【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】Cu-Ni-Si系铜合金板材和制造法
本专利技术涉及适合作为采用光刻形成宽度窄的高精度的引脚(ピン)的引线框架用的原料的高强度Cu-Ni-Si系铜合金板材及其制造法。在本说明书中所说的“Cu-Ni-Si系铜合金”中也包含添加了Co的类型的Cu-Ni-Si系铜合金。
技术介绍
为了制作高精细的引线框架，需要10μm级的精密蚀刻。为了采用这样的精密蚀刻形成直线性良好的引脚，要求是得到表面凹凸尽可能少的(表面平滑性良好的)蚀刻面的原料。另外，为了应对半导体封装的小型·薄壁化，对引线框架的引脚也要求细径化。为了实现引脚的细径化，引线框架用原料的高强度化变得重要。进而，为了加工成尺寸精度高的引线框架，作为原料的板材的形状在加工前的阶段极其平坦变得有利。在引线框架用原料中，选择强度与导电性的特性平衡优异的金属材料。作为这样的金属材料，有Cu-Ni-Si系铜合金(所谓的科森合金)、在其中添加了Co的类型的铜合金。对于这些合金系而言，能够在维持比较高的导电率(35～60％IACS)的同时调整为0.2％屈服强度(耐力)800MPa以上的高强度。在专利文献1～7中公开了与高强度Cu-...
【技术保护点】
1.铜合金板材，其具有如下组成，用质量％表示，包含Ni：1.0～4.5％、Si：0.1～1.2％、Mg：0～0.3％、Cr：0～0.2％、Co：0～2.0％、P：0～0.1％、B：0～0.05％、Mn：0～0.2％、Sn：0～0.5％、Ti：0～0.5％、Zr：0～0.2％、Al：0～0.2％、Fe：0～0.3％、Zn：0～1.0％、剩余部分Cu和不可避免的杂质，在与板面(轧制面)平行的观察面中，长径1.0μm以上的粗大第二相粒子个数密度为4.0×103个/mm2以下，并且采用EBSD(电子束背散射衍射法)将结晶方位差15°以上的边界视为晶粒间界时的晶粒内的、用步长0.5μ...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.31 JP 2016-072218;2016.08.30 JP 2016-167511.铜合金板材，其具有如下组成，用质量％表示，包含Ni：1.0～4.5％、Si：0.1～1.2％、Mg：0～0.3％、Cr：0～0.2％、Co：0～2.0％、P：0～0.1％、B：0～0.05％、Mn：0～0.2％、Sn：0～0.5％、Ti：0～0.5％、Zr：0～0.2％、Al：0～0.2％、Fe：0～0.3％、Zn：0～1.0％、剩余部分Cu和不可避免的杂质，在与板面(轧制面)平行的观察面中，长径1.0μm以上的粗大第二相粒子个数密度为4.0×103个/mm2以下，并且采用EBSD(电子束背散射衍射法)将结晶方位差15°以上的边界视为晶粒间界时的晶粒内的、用步长0.5μm测定的KAM值比3.00大。2.根据权利要求1所述的铜合金板材，其中，下述(A)中定义的板厚方向的平均结晶粒径为2.0μm以下，(A)对与轧制方向垂直的截面(C截面)观察得到的SEM图像上，随机地画出板厚方向的直线，将被该直线切断的晶粒的平均切断长作为板厚方向的平均结晶粒径，其中，以被直线切断的晶粒的总数成为100个以上的方式，在1个或多个观察视野中随机地设定不重复地将同一晶粒切断的多个直线。3.根据权利要求1所述的铜合金板材，其中，将轧制直角方向的板宽设为W0(mm)时，下述(B)中定义的最大横向弯曲qMAX为100μm以下，(B)从该铜合金板材取得轧制方向长度为50mm、轧制直角方向长度为板宽W0(mm)的长方形的切断板P，将该切断板P进一步以轧制直角方向50mm间距裁断，此时，在轧制直角方向长度不足50mm的小片在切断板P的轧制直角方向端部产生时不包括该小片，准备n个(n为板宽W0/50的整数部分)的50mm见方的正方形样品，对于各正方形样品的每个，按照日本展铜协会技术标准JCBAT320：2003中规定的采用三维测定装置的测定方法(其中，设为w＝50mm)，对于两面(两侧的板面)在轧制直角方向上测定在水平盘上放置时的横向弯曲q，将各面的q的绝对值|q|的最大值设为该正方形样品的横向弯曲qi(i为1～n)，将n个正方形样品的横向弯曲q1～qn中的最大值设为最大横向弯曲qMAX。4.根据权利要求1所述的铜合金板材，其中，下述(C)中定义的I-unit为5.0以下，(C)从该铜合金板材中取得轧制方向长度为400mm、轧制直角方向长度为板宽W0(mm)的长方形的切...
【专利技术属性】
技术研发人员：首藤俊也，须田久，佐佐木史明，
申请(专利权)人：同和金属技术有限公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。