新化合物半导体及其用途制造技术

本发明专利技术提供了一种新化合物半导体和用于制备其的方法，所述新化合物半导体具有提高的热电优值以及优异的导电性，并且因此可以应用于多种用途，例如太阳能电池、热电转换装置的热电转换材料等。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】新化合物半导体及其用途
相关申请的交叉引用本申请要求于2017年3月15日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2017-0032642号的权益，其公开内容通过引用整体并入本文。本专利技术涉及一种新化合物半导体、用于制备其的方法及其用途，所述新化合物半导体具有提高的热电优值(thermoelectricfigureofmerit)以及优异的导电性，并且因此可以应用于多种用途，例如热电转换装置的热电转换材料、太阳能电池等。
技术介绍
化合物半导体是其中两种或更多种元素结合而不是单一元素(例如，硅或锗)充当半导体的化合物。目前，已经开发了多种化合物半导体并且将其用于各种领域中。代表性地，化合物半导体可以用于使用帕尔帖效应(PeltierEffect)的热电转换装置、使用光电转换效应的发光装置(例如，发光二极管或激光二极管等)或者太阳能电池等。其中，热电转换装置可以应用于热电发电或热电冷却等，并且热电发电是使用通过在热电转换装置中形成温差而产生的温差电动势将热能转换成电能的发电形式。热电转换装置的能量转换效率取决于热电转换材料的优值(ZT)。这里，ZT根据塞贝克系数、电导率和热导率等来本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种由以下化学式1表示的化合物半导体：[化学式1]PrxSyCo4Sb12‑zQz在化学式1中，Q包括O、Se和Te中的至少一者，x、y和z意指各元素的摩尔比，其中0

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.03.15 KR 10-2017-00326421.一种由以下化学式1表示的化合物半导体：[化学式1]PrxSyCo4Sb12-zQz在化学式1中，Q包括O、Se和Te中的至少一者，x、y和z意指各元素的摩尔比，其中0<x<1，0<y<1以及0<z<12。2.根据权利要求1所述的化合物半导体，其中在化学式1中，x和y满足x/y<1。3.根据权利要求1所述的化合物半导体，其中在化学式1中，x和y满足0<x+y≤1。4.根据权利要求1所述的化合物半导体，其中在化学式1中，x相对于1摩尔的z的摩尔比为0.01摩尔至0.5摩尔。5.根据权利要求1所述的化合物半导体，其中在化学式1中，0.01≤x<0.2，0.1≤y≤0.5以及0.01≤z≤1。6.根据权利要求1所述的化合...

【专利技术属性】
技术研发人员：高京门，金玟冏，朴哲熙，朴致成，郑明珍，闵裕镐，
申请(专利权)人：株式会社LG化学，
类型：发明
国别省市：韩国,KR