一种超导磁体充放电装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种超导磁体充放电装置，涉及超强磁场技术领域，包括：继电器J1、二极管D2、功率二极管D5、二极管散热风扇M1、继电器J2、继电器散热风扇M2组成放电单元；电阻R1、发光二极管D1、电阻R2、电阻R3、发光二极管D3、温控开关K1、电阻R4、发光二极管D4、电阻R5、发光二极管D6、限流保险管FU、电阻R9、二极管D7、电阻R7、发光二级管D8、温控开关K2，电阻R8、发光二极管D9、电阻R10、电阻R11组成弱点信号单元；二极管散热风扇M1、继电器扇热风扇M1、散热器组成散热单元；4U金属屏蔽壳屏蔽单元、散热风扇的金属网属于屏蔽单元。优点：热量耗散快，电路易于实现，大大减少了成本。

【技术实现步骤摘要】
一种超导磁体充放电装置
本专利技术涉及超强磁场
，更具体涉及一种超导磁体充放电装置。
技术介绍
目前，超导磁体技术已成功应用于科研、轨道交通、电力系统、生物医疗等众多领域。超导磁体的特点是可以在较大的空间内产生强磁场，而所需的励磁功率却很小，且在超导条件下，磁场保持恒定。医疗核磁共振技术，就是利用了不同原子核吸收和发散电磁波的频率不同，且频率还与核环境有关的原理，根据磁共振信号来分析物质的结构成分及其密度分布。但是，诸如磁通跳跃、导线振动等因素，依然可能导致超导磁体发生失超现象，并伴随一系列诸如过电压核发热的问题，前者会导致电缆绝缘材料的击穿，后者会导致接头被熔化，从而造成磁体不正常工作或损坏。因此，我们需要研究磁体放电技术，迅速将磁体内的能量转移出来，来提高磁体保护的可靠性。国内的西南交通大学超导研究中心和美国的专利Pub.No.US2002/0030952“超导磁体放电方法及装置”均使用电容器，通过斩波器原理，将超导磁体的电流直接变成电压，如果直流电流较大，直流电压部分需要的电容器容量会非常大，从而磁体的励磁电压大，不利于磁体的稳定。目前，国内，对于超导磁体放电电路达500A的放电方法研究还没有比较正式的产品或专利出现。医疗核磁共振超导磁体一般运行电流较大，这对超导磁体的放电技术提出了新的要求。放电电流大、电压低，放电过程稳定，这些都是用于医疗使用的基本要求。用普通的磁体放电设备，在0.5T的强磁场环境运行下，很容易导致散热风扇失效，从而使得设备都会导致核磁共振设备瘫痪。用普通的磁体放电设备，在40摄氏度环温下运行，内部温度无法完成散发，使得内部关键器件温度达80摄氏度，有损坏的风险。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于普通磁体充放电设备，电流过大，温度无法完成散发。本专利技术是通过以下技术方案解决上述技术问题的，具体技术方案如下：一种超导磁体充放电装置，包括：电阻R1、发光二极管D1、电阻R2、第一继电器J1、二极管D2、电阻R3、发光二极管D3、发光二极管D4、电阻R4、第一温控开关K1、电阻R5、功率二极管D5、电阻R6、发光二极管D6、限流保险管FU、二极管散热风扇M1、第二继电器J2、二极管D7、电阻R7、发光二极管D8、继电器散热风扇M2、发光二极管D9、电阻R8、第二温控开关K2、电阻R9、电阻R10、电阻R11；第一继电器J1与第二继电器J2串联形成主路，第一继电器J1的一端作为装置的输入端并与充电电源的输出端连接，第二继电器J2的一端作为装置的输出端并与超导磁体的输入端连接，其中，输入端包括第一输入端、第二输入端，输出端包括第一输出端、第二输出端；第一输入端与电阻R1的一端连接，电阻R1的另一端与发光二极管D1的正极连接，发光二极管D1的负极与第二输入端连接，并形成第一支路；功率二极管D5的负极、电阻R6的一端、限流保险管FU的一端都连接于第一继电器J1与第二继电器J2的连接线上；功率二极管D5的正极连接于第二输入端与第二输出端的连接线上，并形成第二条支路；电阻R6的另一端与发光二极管D6的负极，发光二极管D6的正极连接于第二输入端与第二输出端的连接线上，并形成第三支路；限流保险管FU的另一端与二极管散热风扇M1的一端连接，二极管散热风扇M1的另一端连接于第二输入端与第二输出端的连接线上，形成第四条支路；将第二条支路、第三条支路、第四条支路并联在第一继电器J1、第二继电器J2之间；电阻R3的一端与发光二极管D3的正极连接形成串联再与二极管D2并联，二极管D2的负极与电阻R3的另一端连接，二极管D2的正极与发光二极管D3的负极连接，二极管D2的负极、电阻R3的另一端与第一继电器J1的第一控制端连接，二极管D2的正极、发光二极管D3的负极与第一继电器J1的第二控制端连接，形成第五条支路；电阻R4的一端与发光二极管D4的正极连接形成串联再与第一温控开关K1并联，