一种金纳米块阵列的制备方法及其折射率传感器技术

本发明专利技术涉及一种金纳米块阵列的制作方法及其折射率传感器的制备，涉及微纳尺度的制备及微纳光学，属光信息领域；提出了一种金纳米块阵列的制备方法，将负载了聚电解质层的金薄膜浸入含有所述金纳米块的去离子水溶液中；去离子水溶液中的金纳米块通过静电场引力吸附于所述聚电解质层表面，从而得到金纳米块阵列；实现了金纳米块的边长、金纳米块阵列的占空比、聚电解质层的厚度的可控加工；由于在制备过程未使用任何微纳加工或精密控制设备，制备成本相较其他方法要低；本方案制备的折射率传感器利用该结构激发等离子激元共振，利用峰位随背景折射率变化而出现明显移动实现了对环境折射率的传感探测，金材质的稳定性保证了该传感器的性能稳定。

【技术实现步骤摘要】
一种金纳米块阵列的制备方法及其折射率传感器
本专利技术涉及一种金纳米块阵列的制作方法及其折射率传感器的制备，涉及微纳尺度的制备及微纳光学，属光信息领域。
技术介绍
近年来，金属微纳结构及其光学性能引起了学术和产业界的极大关注，其在传感、光电探测、光电能量转换与催化等领域表现出良好的应用前景。其中，金属微纳结构阵列表现出可调制的光学性能，通过改变金属微纳结构的形状、尺寸和周期等均可调制光反射或吸收谱的特征峰位，进而可用于传感或特定波长的探测。MaikenH.Mikkelsen等在金薄膜基底上排列胶体的银纳米块，并在银纳米块与金薄膜基底之间引入纳米量级的聚合物隔离层，在可见光到近红外波段观测到了可调的窄带完美吸收(GlebM.Akselrod,JianiHuang,ThangB.Hoang,PatrickT.Bowen,LoganSu,DavidR.Smith,andMaikenH.Mikkelsen，Large-AreaMetasurfacePerfectAbsorbersfromVisibletoNear-Infrared，AdvancedMaterials,2015,27,8028本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种金纳米块阵列的制备方法，先使用溶液法合成金纳米块，将负载了聚电解质层的金薄膜浸入含有所述金纳米块的去离子水溶液中；去离子水溶液中的金纳米块通过静电场引力吸附于所述聚电解质层表面，从而得到金纳米块阵列。

【技术特征摘要】
1.一种金纳米块阵列的制备方法，先使用溶液法合成金纳米块，将负载了聚电解质层的金薄膜浸入含有所述金纳米块的去离子水溶液中；去离子水溶液中的金纳米块通过静电场引力吸附于所述聚电解质层表面，从而得到金纳米块阵列。2.根据权利要求1所述的一种金纳米块阵列的制备方法，其特征在于：所述金纳米块的几何形貌为立方块，其与聚电解质层为面接触。3.根据权利要求1所述的一种金纳米块阵列的制备方法，其特征在于：所述溶液法合成金纳米块的步骤为：先用溶液法合成金纳米棒，对所得金纳米棒进行迭代化学精化处理后，最终得到边长为50～150nm的金纳米块；金纳米块从反应液中离心出来后，分散于去离子水中以备用。4.根据权利要求3所述的一种金纳米块阵列的制备方法，其特征在于：所述溶液法合成金纳米棒的...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴绍龙，李亮，李孝峰，李刘晶，秦琳玲，
申请(专利权)人：苏州大学，
类型：发明
国别省市：江苏,32