一种超低功耗偏置的射频开关制造技术

本发明专利技术提出了一种新的射频开关结构：每个射频开关包括一串联支路和一并联支路，通过不同射频开关的串联支路共用一个交流耦合电容、同一射频开关里的并联支路和串联支路共用一个交流耦合电容、移除同一射频开关的并联支路中靠近地的隔断晶体管和交流耦合电容，无需任何负压产生电路，并且相对于传统结构可以节省60％以上的电容面积。本发明专利技术在保持性能不变的同时，大大降低了芯片的面积和成本。

【技术实现步骤摘要】
一种超低功耗偏置的射频开关
本专利技术涉及射频信号处理领域，尤其涉及一种超低功耗偏置的射频开关。
技术介绍
高品质的射频开关是多模多频多标准无线射频收发器的关键元器件，尤其是时分双工无线系统中，有着不可取代的作用。射频开关在高速发展的3G/4G多模多频终端中的应用越来越广泛，射频终端的复杂度在不断增加，特别是针对中国移动提出的“五模十三频”应用需求，这样的需求导致在射频终端中至少用到多个射频开关，分别在数据、语音、分集接收端做不同频段和模式的切换。随着系统复杂度的提高，射频系统中开关的使用量会进一步增加，尤其是目前的手机中集成有GSM/CDMA/LTE等多个标准，射频开关无论从数量还是掷数都有大幅度的增加。在集成电路制造工艺方面，SOI(绝缘体上硅)越来越受到重视和认可，特别是在模拟射频电路方面，RF-SOI工艺的应用越来越广泛，已经有逐步取代传统的GaAs和SiGe之趋势。RF-SOI技术主要应用于智能手机、Wi-Fi等无线通讯领域，3G/4G手机用的射频开关器件，目前大部分已经从传统的化合物半导体升级到RF-SOI技术。图1示出了一种现有技术中的SOI射频开关的典型电路图，其中每本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种超低功耗偏置的射频开关，其特征在于：所述射频开关包括两个主晶体管单元A0‑A1，三个附加晶体管单元M1‑M3；每个主晶体管单元由n个晶体管依次层叠而成，每个附加晶体管单元由m个晶体管依次层叠而成，n、m均为正整数，且n＞m；第一开关支路由附加晶体管单元M1、主晶体管单元A0、附加晶体管单元M2依次串联而成，附加晶体管单元M1的输入端作为信号输入端，附加晶体管单元M2的输出端作为信号输出端，各晶体管的栅极接收第一控制信号VG1，通过晶体管在导通与截止之间转变实现第一开关支路的通断控制；第二开关支路由附加晶体管单元M3和主晶体管单元A1依次串联而成，附加晶体管单元M3的输入端连接到信号输入...

【技术特征摘要】
1.一种超低功耗偏置的射频开关，其特征在于：所述射频开关包括两个主晶体管单元A0-A1，三个附加晶体管单元M1-M3；每个主晶体管单元由n个晶体管依次层叠而成，每个附加晶体管单元由m个晶体管依次层叠而成，n、m均为正整数，且n＞m；第一开关支路由附加晶体管单元M1、主晶体管单元A0、附加晶体管单元M2依次串联而成，附加晶体管单元M1的输入端作为信号输入端，附加晶体管单元M2的输出端作为信号输出端，各晶体管的栅极接收第一控制信号VG1，通过晶体管在导通与截止之间转变实现第一开关支路的通断控制；第二开关支路由附加晶体管单元M3和主晶体管单元A1依次串联而成，附加晶体管单元M3的输入端连接到信号输入端，主晶体管单元的输出端接地，各晶体管的栅极接收第二控制信号VG2，通过晶体管在导通与截止之间转变实现第二开关支路的通断控制；其中，附加晶体管单元M1与主晶体管单元A0的连接节点经由一耦合电容连接到附加晶体管单元M3与主晶体管单元A1的连接节点。2.如权利要求1所述的射频开关，其特征在于，所述第一控制信号VG1和第二控制信号VG2反相。3.如权利要求1所述的射频开关，其特征在于，每一晶体管均包含源极S、漏极D、栅极G、体极B；各晶体管的体极B分别经由一体电阻连接到地；第一开关支路的各晶体管的栅极G分别经由一栅极电阻连接到同一个栅极控制电压VG1，第二开关支路的各晶体管的栅极G分别经由一栅极电阻连接到同一...

【专利技术属性】
技术研发人员：王晗，
申请(专利权)人：安徽矽磊电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34