电阻R4的另一端与第一温控开关K1的一端连接，发光二极管D4的负极与第一温控开关K1的另一端连接后，再串联在第一继电器J1的第一控制端，第一温控开关K1的另一端连接第二输入端与第二输出端的连接线上，形成第六条支路；电阻R7的一端与发光二极管D8的正极连接形成串联再与二极管D7、继电器散热风扇M2并联，二极管D7的负极、继电器散热风扇M2的一端与电阻R7的另一端连接，二极管D7的正极、继电器散热风扇M2的另一端与发光二极管D8的负极连接，二极管D7的负极、电阻R7的另一端、继电器散热风扇M2的一端与第二继电器J2的第一控制端连接，二极管D7的正极、发光二极管D8的负极、继电器散热风扇M2的另一端与第二继电器J2的第二控制端连接，形成第七条支路；电阻R8的一端与发光二极管D9的正极连接形成串联再与第二温控开关K2并联，电阻R8的另一端与第二温控开关K2的一端连接，发光二极管D9的负极与第二温控开关K2的另一端连接后，再串联在第二继电器J2的第一控制端，第二温控开关K2的另一端连接第二输入端与第二输出端的连接线上，形成第八条支路；电阻R2的一端与装置的输入端连接，形成第九支路；电阻R5的一端连接于第一继电器J1与第二继电器J2的连接线上，形成第十支路；电阻R9的一端与第二继电器J2的第一控制端连接，形成第十一支路；电阻R10的一端、电阻R11的一端分别连接装置的第二输入端、第二输出端分别形成第十二、第十三支路；电阻R2、电阻R5、电阻R9、电阻R10、电阻R11的另一端都与DB9接口的输出端连接。优选地，所述装置装载于4U金属屏蔽壳内。优选地，所述功率二极管D5分布在散热器上。优选地，所述散热器上所对应功率二极管D5位置会涂抹导热硅脂。优选地，所述装置中至少包括一个功率二极管D5，当有多个功率二极管D5时，功率二极管D5成形成S型排布。优选地，所述装置中至少包括一个二极管散热风扇M1。优选地，所述装置中至少包括一个继电器散热风扇M2。优选地，所述装置中至少包括一个第二温控开关K2。优选地，所述二极管散热风扇M1、继电器散热风扇M2的外部均配有外部金属网。本专利技术相比现有技术具有以下优点：本专利技术中继电器J1、继电器J2导通来控制充电输入，继电器J2导通来控制放电回路。通过发光二极管显示装置的充电状态、放电状态、过温以及散热情况，通过电阻R3、电阻R5、电阻R9、电阻R10、电阻R11将节点电压通过DB9接口传输给核磁共振系统，实现实时监测运行状态。设备安全可靠，优化的设计提高了设备的可行性和经济性。装置装载于4U金属屏蔽壳内，以及二极管都分布在散热器上形成S型排布，使得散热风扇能够有效的通过风道抽吸空气，良好的导热硅脂涂抹工艺，提高了散热效果，增强电路稳定性。附图说明图1为本专利技术实施例的超导磁体充放电装置的电路图。图2为本专利技术实施例的超导磁体充放电装置的应用示意图。图3(a)为本专利技术实施例的超导磁体充放电装置的内部功能的充电过程示意图。图3(b)为本专利技术实施例的超导磁体充放电装置的内部功能的充电过程坐标图。图4(a)为本专利技术实施例的超导磁体充放电装置的内部功能的放电过程示意图。图4(b)为本专利技术实施例的超导磁体充放电装置的内部功能的充电过程坐标图。图5为本专利技术实施例的超导磁体充放电装置的外观示意图。具体实施方式下面对本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种超导磁体充放电装置，其特征在于，包括：电阻R1、发光二极管D1、电阻R2、第一继电器J1、二极管D2、电阻R3、发光二极管D3、发光二极管D4、电阻R4、第一温控开关K1、电阻R5、功率二极管D5、电阻R6、发光二极管D6、限流保险管FU、二极管散热风扇M1、第二继电器J2、二极管D7、电阻R7、发光二极管D8、继电器散热风扇M2、发光二极管D9、电阻R8、第二温控开关K2、电阻R9、电阻R10、电阻R11；第一继电器J1与第二继电器J2串联形成主路，第一继电器J1的一端作为装置的输入端并与充电电源的输出端连接，第二继电器J2的一端作为装置的输出端并与超导磁体的输入端连接，其中，输入端包括第一输入端、第二输入端，输出端包括第一输出端、第二输出端；第一输入端与电阻R1的一端连接，电阻R1的另一端与发光二极管D1的正极连接，发光二极管D1的负极与第二输入端连接，并形成第一支路；功率二极管D5的负极、电阻R6的一端、限流保险管FU的一端都连接于第一继电器J1与第二继电器J2的连接线上；功率二极管D5的正极连接于第二输入端与第二输出端的连接线上，并形成第二条支路；电阻R6的另一端与发光二极管D6的负极，发光二极管D6的正极连接于第二输入端与第二输出端的连接线上，并形成第三支路；限流保险管FU的另一端与二极管散热风扇M1的一端连接，二极管