【技术实现步骤摘要】
原子层沉积连续式双面镀膜的卷绕装置
本专利技术涉及原子层沉积
，特别是涉及一种原子层沉积连续式双面镀膜的卷绕装置。
技术介绍
原子层沉积(Atomiclayerdeposition，简称ALD)是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法。原子层沉积与普通的化学沉积有相似之处。但在原子层沉积过程中，新一层原子膜的化学反应是直接与之前一层相关联的，这种方式使每次反应只沉积一层原子。近年来由于纳米器件的制备需求，ALD逐渐受到产业界的重视，而有越来越多的研究投入。ALD利用前驱物气体与基体表面所产生的自限制反应与集体表面发生单层化学吸附后，反应气体不在与表面发生反应，所以成长厚度可以控制在埃等级，且均匀性极佳。故近年来ALD技术逐渐应用在环境与能源领域、微电子领域、催化领域等。ALD是一种在速率可控的条件下通过一系列自限制表面饱和反应形成薄型膜的沉积技术，由于它操作简单、具有可重复性、沉积薄膜均匀，所以是非常具有潜力的沉积技术。ALD技术最大的特点是自限制的表面反应，该表面反应由两个自限制的半反应组成，这使得ALD在薄膜制备方面由许多优势：1)每一...
【技术保护点】
1.一种原子层沉积连续式双面镀膜的卷绕装置，其特征在于，包括箱体，所述箱体内依次设置有第一区域、第二区域和第三区域，所述第二区域分别通过隔离板与所述第一区域和所述第三区域分隔，所述隔离板上设置有供基带穿过的通孔，所述第一区域内设置有放卷辊、第一过渡辊、第一进气系统和第一加热器，所述第二区域内设置有第二进气系统，所述第三区域内设置有收卷辊、第二过渡辊、第三进气系统和第二加热器，所述放卷辊和所述收卷辊分别用以放卷和收卷基带，所述第一过渡辊和所述第二过渡辊用以对基带的变向位置进行支撑，所述第一进气系统、所述第二进气系统和所述第三进气系统均包括伸入所述箱体内的匀气管，所述第一区域、...
【技术特征摘要】
1.一种原子层沉积连续式双面镀膜的卷绕装置，其特征在于，包括箱体，所述箱体内依次设置有第一区域、第二区域和第三区域，所述第二区域分别通过隔离板与所述第一区域和所述第三区域分隔，所述隔离板上设置有供基带穿过的通孔，所述第一区域内设置有放卷辊、第一过渡辊、第一进气系统和第一加热器，所述第二区域内设置有第二进气系统，所述第三区域内设置有收卷辊、第二过渡辊、第三进气系统和第二加热器，所述放卷辊和所述收卷辊分别用以放卷和收卷基带，所述第一过渡辊和所述第二过渡辊用以对基带的变向位置进行支撑，所述第一进气系统、所述第二进气系统和所述第三进气系统均包括伸入所述箱体内的匀气管，所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域的所述箱体上均设置有出气口。2.根据权利要求1所述的原子层沉积连续式双面镀膜的卷绕装置，其特征在于，所述第一进气系统、所述第二进气系统和所述第三进气系统还包括高温阀和密封法兰，所述高温阀设置于所述箱体的外侧且与所述匀气管的一端连通，所述匀气管穿过所述箱体并通过所述密封法兰与所述箱体密封连接。3.根据权利要求1所述的原子层沉积连续式双面镀膜的卷绕装置，其特征在于，所述放卷辊与放卷伺服电机传动连接，所述放卷伺服电机上设置有放卷磁粉离合器。4....
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