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本发明涉及钕铁硼磁体领域，尤其涉及一种晶界原位扩散纳米级扩散物的钕铁硼磁体及其制备方法，所述磁体在钕铁硼磁体的晶界处掺杂有纳米级的扩散物，纳米级扩散物为纳米RE100‑xMx粉体，其中RE为稀土元素，M为金属元素，成分比例100‑x：x为原...
该专利属于杭州电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过杭州电子科技大学授权不得商用。

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