陶瓷电子部件及陶瓷电子部件的制造方法技术

本发明专利技术的陶瓷电子部件是具备陶瓷绝缘体和设置于上述陶瓷绝缘体的内部的内部导体层的陶瓷电子部件，其特征在于，上述内部导体层包含金属和金属氧化物，该金属氧化物包含从由Ti、Mg及Zr构成的组中选择的至少一种金属元素，在上述内部导体层的内部分散地存在与上述陶瓷绝缘体不连续的第一绝缘体区域，该第一绝缘体区域包含从由Ti、Mg及Zr构成的组中选择的至少一种金属元素，并且，在上述内部导体层的周围存在第二绝缘体区域，该第二绝缘体区域包含与上述第一绝缘体区域所含的上述金属元素相同的金属元素。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】陶瓷电子部件及陶瓷电子部件的制造方法
本专利技术涉及陶瓷电子部件及陶瓷电子部件的制造方法。
技术介绍
多层陶瓷基板及层叠陶瓷电容器等陶瓷电子部件具备陶瓷绝缘体、埋设于陶瓷绝缘体的内部导体、以及设置于陶瓷绝缘体的外表面的外部导体。这样的陶瓷电子部件通常通过如下方式得到：使用导体浆料在包含陶瓷绝缘体的原料粉末的生料片上形成成为内部导体或外部导体的导体浆料膜，接着，将形成有导体浆料膜的生料片层叠多片而形成生层叠体，通过对该生层叠体进行烧成而得到上述陶瓷电子部件。此外，以提高耐热性及焊料润湿性等为目的，通过进行镀覆处理而在外部导体的表面上形成镀覆层。在通过上述的方法来制造陶瓷电子部件时，在烧成时导体浆料及生料片都收缩，由于两者的收缩行为的不同，存在内部导体与陶瓷绝缘体之间形成空隙的情况。在该情况下，镀覆液等液体向上述空隙浸入，其结果是，可能导致陶瓷电子部件的电气特性下降等可靠性下降。对此，作为防止镀覆液等液体的浸入的方法，提出了专利文献1及专利文献2所记载的方法。在专利文献1中记载了通过在真空中使合成树脂含浸于烧结磁性体、电介质等陶瓷表面部分的细孔来堵塞细孔的方法，在专利文献2中记载了在进行本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种陶瓷电子部件，具备陶瓷绝缘体和设置于所述陶瓷绝缘体的内部的内部导体层，所述陶瓷电子部件的特征在于，所述内部导体层包含金属和金属氧化物，该金属氧化物包含从由Ti、Mg及Zr构成的组中选择的至少一种金属元素，在所述内部导体层的内部分散地存在与所述陶瓷绝缘体不连续的第一绝缘体区域，该第一绝缘体区域包含从由Ti、Mg及Zr构成的组中选择的至少一种金属元素，并且，在所述内部导体层的周围存在第二绝缘体区域，该第二绝缘体区域包含与所述第一绝缘体区域所含的所述金属元素相同的金属元素。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.04.28 JP 2016-0917821.一种陶瓷电子部件，具备陶瓷绝缘体和设置于所述陶瓷绝缘体的内部的内部导体层，所述陶瓷电子部件的特征在于，所述内部导体层包含金属和金属氧化物，该金属氧化物包含从由Ti、Mg及Zr构成的组中选择的至少一种金属元素，在所述内部导体层的内部分散地存在与所述陶瓷绝缘体不连续的第一绝缘体区域，该第一绝缘体区域包含从由Ti、Mg及Zr构成的组中选择的至少一种金属元素，并且，在所述内部导体层的周围存在第二绝缘体区域，该第二绝缘体区域包含与所述第一绝缘体区域所含的所述金属元素相同的金属元素。2.根据权利要求1所述的陶瓷电子部件，其特征在于，所述陶瓷绝缘体包含与所述第一绝缘体区域及所述第二绝缘体区域所含的所述金属元素相同的金属元素。3.根据权利要求2所述的陶瓷电子部件，其特征在于，所述陶瓷绝缘体所含的所述金属元素的浓度低于所述第一绝缘体区域中的所述金属元素的浓度，并且低于所述第二绝缘体区域中的所述金属元素的浓度。4.根据权利要求1至3中任一项所述的陶瓷电子部件，其特征在于，所述内部导体层在所述陶瓷绝缘体的表面上露出。5.根据权利要求1至3中任一项所述的陶瓷电子部件，其特征在于，所述陶瓷电子部件还具备设置在所述陶瓷绝缘体的表面上的外部导体，所述内部导体层被所述外部导体被覆。6.根据权利要求1至5中任一项所述的陶瓷电子部件，其特征在于，在所述内部导体层的下表面中的与所述内部导体层的上表面相...

【专利技术属性】
技术研发人员：田中佑享，武森祐贵，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本,JP