铜合金压延材及其制造方法以及电气电子部件技术

一种铜合金压延材及其制造方法以及电气电子部件，铜合金压延材的镀覆性优异。铜合金压延材在与压延方向正交的方向上的最大高度Rz为0.1μm以上且3μm以下，在与压延方向正交的方向上的最大谷深Rv对最大峰高Rp的比Rv/Rp为1.2以上且2.5以下，在与压延方向平行的方向上的最大高度Rz为0.1μm以上且3μm以下，在与压延方向平行的方向上的粗糙度曲线元素的平均宽度RSm为0.02mm以上且0.08mm以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】铜合金压延材及其制造方法以及电气电子部件
本专利技术涉及铜合金压延材及其制造方法以及电气电子部件
技术介绍
作为用于电气电子部件的材料，广泛使用具有优异的导电性及导热性的铜合金材料。近年来，提出了电气电子设备的小型化、轻量化、以及随之出现的高密度安装化的要求，其中使用的铜合金材料也要求具有各种特性，还要求具有镀覆性、焊料润湿性等表面特性。作为包含镍和硅的铜合金的、且将由镍和硅构成的Ni-Si金属间化合物通过热处理进行析出而强化的被称为科森合金的Cu-Ni-Si系合金是在众多的析出型合金中强化能力非常高的合金。在制造Cu-Ni-Si系合金时，通过热处理、熔体化处理，在表面附近产生氧化硅化合物，如果氧化硅化合物残留至最终产品，则镀覆性、焊料润湿性显著降低。因此，实施用于去除表面附近的氧化硅化合物的酸洗处理。然而，为了迅速且充分地去除氧化硅化合物，在酸洗处理后利用刷子、皮革对Cu-Ni-Si系合金的表面进行研磨，因此在表面产生凹凸，变成粗糙度较大(较粗糙)的表面。如果表面的凹凸较大，则进行镀覆时，可能出现镀覆缺陷，降低镀覆外观、紧贴性、耐腐蚀性。这样的问题不限定于Cu-Ni-Si系合金、C本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种铜合金压延材，与压延方向正交的方向上的最大高度Rz为0.1μm以上且3μm以下，与压延方向正交的方向上的最大谷深Rv对最大峰高Rp的比Rv/Rp为1.2以上且2.5以下，与压延方向平行的方向上的最大高度Rz为0.1μm以上且3μm以下，与压延方向平行的方向上的粗糙度曲线元素的平均宽度RSm为0.02mm以上且0.08mm以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.07.12 JP 2016-1373931.一种铜合金压延材，与压延方向正交的方向上的最大高度Rz为0.1μm以上且3μm以下，与压延方向正交的方向上的最大谷深Rv对最大峰高Rp的比Rv/Rp为1.2以上且2.5以下，与压延方向平行的方向上的最大高度Rz为0.1μm以上且3μm以下，与压延方向平行的方向上的粗糙度曲线元素的平均宽度RSm为0.02mm以上且0.08mm以下。2.根据权利要求1所述的铜合金压延材，其中，所述铜合金压延材由如下铜合金构成：包含1质量％以上且5质量％以下的镍和0.5质量％以上且2.5质量％以下的钴中的至少一者以及0.1质量％以上且1.5质量％以下的硅，剩余部分由铜及不可避免的杂质构成。3.根据权利要求1所述的铜合金压延材，其中，所述铜合金压延材由如下铜合金构成：包含1质量％以上且5质量％以下的镍和0.5质量％以上且2.5质量％以下的钴中的至少一者以及0.1质量％以上且1.5质量％以下的硅，并且还包含大于0质量％且小于等于0.5质量％的镁、大于0质量％且小于等于1质量％的锡、大于0质量％且小于等于1.5质量％的锌、大于0质量％且小于等于0.5质量％的锰和大于0质量％且小于等于1.5质量％的铬中的至少一者，剩余部分由铜及不可避免的杂质构成。4.根据权利要求1所述的铜合金压延材，其中，所述铜合金压延材由如下铜合金构成：包含0.05质量％以上且1.5质量％以下的铬、0.01质量％以上且0.2质量％以下的锆和0.01质量％以上且3.5质量...

【专利技术属性】
技术研发人员：川田绅悟，樋口优，藤井惠人，小林良聪，
申请(专利权)人：古河电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP