【技术实现步骤摘要】
应用于三维霍尔传感器的霍尔器件
本技术涉及一种应用于三维霍尔传感器的霍尔器件。
技术介绍
近年来，基于CMOS工艺的霍尔传感器拥有低功耗、低成本、高集成度、高可靠性以及强抗干扰能力等众多优点，被广泛应用于汽车制造、医疗电子、仪器仪表以及消费类电子等领域。但随着人们对磁场探测的要求越来越高，要求霍尔传感器能够全方位探测磁场，实现对三维磁场的测量。霍尔传感器主要分为水平型和垂直型。水平型霍尔传感器主要用于检测Z轴方向的磁场，发展较早，拥有较为优异的性能。而垂直型霍尔传感器主要用于X和Y轴方向的磁场检测，由于器件本身结构和工艺的原因，垂直型霍尔传感器的灵敏度相对较低并且失调较大。将水平型霍尔器件和垂直型霍尔器件集成在一个芯片上，可以实现单片集成三维霍尔传感器。因此，高性能的霍尔器件是实现三维霍尔传感器的关键所在。作为霍尔传感器的核心模块，它决定着霍尔传感器的整体性能。传统的三维磁场测量方式主要通过通过特殊的封装方式，将三个一维霍尔器件置于三个不同的方向，然后封装在一起，从而实现对磁场的三维测量。这种方式只需要一维水平型的霍尔器件就可以实现，但是对封装的要求比较高，而且并...
【技术保护点】
1.一种应用于三维霍尔传感器的霍尔器件，其特征在于，可集成于一芯片上，实现单片集成三维霍尔传感器，所述霍尔器件包括水平型霍尔器件和垂直型霍尔器件；所述水平型霍尔器件包括从下往上依次设置的P型衬底层、N阱层、P+注入区层，P+注入区层不完全覆盖N阱层，以露出N阱层四角，还包括设于N阱层四角的N+注入区层以及覆于P+注入区层与N+注入区层上的金属层，所述N阱层作为水平型霍尔器件的有源区，N+注入区层作为水平型霍尔器件的接触端；所述垂直型霍尔器件包括P型衬底层、P阱层、深N阱层、P+注入区层、N+注入区层，所述P型衬底层上部开设有阶梯型腔体，所述阶梯型腔体的中部设置所述深N阱层，...
【技术特征摘要】
1.一种应用于三维霍尔传感器的霍尔器件，其特征在于，可集成于一芯片上，实现单片集成三维霍尔传感器，所述霍尔器件包括水平型霍尔器件和垂直型霍尔器件；所述水平型霍尔器件包括从下往上依次设置的P型衬底层、N阱层、P+注入区层，P+注入区层不完全覆盖N阱层，以露出N阱层四角，还包括设于N阱层四角的N+注入区层以及覆于P+注入区层与N+注入区层上的金属层，所述N阱层作为水平型霍尔器件的有源区，N+注入区层作为水平型霍尔器件的接触端；所述垂直型霍尔器件包括P型衬底层、P阱层、深N阱层、P+注入区层、N+注入区层，所述P型衬底层上部开设有阶梯型腔体，所述阶梯型腔体的中部设置所述深N阱层，阶梯型腔体的周部设置所述P阱层，以使得P阱层环包深N...
【专利技术属性】
技术研发人员：魏榕山，郭仕忠，段秋婷，
申请(专利权)人：福州大学，
类型：新型
国别省市：福建,35
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