散热风扇M1的另一端连接于第二输入端与第二输出端的连接线上，形成第四条支路；将第二条支路、第三条支路、第四条支路并联在第一继电器J1、第二继电器J2之间；电阻R3的一端与发光二极管D3的正极连接形成串联再与二极管D2并联，二极管D2的负极与电阻R3的另一端连接，二极管D2的正极与发光二极管D3的负极连接，二极管D2的负极、电阻R3的另一端与第一继电器J1的第一控制端连接，二极管D2的正极、发光二极管D3的负极与第一继电器J1的第二控制端连接，形成第五条支路；电阻R4的一端与发光二极管D4的正极连接形成串联再与第一温控开关K1并联，电阻R4的另一端与第一温控开关K1的一端连接，发光二极管D4的负极与第一温控开关K1的另一端连接后，再串联在第一继电器J1的第一控制端，第一温控开关K1的另一端连接第二输入端与第二输出端的连接线上，形成第六条支路；电阻R7的一端与发光二极管D8的正极连接形成串联再与二极管D7、继电器散热风扇M2并联，二极管D7的负极、继电器散热风扇M2的一端与电阻R7的另一端连接，二极管D7的正极、继电器散热风扇M2的另一端与发光二极管D8的负极连接，二极管D7的负极、电阻R7的另一端、继电器散热风扇M2的一端与第二继电器J2的第一控制端连接，二极管D7的正极、发光二极管D8的负极、继电器散热风扇M2的另一端与第二继电器J2的第二控制端连接，形成第七条支路；电阻R8的一端与发光二极管D9的正极连接形成串联再与第二温控开关K2并联，电阻R8的另一端与第二温控开关K2的一端连接，发光二极管D9的负极与第二温控开关K2的另一端连接后，再串联在第二继电器J2的第一控制端，第二温控开关K2的另一端连接第二输入端与第二输出端的连接线上，形成第八条支路；电阻R2的一端与装置的输入端连接，形成第九支路；电阻R5的一端连接于第一继电器J1与第二继电器J2的连接线上，形成第十支路；电阻R9的一端与第二继电器J2的第一控制端连接，形成第十一支路；电阻R10的一端、电阻R11的一端分别连接装置的第二输入端、第二输出端分别形成第十二、第十三支路；电阻R2、电阻R5、电阻R9、电阻R10、电阻R11的另一端都与DB9接口的输出端连接。...

【技术特征摘要】
1.一种超导磁体充放电装置，其特征在于，包括：电阻R1、发光二极管D1、电阻R2、第一继电器J1、二极管D2、电阻R3、发光二极管D3、发光二极管D4、电阻R4、第一温控开关K1、电阻R5、功率二极管D5、电阻R6、发光二极管D6、限流保险管FU、二极管散热风扇M1、第二继电器J2、二极管D7、电阻R7、发光二极管D8、继电器散热风扇M2、发光二极管D9、电阻R8、第二温控开关K2、电阻R9、电阻R10、电阻R11；第一继电器J1与第二继电器J2串联形成主路，第一继电器J1的一端作为装置的输入端并与充电电源的输出端连接，第二继电器J2的一端作为装置的输出端并与超导磁体的输入端连接，其中，输入端包括第一输入端、第二输入端，输出端包括第一输出端、第二输出端；第一输入端与电阻R1的一端连接，电阻R1的另一端与发光二极管D1的正极连接，发光二极管D1的负极与第二输入端连接，并形成第一支路；功率二极管D5的负极、电阻R6的一端、限流保险管FU的一端都连接于第一继电器J1与第二继电器J2的连接线上；功率二极管D5的正极连接于第二输入端与第二输出端的连接线上，并形成第二条支路；电阻R6的另一端与发光二极管D6的负极，发光二极管D6的正极连接于第二输入端与第二输出端的连接线上，并形成第三支路；限流保险管FU的另一端与二极管散热风扇M1的一端连接，二极管散热风扇M1的另一端连接于第二输入端与第二输出端的连接线上，形成第四条支路；将第二条支路、第三条支路、第四条支路并联在第一继电器J1、第二继电器J2之间；电阻R3的一端与发光二极管D3的正极连接形成串联再与二极管D2并联，二极管D2的负极与电阻R3的另一端连接，二极管D2的正极与发光二极管D3的负极连接，二极管D2的负极、电阻R3的另一端与第一继电器J1的第一控制端连接，二极管D2的正极、发光二极管D3的负极与第一继电器J1的第二控制端连接，形成第五条支路；电阻R4的一端与发光二极管D4的正极连接形成串联再与第一温控开关K1并联，电阻R4的另一端与第一温控开关K1的一端连接，发光二极管D4的负极与第一温控开关K1的另一端连接后，再串联在第一继电器J1的第一控制端，第一温控开关K1的另一端连接第二输入端与第二输出端的连接线上，形成第六条支路；电阻R7的一端与发光二极管D8的正极连...

【专利技术属性】
技术研发人员：向伟炜，刘梦菲，刘阳阳，陆学军，万静龙，
申请(专利权)人：安徽博微智能电气有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34