铁电存储器单元感测制造技术

描述用于操作铁电存储器单元的方法、系统和装置。存储器装置可将数字线电压维持于接地参考下达与对存储器单元的铁电电容器施加偏压相关联的持续时间。举例来说，与铁电电容器电子通信的数字线可在电压施加到所述铁电电容器的极板时虚拟地接地，且所述铁电电容器可在达到与将所述电压施加到所述极板相关联的阈值之后与虚拟接地隔离。与所述数字线和所述虚拟接地电子通信的切换组件(例如，晶体管)可启动以将所述数字线虚拟地接地且去启动以将所述数字线与所述虚拟接地隔离。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】铁电存储器单元感测交叉参考本专利申请要求让与给本受让人的2016年3月18日提交的Kawamura等人的题为“铁电存储器单元感测(FerroelectricMemoryCellSensing)”的美国专利申请第15/073,989号的优先权。
技术介绍
以下大体上涉及存储器装置，且更确切地说涉及提高用于铁电存储器单元的感测方案。存储器装置广泛用以将信息存储在例如计算机、无线通信装置、摄像机、数字显示器及类似者的各种电子装置中。通过程序设计存储器装置的不同状态来存储信息。举例来说，二进制装置具有常常由逻辑“1”或逻辑“0”表示的两种状态。在其它系统中，可存储多于两种状态。为存取所存储的信息，电子装置可读取或感测存储器装置中的所存储状态。为了存储信息，电子装置可写入或编程存储器装置中的状态。存在各种类型的存储器装置，包含随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻性RAM(RRAM)、闪存存储器及类似者。存储器装置可以是易失性或非易失性的。非易失性存储器(例如，闪存存储器)即使在不存本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种操作铁电存储器单元的方法，其包括：将与所述铁电存储器单元的铁电电容器和虚拟接地电子通信的数字线虚拟地接地；在所述数字线虚拟地接地时将电压施加到所述铁电电容器的极板；及在将所述电压施加到所述铁电电容器的所述极板之后且在达到与施加所述电压相关联的阈值之后将所述数字线与所述虚拟接地隔离。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.18 US 15/073,9891.一种操作铁电存储器单元的方法，其包括：将与所述铁电存储器单元的铁电电容器和虚拟接地电子通信的数字线虚拟地接地；在所述数字线虚拟地接地时将电压施加到所述铁电电容器的极板；及在将所述电压施加到所述铁电电容器的所述极板之后且在达到与施加所述电压相关联的阈值之后将所述数字线与所述虚拟接地隔离。2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：确定已达到所述阈值，其中所述阈值与所述极板的电压的幅值或所述极板的所述电压的变化率中的至少一者或两者相关联。3.根据权利要求1所述的方法，其中将所述数字线虚拟地接地包括：启动与所述数字线和所述虚拟接地电子通信的切换组件，且其中将所述数字线与所述虚拟接地隔离包括：去启动所述切换组件。4.根据权利要求3所述的方法，其中去启动所述切换组件包括：降低施加到与所述数字线和所述虚拟接地电子通信的所述切换组件的线性均衡电压。5.根据权利要求4所述的方法，其进一步包括：启动与所述铁电电容器电子通信的选择组件以用于在所述线性均衡电压降低之后所述铁电存储器单元的感测操作。6.根据权利要求5所述的方法，其中启动所述选择组件包括：将电压施加到与所述铁电存储器单元电子通信的字线。7.根据权利要求6所述的方法，其中施加到所述字线的所述电压在所述线性均衡电压降低时升高。8.根据权利要求4所述的方法，其中施加到所述极板的所述电压在所述线性均衡电压降低时升高。9.根据权利要求4所述的方法，其中所述阈值与所述将所述电压施加到所述铁电电容器的所述极板之后的持续时间相关联。10.根据权利要求9所述的方法，其中所述持续时间至少部分地基于与读取或写入到所述铁电存储器单元相关联的时序或与从所述数字线移除寄生电压相关联的时序或两者来确定。11.根据权利要求9所述的方法，其中所述持续时间小于或等于三纳秒。12.根据权利要求1所述的方法，其中将所述电压施加到所述铁电电容器的所述极板包括：逐渐升高施加到所述铁电电容器的所述极板的电压。13.根据权利要求1所述的方法，其中施加到所述铁电电容器的所述极板的所述电压从零伏特逐渐升高到阵列的源电压的一部分，且其中所述铁电存储器单元包括所述阵列的一部分。14.一种操作铁电存储器单元的方法，其包括：启动与数字线和虚拟接地电子通信的切换组件；将电压施加到与所述数字线电子通信的所述铁电存储器单元的铁电电容器，其中所述电压应用于感测操作；在将所述电压施加到所...

【专利技术属性】
技术研发人员：C·J·卡瓦姆拉，S·J·德尔纳，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国,US