一种晶界原位扩散纳米级扩散物的钕铁硼磁体及其制备方法技术

本发明专利技术涉及钕铁硼磁体领域，尤其涉及一种晶界原位扩散纳米级扩散物的钕铁硼磁体及其制备方法，所述磁体在钕铁硼磁体的晶界处掺杂有纳米级的扩散物，纳米级扩散物为纳米RE100‑xMx粉体，其中RE为稀土元素，M为金属元素，成分比例100‑x：x为原子比，扩散物的晶粒尺寸为10～100nm，扩散物在晶界处掺杂并原位扩散。整体磁体具有更加优秀的磁性能。并且在掺杂和原位扩散的作用下，能够对磁体的耐热性能、机械性能以及耐化学性能形成多方面的强化。

【技术实现步骤摘要】
一种晶界原位扩散纳米级扩散物的钕铁硼磁体及其制备方法
本专利技术涉及钕铁硼磁体领域，尤其涉及一种晶界原位扩散纳米级扩散物的钕铁硼磁体及其制备方法。
技术介绍
稀土永磁材料是发展新兴产业、实施《中国制造2025》的关键功能性材料，被广泛应用于新能源、智能装备、轨道交通、电子信息等领域。目前，钕铁硼磁体在稀土永磁材料中占主要地位。钕铁硼永磁材料由于其突出的磁性能在现今社会的很多产业和高科技领域有着广泛应用，随着以混合动力汽车和风力发电为代表的新应用领域的不断拓展，对其磁性能、热稳定性和耐腐蚀性能等综合性能的要求也越来越高，提高钕铁硼永磁体的综合性能已成为其研究的一个重要方向。钕铁硼永磁材料的性能不仅与成分有关，而且还受到材料显微组织结构，尤其是晶界相显微结构的影响。通过晶界相调控和显微组织优化来改善材料性能一直受到研究者的广泛关注。晶界扩散工艺可以通过强化晶粒表层的各向异性场或调控晶界相来提高磁体的矫顽力。近年来，扩散介质的研究主要以低熔点稀土-金属(RE-M)共晶合金为重点，其制备工艺主要有：1、熔炼-甩带-破碎；2、熔炼-氢破-球磨等。这些工艺制备的扩散介质往往为微米尺寸的颗粒。如果本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶界原位扩散纳米级扩散物的钕铁硼磁体，其特征在于，所述磁体在钕铁硼磁体的晶界处掺杂有纳米级的扩散物，纳米级扩散物为纳米RE100‑xMx粉体，其中RE为稀土元素，M为金属元素，成分比例100‑x：x为原子比，扩散物的晶粒尺寸为10～100nm，扩散物在晶界处掺杂并原位扩散。

【技术特征摘要】
1.一种晶界原位扩散纳米级扩散物的钕铁硼磁体，其特征在于，所述磁体在钕铁硼磁体的晶界处掺杂有纳米级的扩散物，纳米级扩散物为纳米RE100-xMx粉体，其中RE为稀土元素，M为金属元素，成分比例100-x：x为原子比，扩散物的晶粒尺寸为10～100nm，扩散物在晶界处掺杂并原位扩散。2.根据权利要求1所述的一种晶界原位扩散纳米级扩散物的钕铁硼磁体，其特征在于，所述扩散物纳米RE100-xMx粉体的稀土元素包括Dy、Tb、Pr、Nd、La、Ce和Y，RE100-xMx中的金属元素包括Cu、Al和Ga。3.根据权利要求1或2所述的一种晶界原位扩散纳米级扩散物的钕铁硼磁体，其特征在于，所述RE100-xMx中x符合0≤x≤50。4.一种如权利要求1所述的晶界原位扩散纳米级扩散物的钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下制备步骤：1)将成分为RE100-xMx扩散物原料置于熔炼炉中抽真空至压力≤5×10-3Pa，用高纯氩气清洗炉腔后充入高纯氩气至压力为0.75～1.25MPa，并在氩气保护气氛中进行氩弧熔炼，每次熔炼1～3min，熔完后翻面，反复3～7次，冷却后得到成分均匀的扩散物母料；2)利用电弧放电法对步骤1)所制得的扩散物母料进行处理，将扩散物母料作为阳极材料，采用钨金属或铌金属作为阴极材料，引入氩气或氩气与氢气的混合气作为工作气体，随后接通直流电源，控制电源工作电压为5～60V，工作电流为15～230A，使阳极与阴极之间产生电弧，保持20～350min后关闭电源，抽除工...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵利忠，刘先国，李领伟，
申请(专利权)人：杭州电子科技大学，
类型：发明
国别省市：浙江,33