一种基于PVT法生长sic的方法技术

本发明专利技术公开了一种基于PVT法生长sic的方法，包括以下步骤：一种基于PVT法生长sic的方法，包括：(a)在生长坩埚内部以间隔关系提供SiC籽晶和SiC源材料；(b)在生长坩埚中建立其中SiC晶体PVT生长的起始条件，所述起始条件包括：(1)生长坩埚内的合适气体，(2)生长坩埚内合适的气体总压力(3)生长坩埚中的合适温度，使SiC源材料升华并通过生长坩埚中的温度梯度输送到SiC晶种，其中升华的SiC源材料沉淀形成生长的SiC晶体；该方法的使用晶体生长具有最小化的应力，所述合成温度的范围为1800℃‑2500℃；导致缺陷减少，有效避免了晶体生长过程中螺旋位错和基面位错。

【技术实现步骤摘要】
一种基于PVT法生长sic的方法
本专利技术涉及SiC晶体生成
，特别涉及一种基于PVT法生长sic的方法。
技术介绍
碳化硅是用于开发和制造新一代SiC和GaN半导体器件的重要宽带隙材料。虽然基于GaN的器件旨在用于微波频率的操作，但是基于SiC的器件旨在实现有效的功率切换。其他应用也被设想并且正在出现。碳化硅用作晶格匹配的衬底材料，以生长SiC和GaN的外延层。为了生产低缺陷外延层和高质量器件，衬底必须具有良好的晶体质量，包括低位错密度。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种基于PVT法生长sic的方法，以解决现有技术中SiC晶体生成方法生成晶体时容易发生螺旋位错和基面位错的技术问题。为实现上述目的，本专利技术提供一种基于PVT法生长sic的方法，包括以下步骤：通过升华生长SiC单晶的最常用技术是物理气相输送(PVT)技术；多晶SiC颗粒放置在石墨生长坩埚的底部，并且SiC晶种连接到坩埚的石墨盖或顶部，加载的坩埚被加热到1800到2500之间的生长温度。C.通过电阻加热器(电阻加热)或RF线圈12(感应加热)。在坩埚内部存在低压(1-200Torr)惰性气体如氦气本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于PVT法生长sic的方法，包括：(a)在生长坩埚内部以间隔关系提供SiC籽晶和SiC源材料；(b)在生长坩埚中建立其中SiC晶体PVT生长的起始条件，所述起始条件包括：(1)生长坩埚内的合适气体，(2)生长坩埚内合适的气体总压力，(3)生长坩埚中的合适温度，使SiC源材料升华并通过生长坩埚中的温度梯度输送到SiC晶种，其中升华的SiC源材料沉淀形成生长的SiC晶体；(c)在SiC晶体生长期间多次间歇地改变生长坩埚内的下列生长条件中的至少一种；

【技术特征摘要】
1.一种基于PVT法生长sic的方法，包括：(a)在生长坩埚内部以间隔关系提供SiC籽晶和SiC源材料；(b)在生长坩埚中建立其中SiC晶体PVT生长的起始条件，所述起始条件包括：(1)生长坩埚内的合适气体，(2)生长坩埚内合适的气体总压力，(3)生长坩埚中的合适温度，使SiC源材料升华并通过生长坩埚中的温度梯度输送到SiC晶种，其中升华的SiC源材料沉淀形成生长的SiC晶体；(c)在SiC晶体生长期间多次间歇地改变生长坩埚内的下列生长条件中的至少一种；2.根据权利要求1所述的方法，其中，对于间歇地改变的每个实例，所述时间段是相同的或不同的。3.根据权利要求1所述的方法，其中：步骤(b)中的合适气体包括以下中的至少一种：氦气，氩气和氢气；步骤(c)中的掺杂气体是氮气。4.根据权利要求1所述的方法，其中：步骤(b)中的合适的总气压是1托和200托之间的第一压力；在步骤(c)中改变气体压力包括将总气体压力从第一压力增加到1托和200托之间的第二压力。5.如权利要求1所述的方法，其中：步骤(b)中的合适温度是1800℃-2500℃；并且在步骤(c)中改变温度包括在1800℃之间将温度从第一温度升高或降低到第二温度2400℃.6.根据权利要求1所述的方法：生长坩埚设置被引入到其中的气体的腔室的内部；生长坩埚由对气体可渗透的材料组成。7.如权利要求6所述的方法，其中：所述腔室由熔融石英组成；生长坩埚由石墨组成。8.一种基于PVT法生长sic的方法，包括：(a)提供具有多晶SiC源材料和SiC籽晶的生长坩埚，所述SiC晶种以间隔关系设...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙月静，
申请(专利权)人：孙月静，
类型：发明
国别省市：江苏,32