列元件的电极可以称为元件电极12。包括极性材料(通常也是水性的和/或离子的)的液滴14被约束在下基板10和顶基板16之间的平面中。可以通过间隔物18实现两本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种介质上电润湿(EWOD)器件，包括：第一基板组件和第二基板组件，所述第一基板组件和第二基板组件间隔开以在所述第一基板组件和第二基板组件之间限定通道；与所述通道流体连通的输入端口，所述输入端口限定用于接收流体以输入到所述通道中的输入井；以及与所述通道流体连通的控制端口，所述控制端口限定用于接收流体的控制井并具有密封件，所述密封件将所述控制端口密封为密封状态，在所述密封状态中，流体被限制从所述通道进入所述控制井；其中，当所述密封件被去除或刺穿时，所述控制端口被置于未密封状态，从而允许流体从所述通道进入所述控制井。

【技术特征摘要】
2017.06.21 US 15/629,2011.一种介质上电润湿(EWOD)器件，包括：第一基板组件和第二基板组件，所述第一基板组件和第二基板组件间隔开以在所述第一基板组件和第二基板组件之间限定通道；与所述通道流体连通的输入端口，所述输入端口限定用于接收流体以输入到所述通道中的输入井；以及与所述通道流体连通的控制端口，所述控制端口限定用于接收流体的控制井并具有密封件，所述密封件将所述控制端口密封为密封状态，在所述密封状态中，流体被限制从所述通道进入所述控制井；其中，当所述密封件被去除或刺穿时，所述控制端口被置于未密封状态，从而允许流体从所述通道进入所述控制井。2.根据权利要求1所述的EWOD器件，其中，所述输入端口包括限定所述输入井的输入壁以及被配置为穿过所述第一基板组件的孔以将所述输入井流体连接到所述通道的通道端口，其中，所述输入壁的内表面与所述通道端口的边界重合，以破坏所述输入端口处的所述通道内的流体的表面张力。3.根据权利要求2所述的EWOD器件，其中，所述输入壁具有朝向所述通道端口逐渐变细的渐缩内表面。4.根据权利要求2所述的EWOD器件，其中，所述输入壁具有壁延伸部，所述壁延伸部平行于所述第一基板组件延伸以提供到所述输入井中的小开口。5.根据权利要求1所述的EWOD器件，其中，所述输入端口包括限定所述输入井的输入壁以及被配置为穿过所述第一基板组件的孔以将所述输入井流体连接到所述通道的多个通道端口。6.根据权利要求1至5中任一项所述的EWOD器件，还包括与所述通道流体连通的第二输入端口，所述第二输入端口限定用于接收流体以输入到所述通道中的第二输入井。7.根据权利要求6所述的EWOD器件，其中，所述第二输入端口包括限定所述第二输入井的第二壁以及被配置为穿过所述第一基板组件的孔以将所述第二输入井流体连接到所述通道的第二通道端口，其中，所述第二壁的内表面与所述第二通道端口的边界重合，以破坏所述第二输入端口处的所述通道内的流体的表面张力。8.根据权利要求6所述的EWOD器件，其中，所述第二输入端口包括限定所述第二输入井的第二壁以及被配置为穿过所述第一基板组件的孔以将所述第二输入井流体连接到所述通道的第二通道端口，其中，所述第二壁的内表面与所述第二通道端口的边界间隔开，以便不破坏所述第二输入端口处的所述通道内的流体的表面张力。9.根据权利要求6至8中任一项所述的EWOD器件，其中，所述第二输入端口在井高度、端口直径、通道端口直径或壁材料性质中的至少一个方面不同于所述输入端口。10.根据权利要求1至9中任一项所述的EWOD器件，其中，所述控制端口包括限定所述控制井的控制壁以及被配置为穿过所述第一基板组件的孔以将所述控制井流体连接到所述通道的出口端口，其中，所述控制壁的内表面与所述出口端口的边界重合，以破坏所述控制端口处的所述通道内的流体的表面张力。11.根据权利要求10所述的EWOD器件，其中，所述控制壁具有朝向所述出口端口逐渐变细的渐缩内表面。12.根据权利要求10所述的EWOD器件，其中，所述控制壁具有壁延伸部，所述壁延伸部平行于所述第一基板组件延伸以提供到所述控制井中的小开口，并且当所述控制端口处于所述密封状态时，所述密封件被搁在所述壁延伸部上。13.根据权利要求1至9中任一项所述的EWOD器件，其中，所述控制端口包括限定所述控制井的控制壁以及被配置为穿过所述第一基板组件的孔以将所述控制井流体连接到所述通道的多个出口端口，其中，所述控制壁的内表面与所述出口端口的边界重合，以破坏所述控制端口处的所述通道内的流体的表面张力。14.根据权利要求1至13中任一项所述的EWOD器件，其中，所述控制端口包括位于所述控制井内的至少一个吸收层，以用于吸收进入所述控制井的流体。15.根据权利要求14所述的EWOD器件，其中，所述控制端口包括位于所述控制井内的不同位置处的多个吸收层。16.根据权利要求1至15中任一项所述的EWOD器件，还包括与所述通道流体连通的第二控制端口，所述第二控制端口限定用于接收流体的第二控制井并具有第二密封件，所述第二密封件将所述第二控制端口密封为密封状态，在所述密封状态中，流体被限制进入所述第二控制端口；其中，当所述第二密封件被去除或刺穿时，所述第二控制端口处于未密封状态，从而允许流体从所述通道进入所述第二控制井。17.根据权利要求16所述的EWOD器件，其中，所述第二控制端口包括限定所述第二控制井的第二控制壁以及被配置为穿过所述第一基板组件的孔以将所述控制井流体连接到所述通道的第二出口端口，其中，所述第二控制壁的内表面与所述第二出口端口的边界重合，以破坏所述第二控制端口处的所述通道内的流体的表面张力。18.据权利要求1至15中任一项所述的EWOD器件，还包括与所述通道流体连通的第二控制端口，所述第二控制端口限定用于接收流体的第二控制井并具有第二密封件，所述第二密封件将所述第二控制端口密封为密封状态，在所述密封状态中，流体被限制进入所述第二控制端口；其中，当所述第二密封件被去除或刺穿时，所述第二控制端口处于未密封状态，从而允许所述第二控制端口充当用于将流体从所述第二控制井输入到所述通道中的输入端口。19.根据权利要求18所述的EWOD器件，其中，所述第二控制端口包括限定所述第二控制井的第二控制壁以及被配置为穿过所述第一基板组件的孔以将所述第二控制井流体连接到所述通道的另一通道端口，其中，所述第二控制壁的内表面与所述另一通道端口的边界重合，以破坏所述第二控制端口处的所述通道内的流体的表面张力。20.根据权利要求1至19中任一项所述的EWOD器件，还包括与所述EWOD通道流体连通的排出端口，其中，当流体从所述输入端口进入所述EWOD通道时，所述排出端口将空气从所述EWOD通道排出...

【专利技术属性】
技术研发人员：艾马·杰恩·沃尔顿，莱斯莉·安妮·帕里琼斯，
申请(专利权)人：夏普生命科学欧洲有限公司，
类型：发明
国别省市：英国,GB