工艺腔室气体检测系统及其操作方法技术方案

本发明专利技术提供了一种工艺腔室气体检测系统及其操作方法，该检测系统包括一腔体、一抽气单元、一抽气管、一连接管以及一气体检测器。前述腔体配置于执行化学气相沉积工艺，抽气管连接腔体与抽气单元，连接管连通抽气管，气体检测器则设置于该连接管上，并用以检测来自该腔体内的气体中的氧气含量。本发明专利技术的工艺腔室气体检测系统可通过气体检测器检查腔体是否有微小外漏，因而可及时停止CVD工艺与作适当处理以避免过多不良的生成品产生，进而提升工艺品质。

【技术实现步骤摘要】
工艺腔室气体检测系统及其操作方法
本专利技术关于一种工艺腔室气体检测系统与其操作方法，特别关于一种具有气体检测器的检测系统与其操作方法。
技术介绍
在半导体产业中，常使用化学气相沉积法(ChemicalVaporDeposition，CVD)来成长薄膜。一般CVD工艺是将芯片(基底)暴露在一种或多种不同的前趋物下，在基底表面发生化学反应或/及化学分解来产生欲沉积的薄膜。在反应过程中，通常会伴随地产生不同的副产品，因此会通过对反应腔体(Reactionchamber)抽气的方式将其随着气流而被带走，使其不会留在腔体中。现行的CVD工艺，常使用在低压环境下的CVD工艺的低压化学气相沉积法(LowPressureChemicalVaporDeposition，LPCVD)，降低压力可减少不必要的气相反应，以增加芯片上薄膜的一致性。随着半导体技术演进，对于工艺中的生成品的品质要求相对提高，因此腔体内的压力控制的准确度以及腔体与各管线之间密合度的要求也相对严格。然而，因为长时间使用该等元件，腔体、管线或腔体与管线的相关密合度，可能会有劣化情形发生进而产生裂缝，该裂缝可能会导致整体工艺的精度与品本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种工艺腔室气体检测系统，其特征在于，包括：一腔体，配置用于执行化学气相沉积工艺；一抽气单元；一抽气管，连接该腔体与该抽气单元；一连接管，连通该抽气管；以及一气体检测器，设置于该连接管上，当该抽气单元将来自该腔体内的一气体经过该抽气管与该连接管而抽取时，该气体检测器检测该气体中的氧气含量。

【技术特征摘要】
1.一种工艺腔室气体检测系统，其特征在于，包括：一腔体，配置用于执行化学气相沉积工艺；一抽气单元；一抽气管，连接该腔体与该抽气单元；一连接管，连通该抽气管；以及一气体检测器，设置于该连接管上，当该抽气单元将来自该腔体内的一气体经过该抽气管与该连接管而抽取时，该气体检测器检测该气体中的氧气含量。2.如权利要求1所述的工艺腔室气体检测系统，其特征在于，该当该气体检测器检测该气体的氧气含量时，该腔体内的气体压力小于1x10-8毫巴。3.如权利要求1所述的工艺腔室气体检测系统，其特征在于，该气体检测器距离该腔体至少25公尺以上。4.如权利要求1所述的工艺腔室气体检测系统，其特征在于，当该气体检测器检测该气体的氧气含量时，该腔体内的温度大于600℃。5.一种工艺腔室气体检测系统的操作方法，其特征在于，包括：提供一抽气管，连接一腔体与一抽气单元，其中该腔体配置用以执行化学气相沉积工艺；提供一连接管，连通该抽气管；设置一第一阀件于该抽气管上；设置一第二阀件与一气体检测器于该连接管上；打开该第一阀件，并使该抽气单元对该腔体内的一气体执行一第一次抽气；打开该第二阀件，使该气体从该抽...

【专利技术属性】
技术研发人员：程志伟，陈佩瑜，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71